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1    一種低溫快速制備高導熱復雜形狀氮化鋁陶瓷的方法

      能夠?qū)⑹篃Y(jié)溫度降低至1600℃以下?；旌蠞{料采用多粒度粉末復配的方式，以大顆粒氮化鋁粉末為燒結(jié)與導熱的骨架材料，利用納米顆粒提供的高活性促進燒結(jié)，煅燒后的坯體具有90％的相對密度，有利于進一步縮短燒結(jié)時間。利用硅橡膠固化前的可流動的特點，具有填充復雜形狀模具的特點，做到成形的任意性。此方法獲得的氮化鋁陶瓷兼具了低能耗、快速制備、復雜形狀成形性與高導熱(150～175W/m·k)的特點。

2    氮化鋁陶瓷材料及其制備方法和應(yīng)用  

      步驟：將微米級氮化鋁粉體、單層石墨烯和燒結(jié)助劑混合，球磨，制得混合粉末；將混合粉末與成型劑混合，模壓成型，制得粉末胚體；對粉末胚體進行燒結(jié)，得到氮化鋁陶瓷材料。本發(fā)明制得的氮化鋁陶瓷材料的相對密度達到98.8％以上，體電阻率在109Ω·cm～1011Ω·cm，熱導率超過200W m?1K?1，具有成本低廉、缺陷結(jié)構(gòu)少、熱導率高和電阻率可調(diào)等優(yōu)點，是一種性能優(yōu)異的新型電介質(zhì)層材料，可以用于制備性能優(yōu)異的靜電卡盤，使用價值高，應(yīng)用前景好，有利于實現(xiàn)靜電卡盤的廣泛應(yīng)用。

3    一種氮化鋁基導電陶瓷及其制備方法

      將氮化鋁粉體、金屬粉體、助燒劑粉體、有機溶劑、粘結(jié)劑、分散劑通過球磨機混合，得到混合漿料；對混合漿料進行真空除泡處理、成型，得到第一素坯；將第一素坯置于排膠爐中進行排膠處理，獲得陶瓷素坯；將排膠后的陶瓷素坯置于高溫爐中，在氮氣氣氛下進行高溫燒制，得到共晶化的氮化鋁基導電陶瓷材料；將共晶化的氮化鋁基導電陶瓷材料進行破碎、成型，得到第二素坯；將第二素坯放置在熱壓震蕩燒結(jié)爐中進行熱壓燒結(jié)，得到致密的共晶氮化鋁基導電陶瓷材料。有效抑制氮化鋁晶粒和金屬晶體的生長,使氮化鋁晶粒和金屬晶體之間進行有效的相互浸潤、擴散，使得燒結(jié)的陶瓷導熱均勻。

4    一種氮化鋁基電介質(zhì)陶瓷及其制備方法

      根據(jù)氮化鋁基電介質(zhì)陶瓷的設(shè)計配方，將金屬粉體按一定比例進行稱重混合，得到摻雜用金屬粉料M；將氮化鋁粉體、助燒劑、摻雜用金屬粉料M、分散劑、溶劑按一定比例放入球磨機中，在一定工藝條件下進行混合研磨，得到混合漿料；將混合漿料進行干燥處理，除去多余溶劑，經(jīng)過破碎處理，得到混合粉料；將混合粉料進行壓制成型處理，得到呈一定形狀和尺寸的素坯；將素坯置于排膠爐中進行排膠處理，以排除素坯中的有機物，從而獲得不含殘余碳的陶瓷素坯；將排膠后的陶瓷素坯置于高溫燒結(jié)爐中，在氮氣氣氛下進行高溫燒制，得到共晶化的氮化鋁基電介質(zhì)陶瓷材料；將陶瓷材料進行形狀加工并進行表面處理。

5    一種氮化硅陶瓷的制備方法   

      解決現(xiàn)有生產(chǎn)工藝制備出的氮化硅陶瓷僅在熱導率、抗彎強度、斷裂韌性等某一方面具有突出性能，不能同時兼顧各方面性能的問題。包括以下步驟：(1)氮化硅粉體的表面改性；(2)復合粉體的制備；(3)中間體B的制備；(4)陶瓷漿料的制備；(5)光固化成型；(6)等靜壓處理；(7)脫脂；(8)燒結(jié)。

6    一種高體積電阻率和高熱導率氮化鋁陶瓷及其制備方法 

      以氧化釔和氧化鈣為復合燒結(jié)助劑，能夠同時提高氮化鋁陶瓷的熱導率和體積電阻率，其性能能夠達到密度＞3.30g/cm3、熱導率≥190W/(m?k)、室溫下體積電阻率＞3*1013Ω?cm3。

7    一種高導熱氮化鋁陶瓷的制備方法   

      解決現(xiàn)有制備工藝生產(chǎn)的氮化鋁陶瓷熱導率不高的問題，包括以下步驟：(1)復合粉體的制備；(2)陶瓷漿料的制備；(3)流延成型；(4)等靜壓成型；(5)排膠；(6)燒結(jié)。制備出的氮化鋁陶瓷不僅具備優(yōu)異的導熱性能，同時提高了氮化鋁陶瓷的機械性能。

8    一種高強度氮化鋁陶瓷的制備方法 

      解決現(xiàn)有制備工藝生產(chǎn)的氮化鋁陶瓷抗彎強度不高，難以滿足高端領(lǐng)域需求的問題，包括以下步驟：(1)表面改性；(2)球磨，球磨過程中添加的燒結(jié)助劑為TiN?HfO2?Sm2O3?LiCO3；(3)真空脫泡；(4)流延成型；(5)等靜壓成型；(6)排膠；(7)燒結(jié)。制備得到的氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的熱學性能和力學性能。

9    一種高導熱氮化硅陶瓷材料及其制備方法和應(yīng)用  

      能夠降低材料中氧含量，并進一步改善導熱率，且碳納米管可以提高所述氮化硅陶瓷材料的致密性，從而提高其強度；六硼化鑭的存在有利于促進氮化硅轉(zhuǎn)變高硬度的陶瓷，進一步提高所述氮化硅陶瓷材料的強度，各組分協(xié)同作用，最終獲得兼具高強度的高導熱氮化硅陶瓷材料。

10    一種氮化硅燒結(jié)用輔助劑  

       主要包括二氧化硅、三氧化二釔與氧化鎂，所述二氧化硅、三氧化二釔與氧化鎂之間高溫混合反應(yīng)，且優(yōu)化比例為：所述二氧化硅的份額為20～60mol％，所述三氧化二釔的份額為0.1～10mol％，所述氧化鎂的份額為30～60mol％，其中，所述氧化鎂與三氧化二釔高溫反應(yīng)可形成液狀，且根據(jù)比例的不同，與二氧化硅高溫反應(yīng)形成液狀，所述二氧化硅、三氧化二釔與氧化鎂之間最優(yōu)化比例為：所述二氧化硅的份額為58mol％，所述三氧化二釔的份額為2mol％，所述氧化鎂的份額為40mol％。作為氮化鋁、氮化硅、碳化硅等的燒結(jié)中需要的燒結(jié)輔助劑使用，改善氮化物燒結(jié)時使用的燒結(jié)輔助劑的液狀形成機制并提高燒結(jié)性。

11    一種大尺寸AlON透明陶瓷的流延成型生產(chǎn)方法

        是采用Al2O3和AlN粉體直接作為原料，通過添加燒結(jié)助劑、分散劑、增塑劑、黏結(jié)劑進行球磨混合后得到陶瓷漿料，然后采用流延成型，干燥后得到Al2O3/AlN流延片，對流延片進行高溫燒結(jié)后得到大尺寸高質(zhì)量AlON透明陶瓷。提供的制備工藝有效避免了傳統(tǒng)的制備AlON透明陶瓷方法存在的需要制備高純AlON粉體導致的制備周期長、工藝參數(shù)難控等問題，能夠直接實現(xiàn)大尺寸AlON透明陶瓷的制備，并且有效解決了大尺寸流延片干燥后表面不平整、存在裂紋等缺陷，可很好實現(xiàn)大尺寸AlON透明陶瓷的規(guī)模化和連續(xù)性生產(chǎn)。

12    一種高強度氮化硅透波陶瓷及其制備方法 

        提供的高強度氮化硅透波陶瓷的制備方法，包括以下步驟：(1)將氮化硅、燒結(jié)助劑和無水乙醇混合，得到混合物；(2)向所述步驟(1)得到的混合物中加入氮化硼短纖維、納米二氧化硅和氧化鋯，混合后得到濕混料；(3)將所述步驟(2)得到的濕混料烘干后進行壓制成型，得到坯體；(4)將所述步驟(3)得到的坯體依次進行預燒結(jié)和燒結(jié)，得到高強度氮化硅透波陶瓷。實施例的結(jié)果顯示，提供的制備方法制備的高強度氮化硅透波陶瓷的彎曲強度為480～620MPa，介電常數(shù)為2.5～3.0，兼具介電性能優(yōu)異且強度高的特點。

13    高韌性、高強度的氮化硅球的制造方法

        涉及如下的氮化硅球的制造方法：能夠大幅提高氮化硅球的生產(chǎn)產(chǎn)量，在燒結(jié)時可控制與碳之間的反應(yīng)，從而能夠制造高強度及高韌性的氮化硅球。

14    氮化鋁陶瓷加熱片的制備方法及氮化鋁陶瓷加熱片 

        包括：步驟一、制備氮化鋁陶瓷流延漿料；步驟二、制備多個微晶石蠟柱；將各微晶石臘柱設(shè)在模具上；模具上開設(shè)有凹槽，凹槽底部開設(shè)有多個開孔；各微晶石臘柱設(shè)在模具底部遮蓋各開孔；在模具內(nèi)注入氮化鋁陶瓷流延漿料形成底片生胚；加熱融化微晶石蠟柱；將液體微晶石蠟吸走，在底片生胚上形成通孔；步驟三、在底片生胚上設(shè)置正極導電接口、負極導電接口和發(fā)熱電路；步驟四、使發(fā)熱電路干燥固化；步驟五、繼續(xù)注入氮化鋁陶瓷流延漿料；氮化鋁陶瓷流延漿料固化后形成氮化鋁基陶瓷生胚；步驟六、燒制氮化鋁基陶瓷生胚形成氮化鋁陶瓷加熱片。通過本方法制備得到的氮化鋁陶瓷加熱片連接牢固，不易開裂。

15    一種氮化物陶瓷基板的制造方法 

        S1：制備預制漿料；S2：制備預制胚體；S3：將預燒坯體浸入浸透液體中浸泡處理，浸泡時間為1?2h，然后在25?30℃下自然干燥30?50min，再將其浸入沉淀劑溶液中進行沉淀處理，得到浸透胚體；S4：將浸透胚體再次進行干燥、煅燒和燒結(jié)處理，得到氮化物陶瓷基板。首先將預制漿料經(jīng)由干燥排膠得到中間胚體，然后對中間胚體進行初步燒結(jié)結(jié)得到預制胚體，使其具有一定的凝結(jié)度，再將預制胚體依次進行浸透處理和沉淀處理，保證中間助劑分散均勻的同時還可以脫除預制胚體中的雜質(zhì)，提升氮化物陶瓷基板的純度，進而保證其使用穩(wěn)定性差。經(jīng)過浸透處理和沉淀處理后再進行干燥、煅燒和燒結(jié)處理，進入得到氮化物陶瓷基板。

16    氮化鋁陶瓷及其制備方法和應(yīng)用  

        該氮化鋁陶瓷包括多孔氮化鋁基體；多孔氮化鋁基體的孔壁表面負載有鐵氧體；鐵氧體表面負載有納米鎳顆粒。本發(fā)明還提供了一種氮化鋁陶瓷的制備方法，包括采用無壓燒結(jié)法燒結(jié)氮化鋁陶瓷，采用水熱法在氮化鋁基體上沉積鐵氧體和采用還原法在鐵氧體表面負載納米鎳顆粒的步驟。氮化鋁陶瓷將熱量快速傳遞至微反應(yīng)器中，解決了由該氮化鋁陶瓷制備的微反應(yīng)器的預熱時間過長，以及鎳顆粒從基體表面脫落，快速的直接升溫導致的納米鎳顆粒長大的技術(shù)問題。

17    一種硅粉流延成型制備高導熱氮化硅陶瓷基片的方法

        包括：（1）以硅粉作為原料粉體，以氧化鎂、氧化鈣中的至少一種作為燒結(jié)助劑A，以稀土氧化物中的一種作為燒結(jié)助劑B，以氧化鋯、氧化鈦和氧化鉿中至少一種作為燒結(jié)助劑C，加入到含有分散劑的溶劑中，再加入粘結(jié)劑和塑性劑并混合，得到混合漿料；（2）將混合漿料在10～300Pa真空度下脫泡5～60分鐘后，采用流延成型設(shè)備流出厚度為50～1000微米的生料帶；（3）將所得生料帶經(jīng)切割、疊層后得到需要厚度的氮化硅基片坯體，再經(jīng)真空脫粘、氮化處理和燒結(jié)，得到高導熱氮化硅陶瓷基片。

18    一種氮化鋁陶瓷基板及其制備方法和應(yīng)用

        涉及氮化鋁陶瓷材料技術(shù)領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷基板的制備方法，包括：S1，通過真空無壓燒結(jié)法制備氮化鋁陶瓷材料；S2，將所述氮化鋁陶瓷材料在空氣氣氛的條件下進行氧化，得到氮化鋁陶瓷基板；其中，所述氮化鋁陶瓷材料的原料包括氮化鋁、氮化鋯以及稀土氧化物。制備得到的氮化鋁陶瓷基板具有高熱導以及高抗彎強度，可應(yīng)用于電子元器件基板中。

19    一種易燒結(jié)高純氮化硅粉體的制備方法 

        包括：（1）將硅粉、有機碳源和發(fā)泡劑加入到有機溶劑中并混合，得到混合漿料；（2）將所得混合漿料干燥過篩并松裝平鋪于氮化硅坩堝內(nèi)，先置于排膠爐中進行低溫真空熱處理，再置于氮氣反應(yīng)爐中進行氮化處理，最終經(jīng)破碎和研磨，得到所述易燒結(jié)高純氮化硅粉體。

20    一種高韌性高硬度氮化硅陶瓷刀具及其制備方法  

        制備高韌性高硬度氮化硅陶瓷刀具時，先將一氧化硅通氮氣生長制得氮化硅納米線，將1,11?十二二烯依次和甲基二氯硅烷、甲醇反應(yīng)制得兩端甲基二甲氧基硅基十二烷，將氮化硅納米線和兩端甲基二甲氧基硅基十二烷反應(yīng)制得改性氮化硅納米線，將全氫聚硅氮烷、改性氮化硅納米線、氧化鋁、氧化釔、氮化硅混合置于模具中進行固化定形，再進行燒結(jié)，得到刀具胚體，最后進行多次浸漬煅燒處理后拋光制得高韌性高硬度氮化硅陶瓷刀具。本發(fā)明制備的高韌性高硬度氮化硅陶瓷刀具具有優(yōu)良的斷裂韌性和耐磨損性。

21    超高溫陶瓷致密化方法、超高溫陶瓷 

        按照添加劑與原料混合物之間的目標比例，在合成所述超高溫陶瓷粉體的過程中添加所述添加劑以實現(xiàn)缺陷調(diào)控，得到超高溫陶瓷粉體；其中，所述添加劑包括B粉、NaCl、Na2B4O7、KCl中的至少一種；對所述超高溫陶瓷粉體進行燒結(jié)，以得到致密化的超高溫陶瓷；通過添加添加劑對超高溫陶瓷粉體進行缺陷調(diào)控，得到了燒結(jié)活性高的超高溫陶瓷粉體，從而燒結(jié)得到了致密度高的超高溫陶瓷。

22    氮化硅燒結(jié)體、耐磨性構(gòu)件及氮化硅燒結(jié)體的制造方法  

        具備氮化硅結(jié)晶粒子及晶界相，在上述氮化硅燒結(jié)體的任意的截面中對20μm×20μm的區(qū)域進行拉曼光譜分析的情況下，在400cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以上且1200cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以下的范圍內(nèi)檢測到7個以上的峰，上述7個以上的峰的最強峰不在515cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以上且525cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以下的范圍內(nèi)。此外，上述7個以上的峰中的至少3個優(yōu)選在530cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以上且830cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以下的范圍內(nèi)。上述7個以上的峰中的至少1個優(yōu)選在440cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以上且460cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以下的范圍內(nèi)。

23    一種氮化鋁陶瓷及其制備方法 

        氮化鋁陶瓷的制備方法，包括如下步驟：S1：氮化鋁粉末、改性劑和無水乙醇球磨、無水乙醇洗滌、干燥，得到改性AIN；S2：將交聯(lián)劑組分、去離子水混合，繼續(xù)加入分散劑和改性氮化鋁粉末、四甲基氫氧化銨，球磨、調(diào)節(jié)漿料pH值，得到漿料；S3：將漿料、引發(fā)劑混合后真空脫泡、澆注、固化成型、脫模、干燥、排膠、燒結(jié)，得到氮化鋁陶瓷。制備的改性氮化鋁抗水解性能優(yōu)良，利用該改性氮化鋁粉末制備的氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的力學性能。

24    一種高熱導氮化鋁陶瓷基板的制備方法 

        解決現(xiàn)有制備工藝獲得的氮化鋁陶瓷基板熱導率不高且需要消耗大量能量的問題，包括以下制備步驟：(1)氮化鋁粉體的原料的選擇；(2)球磨處理；(3)脫氧處理；(4)二次分散處理；(5)流延成型：送入流延成型機進行流延成型，獲得素坯；(6)排片壓平處理；(7)排膠：(8)燒結(jié)；(9)冷卻。

25    一種高性能AlON透明陶瓷及其低溫快速制備方法 

        將γ?Al2O3、AlN、三相燒結(jié)助劑(Y2O3、MgO、La2O3)進行球磨混合；將干燥后的粉體裝入石墨模具中；將石墨模具置于放電等離子燒結(jié)爐中進行真空燒結(jié)，最后在N2氣氛下對樣品進行除碳處理。該方法采用新型Y2O3、MgO、La2O3三相燒結(jié)助劑并利用放電等離子燒結(jié)技術(shù)通過固相反應(yīng)一步制得AlON透明陶瓷，不僅簡化了AlON透明陶瓷的制備工藝，且大幅降低了AlON透明陶瓷的燒結(jié)溫度，縮短燒結(jié)時間，同時提高了AlON透明陶瓷的致密度，在保證AlON陶瓷透過率的前提下極大地提高AlON透明陶瓷的綜合力學性能。

26    一種高強度高熱導氮化硅陶瓷材料及其制備方法   

        高強度高熱導氮化硅陶瓷材料的原料組成包括Si粉和燒結(jié)助劑；所述燒結(jié)助劑由稀土共沉淀粉體(RE＆lt;subgt;x＆lt;/subgt;Eu＆lt;subgt;y＆lt;/subgt;)＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;和堿土金屬氧化物組成，(RExEuy)＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;中的RE為Y、Yb、Tm中的一種，x的取值范圍為88~98mol.%，y的取值范圍為2~12mol.%；所述堿土金屬氧化物為MgO、CaO、SrO和BaO中的至少一種；所述稀土共沉淀粉體和堿土金屬氧化物的摩爾比為0.5:9.5~9.5:0.5；以Si粉全部轉(zhuǎn)化為Si＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;N＆lt;subgt;4＆lt;/subgt;計，燒結(jié)助劑占高強度高熱導氮化硅陶瓷材料的含量為5~10mol.%。

27    光固化氮化硅陶瓷漿料、氮化硅陶瓷的制備方法

        樹脂、光引發(fā)劑、增塑劑進行攪拌混合，得到光敏樹脂；所述的樹脂包括鄰苯基苯氧乙基丙烯酸酯，以及乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四氫呋喃丙烯酸酯中的一種或多種；樹脂中鄰苯基苯氧乙基丙烯酸酯的含量為10～90wt％。制備方法能有效解決傳統(tǒng)的氮化硅陶瓷漿料的固相含量低，以及其光固化成型的單層固化厚度低的技術(shù)缺陷。

28    一種不研磨氮化鋁陶瓷基板的制備方法  

        解決現(xiàn)有技術(shù)的采用研磨工藝的氮化鋁陶瓷基本生產(chǎn)成本較高而不研磨的陶瓷基板表面凹坑深度過高不符合產(chǎn)品質(zhì)量指標的缺陷；包括以下制備步驟：（1）流延漿料的配置，以氮化鋁粉體為主原料，搭配燒結(jié)助劑，并添加有機助劑，制成漿料;（2）流延成型：通過流延成型獲得生坯帶；（3）沖壓成片；（4）敷粉排膠；（5）燒結(jié)；（6）表面處理。

29    一種高致密ZrB2基超高溫陶瓷的高壓制備方法

        特別涉及到超高溫陶瓷材料的結(jié)構(gòu)和抗燒蝕性能。將ZrB2粉末和金屬碳化物粉末分別按摩爾比為1:1～20:1進行稱量混料；通過濕磨法對原料進行顆粒細化，將濕磨的漿料進行離心、干燥和模壓成型，并在高壓條件下進行燒結(jié)致密化，燒結(jié)壓力為2～4GPa，燒結(jié)溫度為750～950℃，最終制備出高致密ZrB2?ZrC超高溫陶瓷材料。提出的ZrB2基超高溫陶瓷的高壓制備方法具有工藝簡便、高效的優(yōu)點，能夠顯著降低材料的燒結(jié)溫度，減少制備工藝中高溫所需的時間。有效提升陶瓷材料的致密度，提高超高溫陶瓷的抗熱燒蝕性能。

30    一種超大型軸承用超大尺寸氮化硅陶瓷球制備方法  

        該方法通過稱取6wt％MgSiN2?YbF3、94wt％β?Si3N4粉進行預混合，達到混勻的目的；無水乙醇作為介質(zhì)，將所得物料球磨進行混勻15h?20h，球磨速率為90轉(zhuǎn)/分鐘?120轉(zhuǎn)/分鐘，經(jīng)旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器65℃?75℃干燥4h?5h；將所得物料通過閉式噴霧造粒進行霧化處理，得到粒徑在50?100微米、松裝密度0.85g/cm3～0.90g/cm3的均勻粉料；將粉末放入球磨具中40MPa?45MPa預壓，制成陶瓷球生胚，將生胚剪去多余部分進行修型；將生胚在280MPa?300MPa條件下進行冷等靜壓成型；將所得毛坯球放入氣壓燒結(jié)爐內(nèi)進行燒結(jié)處理，在1850℃?2000℃條件下燒結(jié)1h?2h，氮氣壓力為9MPa?12MPa，制得大尺寸氮化硅陶瓷球，與現(xiàn)有制備方法相比，可避免燒結(jié)過程中出現(xiàn)的易變形，不致密等缺陷。

31    一種外硬內(nèi)韌氮化硅陶瓷及其制備方法

        所述內(nèi)層的主相為β?Si3N4，優(yōu)選是以88～89.5wt%氮化硅粉體作為原料，10.5～12wt%Al2O3?Er2O3?ZrSi2為燒結(jié)助劑，經(jīng)熱壓燒結(jié)制備得到；所述外層的主相為α?Si3N4，優(yōu)選是以60.5～71.5wt%氮化硅粉體作為原料，以8.5～9.5wt%Al2O3?Nd2O3?LiF為燒結(jié)助劑，以及20～30wt%的TiC作為第二相，經(jīng)二次熱壓燒結(jié)得到。

32    氮化硅陶瓷制品及其制備方法

        該氮化硅陶瓷制品由顆粒材料成型并燒結(jié)制得；燒結(jié)的步驟包括：將氮化硅陶瓷顆粒在壓力為1MPa~5MPa、溫度為1480℃~1520℃的條件下保溫1h~6h后，卸至常壓，升溫至1600℃~1650℃時，加壓至2MPa~5MPa，于1700℃~1800℃下保溫2h~8h；顆粒材料的制備包括以下步驟：將陶瓷組合物、粘結(jié)劑和溶劑混合，得到氮化硅陶瓷漿料；將氮化硅陶瓷漿料進行干燥造粒，得到顆粒材料；按質(zhì)量份數(shù)計，陶瓷組合物由以下組分組成：碳化鋁1~8份、氧化鈰1~8份、氧化鋯1~8份以及氮化硅78~95份；碳化鋁和氧化鋯的質(zhì)量比為(0.2~2):1。該氮化硅陶瓷制品顯金黃色，且金黃色純正，色差較小。

33    一種氮化鋁粉體的制備方法 

        步驟：S1稱取γ?Al2O3微粉，炭黑、分散劑、粘結(jié)劑、催化劑、生物質(zhì)碳源和水混合，得到前驅(qū)體料漿；對所述前驅(qū)體漿料進行噴霧造粒，得到前驅(qū)體造粒粉；S2在氮氣流下，于管式爐中，旋轉(zhuǎn)所述前驅(qū)體造粒粉，并加熱所述前驅(qū)體造粒粉使其發(fā)生反應(yīng)得到氮化鋁原粉；S3在脫碳氣氛下對所述氮化鋁原粉進行脫碳處理，即得。

34    一種高導熱填料用高純氮化鋁粉的制備方法  

        通過氧化鋁粉、石墨粉、助劑、乙醇混合后，球磨得到固液混合物；一部分固液混合物經(jīng)干燥，氮氣下燒結(jié)得到半成品；另一部分固液混合物經(jīng)干燥，燒結(jié)得組合物；將半成品與組合物、助劑、乙醇混合后，球磨，干燥，氮氣下燒結(jié)，再轉(zhuǎn)移至自制溶液中，攪拌均勻后噴霧干燥，得到高導熱填料用高純氮化鋁粉。能夠解決高導熱填料用氮化鋁粉體制備過程的氧雜質(zhì)問題、粒徑問題以及與高導熱基體的相容性問題。

35    一種水基漿料凝膠注模成型制備高導熱氮化硅陶瓷的方法 

        通過添加穩(wěn)定不易揮發(fā)且堿性較強的試劑來提高漿料pH值到一定程度，以緩解漿料中的鎂化合物引起的氮化硅顆粒團聚，來控制漿料粘度在一定范圍，通過凝膠注模成型工藝成型陶瓷素坯后，待坯體經(jīng)干燥、排膠并冷等靜壓增強后在碳熱還原性氛圍的石墨加熱爐中進行氣壓燒結(jié)，得到高導熱氮化硅陶瓷材料。采用該方法制備的高導熱氮化硅陶瓷材料性能優(yōu)越，熱導率可達60W·m?1·K?1以上，抗彎強度可達800MPa以上。

36    一種3D打印用水基氮氧化鋁透明陶瓷漿料及其制備方法  

        所述3D打印用水基氮氧化鋁透明陶瓷漿料包括：Al2O3粉體、AlN粉體、二價金屬氧化物/鹽、稀土氧化物、弱酸、分散劑、增稠劑和水。

37    陶瓷組合物、氮化硅陶瓷材料及其制備方法和陶瓷制品

        組分：氮化硼1～10份；氧化釔1～8份；鈦酸鋁1～8份；以及氮化硅75～95份。該陶瓷組合物，包括特定比例的氮化硼、氧化釔、鈦酸鋁和氮化硅，能在燒結(jié)后呈黑色，且黑色純正，色差較小，且保證陶瓷制品的性能基本不受影響。

38    一種斷裂韌性強的陶瓷材料及制備方法和應(yīng)用    

        屬于陶瓷材料制備技術(shù)領(lǐng)域，陶瓷材料包括：按照各原料組分的體積百分數(shù)：α?Si3N455?75％，TiC5?15％，ZrSi20?15％，納米h?BN@SiO20?15％，Al2O33?7％，Y2O35?7％，其中，納米h?BN@SiO2不為0。通過納米核殼結(jié)構(gòu)的h?BN@SiO2與基體材料形成晶內(nèi)型結(jié)構(gòu)，極大的提高斷裂韌性。

39    氮化硅基陶瓷體、氮化硅基陶瓷表面原位自生成氮化鋯涂層的方法

        工藝簡單、成本低，更加有利于實際生產(chǎn)應(yīng)用的氮化硅基陶瓷體、及氮化硅基陶瓷表面原位自生成氮化鋯涂層的方法。其包括以下步驟：（1）配比原料，包括：氮化硅60?85wt%、二氧化鋯5?30wt%、以及助燒劑5?20wt%；（2）將步驟（1）中配好的原料進行混合均勻；（3）將步驟（2）中得到的混合物進行造粒；（4）將步驟（3）中得到的造粒材料進行壓制成型；（5）將步驟（4）中得到的成型材料放在石墨瓷舟中進行燒結(jié)，所述燒結(jié)過程在惰性氣氛環(huán)境下進行。

40    一種基于納米表面改性和反應(yīng)燒結(jié)氮化硅及其制備方法

        該制備方法主要包括：1)將原始硅粉料進行表面納米改性處理，得到納米表面改性的硅粉料；再通過干壓處理和冷等靜壓處理得到加固的預制坯體；2)將預制坯體進行烘烤干燥處理，得到硅預制件；3)將硅預制件進行反應(yīng)燒結(jié)熱處理得到一種氮化硅。該方法工藝簡單，原料成本低，特別是材料在燒結(jié)后收縮極小，實現(xiàn)近尺寸燒結(jié)，大大降低成本。對硅粉料進行納米表面改性，得到納米表面改性的硅粉料，能夠減少硅粉體顆粒團聚現(xiàn)象的發(fā)生，降低了燒結(jié)反應(yīng)溫度，提高了燒結(jié)速率和燒結(jié)體的強度，提高燒結(jié)陶瓷的致密度和力學性能。

41    一種氮化鋁陶瓷結(jié)構(gòu)件的制備方法 

        步驟1：制備各組件單元所需的AlN材質(zhì)的陶瓷基板；步驟2：將各陶瓷基板加工成滿足精度要求的組件單元；步驟3：選擇組件單元印制銀銅鈦活性漿料；步驟4：將各組件單元組裝焊接成結(jié)構(gòu)件；步驟5：對結(jié)構(gòu)件清洗檢驗。將結(jié)構(gòu)件分割為若干單元小部件，將單元部件印制銀銅鈦活性漿料，再通過焊接工藝組裝為結(jié)構(gòu)件，該方法無需CNC加工，并且單個精度容易控制、一致性好、成品率高、成本低，滿足在?55℃～400℃范圍內(nèi)長期使用等特點。

42    一種Si3N4導熱陶瓷材料的制備方法  

        制備方法包括以下步驟：改性、制備凝膠態(tài)懸浮液、成型、脫水脫脂處理和燒結(jié)。在凝膠態(tài)液體中形成了高均一、痕量石墨烯分布結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了石墨烯的高均一分布，同時實現(xiàn)坯體成型，最終達到活性石墨烯在氮化硅基體中的原位分布，實現(xiàn)對晶界處氧脫除，減少玻璃相、提高α→β相轉(zhuǎn)變率，降低由于直接添加碳由于分布不均引起坯體變形開裂、晶格氧去除效果有限等問題；有效提高了材料的導熱性能和強度。

43    一種梯度層狀結(jié)構(gòu)氮化硅陶瓷的制備方法    

        首先篩選出具有有效地降低氮化硅陶瓷顆粒的折射率差的表面改性劑，增加其固化深度。申請人對比改性前后的氮化硅陶瓷漿料的流變性能、動力學穩(wěn)定性、潤濕性能和光固化性能，揭示了改性氮化硅陶瓷漿料的光固化成形機制。利用該機制改善了氮化硅陶瓷漿料的流變性能、動力學穩(wěn)定性、潤濕性能和光固化性能，能夠制備得到具有高致密度、硬度和斷裂韌性的氮化硅陶瓷。

44    一種氮化硅陶瓷材料及其制備方法  

        為了提高氮化硅陶瓷材料的斷裂韌性，本發(fā)明選用Al2O3和MgO作為燒結(jié)助劑，燒結(jié)過程中Al2O3和MgO與氮化硅原料形成低熔點液相，并在燒結(jié)后以玻璃相存在于陶瓷晶界中或與氮化硅相反應(yīng)形成復雜物相或固溶體。經(jīng)過大量的實驗發(fā)現(xiàn)，在使用特定配比的燒結(jié)助劑條件下，可使氮化硅陶瓷材料的斷裂韌性提升至8.5MPa·m1/2以上，進而提高了氮化硅陶瓷作為口腔修復材料的使用壽命。

45    一種兩步燒結(jié)制備高強高導熱氮化硅陶瓷的方法  

        該方法是將氮化硅粉體和燒結(jié)助劑按一定比例與有機溶劑混合后，經(jīng)過造粒、壓制、脫脂后，首先在低溫、常壓、通氮氣條件下預處理1～5h，隨后在高溫、0.9～10MPa氮氣壓力下進行燒結(jié)。在第一步預處理中，根據(jù)氮化硅粉體氧含量調(diào)節(jié)氧化鎂燒結(jié)助劑含量，利用氧化鎂與氮化硅粉體表面二氧化硅低溫反應(yīng)特性，燒結(jié)前降低坯體氧含量，再進行第二步氣壓燒結(jié)。與未經(jīng)過預處理的燒結(jié)體相比，經(jīng)過兩步燒結(jié)的氮化硅陶瓷具有更高的致密度，總氧含量和第二相含量有明顯減少，可制備熱導率大于90W/m·K，抗彎強度大于750MPa的氮化硅陶瓷。

46    一種熱壓燒結(jié)制備高導熱氮化硅陶瓷的方法 

        該方法是將氮化硅粉體與燒結(jié)助劑按一定比例混合均勻，首先將混合后的粉體在低溫、常壓、通氮氣條件下進行預處理；再經(jīng)過研磨、過篩；隨后在熱壓爐中進行高溫燒結(jié)。經(jīng)過預處理的粉體氧含量有明顯降低，熱壓制備的氮化硅陶瓷熱導率沿壓力方向大于80W/m·K，垂直于壓力方向大于120W/m·K。經(jīng)過處理后的粉體氧含量低，燒結(jié)樣品不僅具有高致密度，第二相分布均勻且含量少，可一步得到高導熱氮化硅陶瓷。該方法可有效減少陶瓷中第二相含量，降低氧對陶瓷導熱性能的影響，制備工藝簡單、高效。為高氧含量氮化硅粉體制備導熱性能優(yōu)異的陶瓷提供方向。

47    一種用廢鎂質(zhì)耐材生產(chǎn)氮化硅鎂新技術(shù)   

        步驟：S1、將廢鎂質(zhì)耐材分類挑選、除雜、破碎后，按質(zhì)量分數(shù)稱取粉狀廢鎂質(zhì)耐材33?43％，并將粉狀廢鎂質(zhì)耐材投入到研磨設(shè)備中進行研磨，將研磨好的粉狀廢鎂質(zhì)耐材存儲備用；S2、按質(zhì)量分數(shù)稱取碳化硅粉35?45％，并將S1中得到的粉狀廢鎂質(zhì)耐材與稱取的碳化硅粉投入到攪拌設(shè)備中混合，本發(fā)明的有益效果是：通過對廢鎂質(zhì)耐材進行破碎，研磨等工藝使廢鎂質(zhì)耐材重新利用，制得氮化硅鎂，節(jié)約了處理廢鎂質(zhì)耐材時所花費的資金，還有利于保護環(huán)境，并且工藝步驟簡單、可操作性強，所需設(shè)備多為常規(guī)設(shè)備，易于采購且造價適中，有利于推廣應(yīng)用。

48    一種光固化氮化硅陶瓷及其具有梯度結(jié)構(gòu)制備方法

        先混合Si3N4粉末和助燒劑形成陶瓷粉體，在陶瓷粉體中加入硬脂酸粉末，形成陶瓷混合粉末，過篩后加入KH560，加入磨球濕磨后干燥過篩待用；再混合聚氨酯、雙酚A、HDDA、IBOMA、DPHA、TPGDA、TMPTA和高折射率樹脂，加入光引發(fā)劑TPO，混勻得到預混液；然后將陶瓷混合粉末和分散劑加入預混液中，攪拌均勻后得到氮化硅陶瓷膏料；最后將氮化硅陶瓷膏料真空除泡后放入打印機料倉內(nèi)，將梯度多孔結(jié)構(gòu)模型輸入后開始打印，采用光固化成型得到具有梯度結(jié)構(gòu)光固化氮化硅陶瓷；本發(fā)明可實現(xiàn)梯度結(jié)構(gòu)中孔隙結(jié)構(gòu)及孔隙率的精確控制，突破模具限制實現(xiàn)定制化結(jié)構(gòu)成型，對高溫腐蝕性流體粒子的過濾分類及功能陶瓷的結(jié)構(gòu)設(shè)計提供捷徑。

49    一種彩色氮化硅陶瓷材料及其制備方法 

        將制備原料濕法研磨，得到濕混合料；所述制備原料包括氮化硅、燒結(jié)助劑、Eu2O3和Dy2O3；將所述濕混合料干燥后篩分，得到混合粉體；將所述混合粉體加熱燒結(jié)，得到所述彩色氮化硅陶瓷材料。在氮化硅材料原有灰色的基礎(chǔ)上進行調(diào)控，得到的黃棕色的氮化硅陶瓷，豐富了氮化硅陶瓷的色彩。同時，能夠有效提升彩色氮化硅陶瓷的致密程度，進而提升其力學性能。由實施例的結(jié)果表明，制備的氮化硅陶瓷具有良好的力學性能及電磁屏蔽性能，可滿足其作為終端通訊設(shè)備背板材料的需求。

50    一種高強度氮化鋁陶瓷基板配方及生產(chǎn)設(shè)備 

        包括載帶輸送部；支架；旋轉(zhuǎn)倉；安裝管；溢流倉；支撐柱；透氣槽；壓板；真空腔；儲料腔；用于在旋轉(zhuǎn)倉旋轉(zhuǎn)時，驅(qū)動壓板朝下移動的離心驅(qū)動部。旋轉(zhuǎn)倉在進行旋轉(zhuǎn)時，壓板朝下移動并擠壓儲料腔內(nèi)的氮化鋁陶瓷基板的漿料，同時漿料受到離心力的作用，使得漿料將朝旋轉(zhuǎn)倉的徑向外側(cè)流動，流動過程中，漿料中的氣泡將被擠壓驅(qū)趕至支撐柱的附近，并從支撐柱上的透氣槽進入真空腔內(nèi)，由于壓板持續(xù)下移的，所以能夠持續(xù)地將漿料中的氣泡擠壓至真空腔內(nèi)，此外漿料持續(xù)受到壓板的擠壓，所以漿料從溢流倉內(nèi)溢流出來的速率不會受到漿料自重的影響，進而提升了流延成型的效率。

51    一種高導熱高強度氮化物陶瓷基板的制作方法

        S1、將氮化硅粉、燒結(jié)助劑、巴基管、磷酸三乙酯和溶劑，用球磨方式進行第一次混合。該高導熱高強度氮化物陶瓷基板的制作方法，通過纖維拔出、橋聯(lián)和裂紋偏轉(zhuǎn)機制，在微裂紋尖端巴基管對裂紋張開產(chǎn)生阻力，由于巴基管的高彈性，在拉伸時會分散一部分的能量，使得裂紋無法繼續(xù)擴展，由此提高了氮化硅陶瓷基板的韌性，同時巴基管進入氮化硅陶瓷材料孔隙中，使得材料致密性提高，同時碳納米管的引入，導致了陶瓷復合材料導熱性能的變化，這是因為燒結(jié)溫度提高促進了燒結(jié)體內(nèi)相轉(zhuǎn)變過程，凈化晶粒，降低晶格缺陷，提高了熱導率。

52    氮化硅燒結(jié)體的連續(xù)制造方法  

        能夠通過使用了β化率高的氮化硅粉末的燒結(jié)連續(xù)地進行氮化硅燒結(jié)體的制造。將收納有含有燒結(jié)助劑和β化率為80％以上、比表面積為7m2/g～20m2/g的氮化硅粉末、且鋁元素的總含量調(diào)整為800ppm以下的被燒成體(1)的燒成用治具(2)供給至連續(xù)燒成爐，在非活性氣體氣氛下和0MPa·G以上且小于0.1MPa·G的壓力下，加熱至1200℃～1800℃的溫度，對氮化硅進行燒結(jié)，該連續(xù)燒成爐具備：在端部具有上述燒成用治具的供給用開閉門(3)和排出用開閉門(4)的密閉式的燒成容器(5)、設(shè)置于上述燒成容器(5)的主體部外周的加熱機構(gòu)(6)、用于將前述燒成用治具向燒成容器內(nèi)供給排出的輸送機構(gòu)、以及用于向燒成容器內(nèi)供給非活性氣體的氣體供給機構(gòu)。

53    高散熱性陶瓷材料及其制備方法和應(yīng)用   

        原料組成：氮化硅：20?30份；氮化鋁：30?35份；納米氧化鎂：1?3份；二氧化鈦：5?8份；氧化鋯：10?15份；氧化釔：1?3份。通過氮化硅、氮化鋁和氧化鋯的共摻雜，在保證高導熱性和散熱性的同時，使得該陶瓷材料還具有較高的斷裂韌性和強度，大大提升了陶瓷材料的性能。

54    微波低溫預處理制備高強度低晶格氧缺陷氮化鋁陶瓷的方法 

        以Y?Ca?Dy復合燒結(jié)助劑作為脫氧動力源，采用微波燒結(jié)對氮化鋁生坯內(nèi)晶粒進行降氧處理，微波頻率為2.45GHz，燒結(jié)溫度為1500～1630℃，燒結(jié)時間為5～10h，以獲得低氧雜質(zhì)(晶格氧低于0.06wt.％)并有一定相對密度的預燒結(jié)坯體。在隨后的燒結(jié)過程中使坯體完全致密化。此方法獲得的氮化鋁陶瓷熱導率210～230W/m·k，晶粒尺寸可控(2～5μm)，抗彎強度高于400MPa。

55    一種添加碳化硅的高導熱氮化硅陶瓷材料及其制備方法 

        將粉末粒度均≤1μm的氮化硅粉末、氧化鎂粉末、稀土氧化物粉末和碳化硅粉末依次加入球磨機中，添加成型劑，以無水乙醇為介質(zhì)球磨混合10～20h，經(jīng)過噴霧造粒、致密化成型、高溫脫膠和高溫及高壓氮氣氣氛壓力燒結(jié)，得到高熱導率的氮化硅陶瓷材料。本發(fā)明摻雜組分碳化硅在高溫和高壓氮氣作用下Si?C鍵被Si?N鍵取代，釋放碳元素，進而與體系中的氧發(fā)生還原反應(yīng)，降低體系氧含量；同時碳化硅轉(zhuǎn)化為主相氮化硅，不會向體系中引入額外雜質(zhì)成分，有效提高氮化硅陶瓷材料的熱導率，且碳化硅粉末為成熟的工業(yè)化產(chǎn)品，化學性能穩(wěn)定，容易獲得，價格低廉。

56    一種氮氧化鋁透明陶瓷的制備方法    

        將質(zhì)量百分比為65?79％的γ?Al＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;粉和21?35％的AlN粉混合，另按其混合物質(zhì)量的0.5?1％和1?5％分別添加燒結(jié)助劑Y＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;粉和MgO粉，球磨混合均勻后干燥過篩，然后模壓成型，在微波燒結(jié)爐中燒結(jié)成坯體，坯體在真空下升溫至800～1000℃保溫2～4小時，然后通入流動氮氣N＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;，再加熱升溫至1600～1700℃保溫2～6小時后隨爐冷卻至室溫，得到氮氧化鋁陶瓷燒結(jié)坯體，經(jīng)過表面研磨和雙面光學拋光即獲得透明的氮氧化鋁陶瓷材料。采用一次燒結(jié)工藝，工藝簡單，燒結(jié)溫度低，對設(shè)備要求不高，獲得的透明材料抗彎強度大于400MPa，2.0mm厚度在400～1400nm的直線透光率大于80％。

57    一種低介電損耗氮化鋁陶瓷材料及其制備方法

        為解決現(xiàn)有技術(shù)下氮化鋁陶瓷材料介電損耗較高的問題，該材料由100份抗水解改性氮化鋁、0.4～1份燒結(jié)助劑、3～5份粘結(jié)劑、0.5～1.5份高溫樹脂、0.2～0.5份分散劑及0.2～0.5份消泡劑混合后干燥、模壓成型、脫脂、燒結(jié)得到。該氮化鋁陶瓷材料的介電損耗低，在13.56MHz的頻率下tanδ小于10×10?4，材料的致密度、強度以及熱導率高；原料中無強腐蝕性物質(zhì)、無毒性物質(zhì)、無對環(huán)境造成污染物質(zhì)產(chǎn)生，符合環(huán)保要求；制備過程簡便，可工業(yè)化生產(chǎn)。

58    一種高導熱氮化硅基板的制備方法  

        步驟：S1、混料：按重量百分比進行混合，其中，80?95wt%Si3N4粉/Si粉、1?10wt%金屬硅化物、1?10wt%含鎂粉末；S2、成型：利用流延、干壓、等靜壓、擠出、軋膜對粉料進行成型；S3、熱處理：成型產(chǎn)品在真空/惰性氣體氛圍下的加熱至900?1350℃進行熱處理，處理時間為1?20h，使金屬硅化物充分分解并與氮化硅粉體表面的SiO2充分反應(yīng)，在氮化硅粉體表面原位生成金屬氧化物；S4、燒結(jié)：通入純度≥99.999%的高純N2和NH3的混合氣體將氣壓升高至0.4?10Mpa后繼續(xù)升溫至1800?1950℃，保溫2?60h燒成；本發(fā)明不引入體系外元素，避免了碳熱還原法所帶來的生成新的雜質(zhì)相的問題；原位生成的Yb2O3增大了與氮化硅粉體的接觸面積，提高了氮化硅的變相驅(qū)動力。

59    一種高導熱氮化硅陶瓷基片的制備方法 

        包括：（1）以硅粉/氮化硅粉體作為原料，與燒結(jié)助劑混合后，得到混合粉體；（2）將所得混合粉體分散在含有分散劑的溶劑中，再加入粘結(jié)劑和塑性劑并混合，得到混合漿料；（3）將所得混合漿料進行噴霧造粒，得到造粒粉體；（4）將所得造粒粉體裝入干袋式等靜壓機的模具并放入干袋式等靜壓機中壓制成型，再經(jīng)脫模，得到基片素坯；（5）將脫模后的基片素坯進行烘干、真空脫粘、氮化處理和燒結(jié)，得到所述高導熱氮化硅陶瓷基片。

60    一種基于缺陷調(diào)控的超高溫陶瓷致密化方法、超高溫陶瓷  

        包括：采用多種合成方法制備得到與每種合成方法對應(yīng)的超高溫陶瓷粉體；計算得到超高溫陶瓷粉體的位錯密度；基于計算得到的粉體的位錯密度，確定多種合成方法分別得到超高溫陶瓷粉體的混合比例；按照所述混合比例，將多種合成方法分別得到的超高溫陶瓷進行混合以調(diào)控超高溫陶瓷粉體缺陷濃度；將混合后的超高溫陶瓷粉體進行燒結(jié)，得到超高溫陶瓷；通過計算位錯密度并利用不同位錯密度的粉體調(diào)控粉體缺陷，制備得到致密度高的超高溫陶瓷。

61    一種光固化氮化鋁陶瓷漿料及其制備方法 

        提供的光固化氮化鋁陶瓷漿料的制備方法，利用聚丙烯酸對氮化鋁粉體進行表面改性處理；將莰酮摻加至光敏樹脂預混液中，而后加入改性處理的氮化鋁粉體，經(jīng)分散即可制得氮化鋁陶瓷漿料。一方面，通過選用適宜分子量的聚丙烯酸對氮化鋁粉體進行改性處理，可有效改善氮化鋁粉體與光敏樹脂預混液的潤濕性；另一方面，選用莰酮對光敏樹脂預混液進行溶脹處理，可有效降低光敏樹脂自身的粘度；改性的氮化鋁粉體與改性的光敏樹脂預混液兩者發(fā)揮協(xié)同作用，可以有效降低陶瓷漿料的粘度，從而制備出高固含量、低粘度的氮化鋁陶瓷漿料，適用于光固化成型方式。

62    一種氮化硅陶瓷材料的提純方法  

        將納米硅粉、氮化硅陶瓷材料、燒結(jié)助劑和磷酸化合物混合進行濕法球磨，得到混合料；將所述混合料在氮氣氣氛中進行燒結(jié)。本發(fā)明中，所述燒結(jié)助劑在氮氣中燒結(jié)時形成氧化鋰，不產(chǎn)生其他固體雜質(zhì)，在燒結(jié)過程中利用活潑的鋰元素輔助Si?N化學鍵的斷裂與生成，提高燒結(jié)過程中氮化硅粉體中的原子擴散系數(shù)，促進氮化硅由α相向β相轉(zhuǎn)變，提高氮化硅粉體的可燒結(jié)性能，且促進β相氮化硅晶粒長大，不僅能夠制備得到氮化硅陶瓷燒結(jié)體，而且由于磷酸化合物的加入，燒結(jié)助劑與磷酸化合物在較低溫度下，使納米硅粉在燒結(jié)過程中氮化生成氮化硅納米線，獲得高純度的氮化硅陶瓷材料。

63    一種高強韌二硼化物-碳化物復相高熵陶瓷的制備方法和應(yīng)用

        解決現(xiàn)有單相高熵陶瓷材料燒結(jié)困難，致密度低和斷裂韌性差，限制了其應(yīng)用的問題。方法：制備二硼化物粉體和碳化鈦的混合粉末；二、熱壓燒結(jié)。一種高強韌二硼化物?碳化物復相高熵陶瓷在核反應(yīng)堆和超高溫領(lǐng)域中應(yīng)用。制備的復相陶瓷的致密度均大于97％，強度和韌性均得到顯著提升，室溫下陶瓷的硬度為35～40GPa，三點彎曲強度為800～1100MPa，斷裂韌性為6～8MPa·m1/2。本發(fā)明可獲得一種高強韌二硼化物?碳化物復相高熵陶瓷。

64    一種高可靠性氮化鋁覆銅陶瓷基板及其制備方法 

        為實現(xiàn)各個單相材料的優(yōu)勢互補，以氮化鋁粉末、氮化硅粉末、燒結(jié)助劑為主料，燒結(jié)制備復合氮化鋁陶瓷基板，其滿足高強度、高導熱、低損耗等要求，綜合性能優(yōu)異，實用性較好。工藝設(shè)計合理，方案操作簡單，陶瓷漿料層和焊料層的存在能夠有效改善A1N與金屬Cu之間的界面潤濕性，使氮化鋁與銅片之間緊密結(jié)合，使得覆銅基板具有高剝離強度及高可靠性優(yōu)點，可適用于半導體制冷器、功率半導體模塊的制備，特別是大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路及大功率LED，具有較高的實用性。

65    可用于氮化鋁陶瓷凈成型的方法   

        步驟：S1，按照比例稱取95wt％氮化鋁粉末、5wt％氧化釔粉末、山梨醇縮水甘油醚，然后按照按體積含量的40％～60％的比例加入非水基有機溶劑；S2，將上述材料充分混合球磨，形成非水基陶瓷漿料；S3，加入四乙烯五胺，再次球磨，然后除泡得到陶瓷漿料，其中，所述山梨醇縮水甘油醚和四乙烯五胺的比例為3～5：1，其中，且所述山梨醇縮水甘油醚和四乙烯五胺的總加入量為陶瓷粉體重量的1～5wt％；S4，將所述陶瓷漿料注進模、然后脫模干燥得到胚體；S5，將所述胚體高溫脫脂；S6，將脫脂后的胚體進行高溫燒結(jié)。

66    一種耐1300℃高溫的聚合物轉(zhuǎn)化陶瓷涂層及制備方法 

        解決或改善了制備陶瓷涂層工藝方法的現(xiàn)有技術(shù)不能滿足大尺寸、精度高工件的需求的技術(shù)問題。該制備方法以聚硅氮烷為前驅(qū)體制備聚合物衍生陶瓷涂層，該陶瓷涂層兼有聚合物涂層的低成本、易施工和耐高溫、耐腐蝕的多重屬性；該耐高溫陶瓷涂層滿足大尺寸、精度高工件的需求。

67    β’-Sialon-AlN-TiC復合陶瓷材料及制備方法  

       其原料以質(zhì)量分數(shù)計包括以下組分：含鈦高爐渣17.21?32.28％，鐵尾礦22.47?28.35％，赤泥19.43?35.82％，還原劑18.2?33.87％。制備工藝流程為：破碎、球磨、干燥、過篩、配碳混勻、模壓成型、碳熱還原氮化和除碳即可得到β’?Sialon?AlN?TiC復合陶瓷材料。獲得的復合粉體具有有良好的耐蝕性、高溫強度和化學性質(zhì)穩(wěn)定。充分發(fā)揮含鈦高爐渣、鐵尾礦和赤泥中元素的回收價值和作用，且工藝簡單，合成的復相陶瓷材料集β’?Sialon、AlN、和TiC的優(yōu)良性能于一身，三者之間優(yōu)勢互補，這為含鈦高爐渣、鐵尾礦和赤泥資源化利用提供了一項有效途徑，提高產(chǎn)品附加值，降低Sialon陶瓷材料生產(chǎn)成本。

68    一種具有良好固化性能的氮化硅陶瓷漿料   

        具體步驟：1)稱取表面改性劑與不同顏色粒徑的氮化硅陶瓷顆?；旌蠑嚢?0?20min，然后干燥制得改性氮化硅陶瓷顆粒；2)將改性氮化硅陶瓷顆粒與稀釋劑混合進行真空攪拌除泡，攪拌得到預混液；3)在預混液中加入質(zhì)量分數(shù)為1?10wt.％的引發(fā)劑進行真空攪拌除泡，攪拌即可，通過合理的級配以及匹配陶瓷粉末的顏色、粒徑分布來實現(xiàn)具有良好固化性能的氮化硅陶瓷漿料。

69    一種氮化硅陶瓷基板及其制備方法 

        步驟：將陶瓷粉體、溶劑、粘結(jié)劑、表面活性劑混合球磨，制備固含量為70～80wt％的陶瓷漿料；其中，所述陶瓷粉體包括氮化硅粉體和燒結(jié)助劑，所述陶瓷粉體中氮化硅粉體的質(zhì)量分數(shù)為88～94wt％；將陶瓷漿料進行流延成型得到氮化硅坯板；將所述氮化硅坯板在空氣環(huán)境中進行排膠處理，排膠溫度為650～850℃，保溫時間為12～24h；將排膠后的氮化硅坯板在保護氣氛中、1950～2000℃下燒結(jié)，即得。制備方法生產(chǎn)效率高、成品率高、成本低，制得的氮化硅陶瓷基板熱導率高、強度高，精度好，尺寸范圍靈活。

70    一種均質(zhì)化大尺寸氮化硅陶瓷平板的制備方法  

        通過將硅溶膠、水溶性大分子有機物、燒結(jié)助劑與酸洗氮化硅陶瓷粉體混合均勻，其中酸洗氮化硅陶瓷粉體包含0.5～0.8μm的顆粒和1～2μm的顆粒，進行球磨后獲得漿料；將所述漿料真空脫氣注入模具后，使其懸浮在液氮中進行充分固化成型，然后脫模得到坯體，坯體經(jīng)干燥、燒結(jié)，得到均質(zhì)化氮化硅基陶瓷平板材料。