《絕緣柵雙極型晶體管制造工藝技術(shù)精選》
緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）：同樣通過(guò)電壓控制電流，使用單一類(lèi)型的載流子。MOSFET具有更高的輸入阻抗和更低的噪聲，且開(kāi)關(guān)速度較快，適用于高頻應(yīng)用。結(jié)構(gòu)上與MOSFET相似，但增加了柵氧層以實(shí)現(xiàn)更好的絕緣。MOSFET也分為N溝道和P溝道，具有增強(qiáng)型和耗盡型兩種類(lèi)型。它具有比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管更高的輸入阻抗（可達(dá)1012Ω以上），并且制造工藝比較簡(jiǎn)單，使用靈活方便，非常有利于高度集成化。應(yīng)用于高頻電路、開(kāi)關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電路等，因其開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、噪聲低，特別適合需要高速開(kāi)關(guān)和高頻響應(yīng)的場(chǎng)合。
本篇是為了配合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策向廣大企業(yè)、科研院校提供絕緣柵雙極型晶體管制造工藝匯編技術(shù)資料。資料中每個(gè)項(xiàng)目包含了最詳細(xì)的技術(shù)制造資料,現(xiàn)有技術(shù)問(wèn)題及解決方案、產(chǎn)品生產(chǎn)工藝、配方、產(chǎn)品性能測(cè)試，對(duì)比分析。資料信息量大,實(shí)用性強(qiáng),是從事新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的必備工具。
本篇系列匯編資料分為為精裝合訂本和光盤(pán)版，內(nèi)容相同，用戶可根據(jù)自己需求購(gòu)買(mǎi)。
GaN作為第三代半導(dǎo)體由于具有高電子飽和漂移速率，寬禁帶，耐高溫，高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，是固態(tài)微波功率器件和功率電子器件未來(lái)的發(fā)展方向。
【內(nèi)容介紹】 本資料收錄了國(guó)內(nèi)外最新GaN基晶體管制造工藝配方,最新專(zhuān)利技術(shù)新成果全文資料，工藝配方詳盡，技術(shù)含量高、從事高性能、高質(zhì)量、GaN基晶體管研究生產(chǎn)單位提高產(chǎn)品質(zhì)量、開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品的重要情報(bào)資料。
【資料內(nèi)容】生產(chǎn)工藝、配方
【資料數(shù)量】62項(xiàng)
【出品單位】國(guó)際新技術(shù)資料網(wǎng)
【電 子 版】1480元（PDF文檔 郵件傳送）
目錄
| 1 | 一種GaN基晶體管及其制作方法和應(yīng)用 | 廈門(mén)市三安集成電路有限公司 |
| 2 | 一種GaN晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法 | 安徽大學(xué) |
| 3 | GaN晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器的合封結(jié)構(gòu)及合封方法 | 上海燁映微電子科技股份有限公司 |
| 4 | 具有傾斜柵極場(chǎng)板的GaN半導(dǎo)體功率晶體管和制造方法 | 英飛凌科技加拿大公司 |
| 5 | 基于薄膜晶體管技術(shù)的單片集成GaN共源共柵結(jié)構(gòu) | 西安電子科技大學(xué) |
| 6 | 具有雙柵結(jié)構(gòu)的p-GaN柵極氮化鎵高電子遷移率晶體管 | 北京大學(xué) |
| 7 | 一種增強(qiáng)型GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室 |
| 8 | 一種具有GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)的GaN基絕緣柵雙極型晶體管 | 東南大學(xué) |
| 9 | 基于超薄AlN緩沖層和SiN歐姆接觸層的GaN高電子遷移率晶體管及制作方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 10 | p-GaN柵高電子遷移率晶體管模型及其建模方法 | 東南大學(xué);無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司 |
| 11 | 具有階梯式金屬場(chǎng)板的GaN半導(dǎo)體功率晶體管及制造方法 | 英飛凌科技加拿大公司 |
| 12 | 常關(guān)型極化超結(jié)GaN基場(chǎng)效應(yīng)晶體管和電氣設(shè)備 | 株式會(huì)社POWDEC |
| 13 | GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 京東方華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 14 | GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 京東方華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 15 | 一種鐵電極化耦合的GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管 | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所 |
| 16 | 一種凹槽型肖特基源p-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 17 | 一種具有P-GaN源極擴(kuò)展的GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 18 | 一種超晶格柵極的GaN高電子遷移率晶體管 | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所 |
| 19 | 具有臺(tái)階P型GaN半包圍MIS柵的高電子遷移率晶體管及制備方法 | 重慶郵電大學(xué) |
| 20 | 一種N面GaN/ScAlGaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 21 | 一種GaN襯底表面無(wú)損傷生長(zhǎng)金剛石膜的方法以及GaN基高電子遷移率晶體管 | 西安交通大學(xué) |
| 22 | 具有主GaN功率晶體管和GaN電流感測(cè)晶體管的GaN管芯 | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 23 | 一種單片集成的全GaN共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 24 | 具有增強(qiáng)型折疊形狀的AlGaN/GaN MIS高電子遷移率晶體管及制作方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 25 | 具有高閾值電壓的高壓縱向GaN高溝道電子遷移率晶體管 | 電子科技大學(xué) |
| 26 | 一種GaN高電子遷移率晶體管結(jié)構(gòu)及制作方法 | 天津市濱海新區(qū)微電子研究院 |
| 27 | 一種GaN基混合柵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 北京大學(xué) |
| 28 | 一種GaN基納米尺度肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管 | 長(zhǎng)沙理工大學(xué) |
| 29 | 一種具有P型GaN柵增強(qiáng)型GaN晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法 | 西安電子科技大學(xué);西安電子科技大學(xué)廣州研究院 |
| 30 | 一種高壓橫向GaN高電子遷移率晶體管 | 江蘇希爾半導(dǎo)體有限公司;樂(lè)山希爾電子股份有限公司;樂(lè)山嘉洋科技發(fā)展有限公司 |
| 31 | 具有漸變背勢(shì)壘緩沖層InAlN/GaN高電子遷移率晶體管及制作方法 | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 32 | 一種基于平面斜柵結(jié)構(gòu)的高線性GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 33 | 基于Fin結(jié)構(gòu)的GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 34 | 一種具有肖特基島結(jié)構(gòu)的抗單粒子P-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 35 | 一種具有埋層結(jié)構(gòu)的抗單粒子P-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 36 | 一種增強(qiáng)型GaN高電子遷移率晶體管及制備方法 | 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 |
| 37 | 一種基于P型氮化物隔離的P-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 38 | 一種異質(zhì)結(jié)注入的溝槽型GaN絕緣柵雙極型晶體管 | 重慶郵電大學(xué) |
| 39 | p-GaN高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 無(wú)錫先瞳半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 40 | 一種高線性度GaN晶體管及制備方法 | 廈門(mén)市三安集成電路有限公司 |
| 41 | 具有垂直AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 江蘇芯港半導(dǎo)體有限公司 |
| 42 | 一種具有n-GaN二次外延層的GaN基高電子晶體管及其制作方法 | 上海格晶半導(dǎo)體有限公司 |
| 43 | 降低襯底漏電流的GaN基JFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法 | 南京大學(xué) |
| 44 | 一種抗單粒子加固的P-GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 中國(guó)空間技術(shù)研究院 |
| 45 | 一種具有GaN基多溝道凹槽MIS結(jié)合PN結(jié)柵的垂直晶體管及其制作方法 | 上海格晶半導(dǎo)體有限公司 |
| 46 | 一種AlGaN/GaN垂直型高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 47 | 一種AlGaN/GaN垂直型高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 北京芯可鑒科技有限公司;北京智芯微電子科技有限公司 |
| 48 | 提高抗輻照能力和耐氫特性的GaN基高電子遷移率晶體管 | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 49 | GaN襯底晶體管器件及其制備方法 | 浙江芯科半導(dǎo)體有限公司 |
| 50 | 具有高功率優(yōu)值與優(yōu)異導(dǎo)通特性的GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管 | 江蘇芯唐微電子有限公司 |
| 51 | 一種低歐姆接觸GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學(xué);西安電子科技大學(xué)廣州研究院 |
| 52 | GaN基增強(qiáng)型功率晶體管 | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 |
| 53 | 一種N襯底溝槽型GaN絕緣柵雙極型晶體管 | 重慶郵電大學(xué) |
| 54 | 結(jié)型積累層增強(qiáng)型AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 55 | GaN基增強(qiáng)型功率晶體管的制備方法 | 捷捷半導(dǎo)體有限公司;中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 |
| 56 | 基于離子注入的抗單粒子p-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 57 | 基于P型GaN漏電隔離層的同質(zhì)外延氮化鎵高電子遷移率晶體管及制作方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 58 | 基于原位生長(zhǎng)MIS結(jié)構(gòu)的P-GaN高電子遷移率晶體管及制備方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 59 | GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管 | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 60 | 一種傾斜式GaN HEMT集成散熱晶體管及其制備方法 | 深圳大學(xué) |
| 61 | 基于AlGaSbN/GaN異質(zhì)結(jié)的高電子遷移率晶體管及制備方法 | 西安電子科技大學(xué) |
| 62 | GaN基高電子遷移率晶體管、歐姆金屬電極及其制備方法 | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 |