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《絕緣柵雙極型晶體管制造工藝技術精選》

           
           緣柵型場效應管（MOSFET）：同樣通過電壓控制電流，使用單一類型的載流子。MOSFET具有更高的輸入阻抗和更低的噪聲，且開關速度較快，適用于高頻應用。結構上與MOSFET相似，但增加了柵氧層以實現(xiàn)更好的絕緣。MOSFET也分為N溝道和P溝道，具有增強型和耗盡型兩種類型。它具有比結型場效應管更高的輸入阻抗（可達1012Ω以上），并且制造工藝比較簡單，使用靈活方便，非常有利于高度集成化。應用于高頻電路、開關電源、驅動電路等，因其開關速度快、輸入阻抗高、噪聲低，特別適合需要高速開關和高頻響應的場合。    

           本篇是為了配合國家產業(yè)政策向廣大企業(yè)、科研院校提供絕緣柵雙極型晶體管制造工藝匯編技術資料。資料中每個項目包含了最詳細的技術制造資料,現(xiàn)有技術問題及解決方案、產品生產工藝、配方、產品性能測試，對比分析。資料信息量大,實用性強,是從事新產品開發(fā)、參與市場競爭的必備工具。       

           本篇系列匯編資料分為為精裝合訂本和光盤版，內容相同，用戶可根據(jù)自己需求購買。