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項目介紹：

１    一種單晶金剛石晶格外延補償方法

       通過控制在金剛石基片生長過程中，摻入硼源和硅源，以對所述金剛石晶體的基體進(jìn)行表面晶向補償，修復(fù)金剛石基體上的表面缺陷，能夠獲得高品質(zhì)的金剛石晶體，同時提高了金剛石晶體的強度，從而有效解決了現(xiàn)有生成金剛石缺陷率高成品率低的問題。

２    北京科技大學(xué)研制；基于側(cè)面鍵合拼接生長大尺寸單晶金剛石的方法

       屬于金剛石半導(dǎo)體生長領(lǐng)域。通過側(cè)面鍵合，對單晶金剛石籽晶進(jìn)行拼接處理，形成馬賽克拼接襯底，并在襯底上外延生長ＣＶＤ金剛石，籽晶結(jié)合緊密，可操作性強，襯底拋光后高度差小，表面狀態(tài)相近利于大面積生長。

３    一種單晶金剛石的制備方法

       包括以下步驟：準(zhǔn)備基板臺，將酸洗后的籽晶清洗干凈、吹干后放入基板臺中，再將基板臺放進(jìn)沉積腔體中刻蝕；刻蝕完成后，通入甲烷，在溫度為８５０～９５０℃，進(jìn)行低溫生長；在溫度為９５０～１２００℃進(jìn)行高溫生長；生長完成后，在高溫生長溫度的基礎(chǔ)上再次升溫１００～１５０℃，保溫１～２ｈ，然后冷卻至室溫，得單晶金剛石。制備方法能提升單晶金剛石生長面的平整度，減小應(yīng)力，減緩籽晶邊緣多晶生長，提高單次生長高度，可大批量制備中高品質(zhì)高平整度單晶金剛石。

４    一種用于提高ＣＶＤ單晶金剛石生長數(shù)量的單晶金剛石制造方法

       針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提出了一種用于提高ＣＶＤ單晶金剛石生長數(shù)量的單晶金剛石制造方法，通過對生長過程加以控制，該方法極大的提高了生產(chǎn)效率，解決了ＣＶＤ單晶片單次生長數(shù)量少、效率低的問題，為單晶金剛石的工業(yè)化生產(chǎn)提供穩(wěn)定保障，具有較高的發(fā)展前景和經(jīng)濟價值。

５    一種大尺寸ＨＰＨＴ金剛石單晶片同質(zhì)外延生長方法

       以大尺寸ＨＰＨＴ單晶片作為晶種，采用ＣＶＤ法同質(zhì)外延生長，通過控制生長初期的等離子刻蝕條件和ＣＨ４的添加方式，并合理設(shè)置ＣＨ４的添加濃度和保持時間，大幅度降低了ＨＰＨＴ單晶片表面因缺陷密度高易形成多晶雜質(zhì)的概率，實現(xiàn)生長表面狀態(tài)的順利過渡，保證了結(jié)晶質(zhì)量和生長時間。該方法直接解決大尺寸ＨＰＨＴ單晶片生長難度大的難題，而且經(jīng)激光切割和拋光處理后，原ＨＰＨＴ單晶片和分離的ＣＶＤ單晶片均可用于再次生長，重復(fù)利用率高，也證明了制備的ＣＶＤ單晶片質(zhì)量良好穩(wěn)定。

６    一種切割面直接生長制備ＣＶＤ單晶金剛石的工藝

       通過激光切割精加工的方式降低單晶金剛石的表面粗糙度，并使用ＣＯ２在高溫下對切割面進(jìn)行刻蝕，促進(jìn)生長表面的“平坦”化，以便取代常規(guī)的表面拋光工藝，實現(xiàn)晶種的直接生長，提高生產(chǎn)效率。制備ＣＶＤ單晶金剛石的工藝，采用特殊的工藝方法對生長過程加以控制，省去了拋光處理的過程，提高了生產(chǎn)效率，為單晶金剛石的工業(yè)化生產(chǎn)提供穩(wěn)定保障。

７    一種化學(xué)氣相沉積制備單晶金剛石的方法

       對單晶金剛石籽晶進(jìn)行氧等離子體刻蝕，再將光刻膠溶液、有機硼化合物、單晶金剛石籽晶混合，超聲振蕩使其均勻分散得到混合液，使混合液均勻分布于襯底基板上，襯底基板烘干后，將其放入氣相沉積腔室中，將腔室抽真空，啟動微波，設(shè)定功率和襯底基板溫度后，通入甲烷、氮氣和氫氣，進(jìn)行金剛石生長，能夠提高所生成單晶金剛石的質(zhì)量和單晶金剛石的生長速率，減少多晶點的產(chǎn)生，更有利于金剛石晶體的生長，提高單晶金剛石表面光滑度，改善表面缺陷。

８    一種ＭＰＣＶＤ法生產(chǎn)單晶金剛石的方法

       包括以下步驟：步驟一：關(guān)閉微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備；步驟二：將單晶金剛石放至激光雕刻機上，將含有多晶雜質(zhì)的單晶金剛石以設(shè)定的層厚自上向下進(jìn)行分層，用激光雕刻機自上向下逐層掃描所在層的多晶雜質(zhì)并聚焦蝕除多晶雜質(zhì)，其中，激光雕刻機的焦點在蝕除上一層的多晶雜質(zhì)后相對于單晶金剛石下行所述層厚后繼續(xù)掃描并蝕除下層的多晶雜質(zhì)，直至將單晶金剛石頂部覆蓋的多晶雜質(zhì)全部蝕除。

９    一種單晶金剛石及其ＭＰＣＶＤ制備方法

       包括：提供多個晶種，各晶種為薄片狀的正多邊形的金剛石籽晶，正多邊形的邊數(shù)大于四；將多個晶種緊密地平鋪在微波等離子體裝置的基片臺上，以鋪滿基片臺的有效生長區(qū)域；對相鄰晶種之間的接壤區(qū)域進(jìn)行刻蝕，以形成凹槽，并在凹槽內(nèi)形成填充結(jié)構(gòu)；以及采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積法在多個晶種的上表面同質(zhì)外延生長多個單晶金剛石。

１０ 一種ＭＰＣＶＤ單晶金剛石生長鉬托及單晶金剛石的生長方法

        屬于氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，包括：鉬托底座以及分體的鉬環(huán)，鉬環(huán)層疊置于鉬托底座上，且其外表面不凸出于鉬托底座的外表面，鉬環(huán)具有外接于金剛石襯底的通孔。能夠解決金剛石襯底與卡槽側(cè)壁的面面接觸導(dǎo)致散熱不均、結(jié)碳層難于清理、及金剛石襯底移動的問題。鉬托結(jié)構(gòu)簡單，便于操作，在金剛石生長過程中，散熱均勻，成本低廉，便于清潔，解決了在單晶金剛石生長時存在的一系列問題，對于研究高質(zhì)量單晶金剛石的生長具有重大意義。

１１ 一種ＭＰＣＶＤ法批量生產(chǎn)金剛石單晶的方法

        鉬質(zhì)基片臺，通過在鉬質(zhì)基片臺背面開設(shè)環(huán)槽和散熱槽，能夠降低鉬質(zhì)基片臺邊緣部位的散熱效果，顯著降低微波等離子體化學(xué)氣相沉積金剛石單晶過程中單晶金剛石籽晶的溫差，使得金剛石單晶批量化正式生長中生產(chǎn)效率及生長質(zhì)量得到了極大的提高，有較好的工業(yè)應(yīng)用價值。

１２ 哈爾濱工業(yè)大學(xué)研制；--種ＭＰＣＶＤ單晶金剛石拼接生長方法

        為了解決拼接單晶金剛石材料接縫難處理、拼接接縫性質(zhì)較差的問題。方法一、將多個單晶金剛石籽晶放置于籽晶托盤的方形籽晶墊片上；二、通入氫氣并啟動微波發(fā)生器產(chǎn)生等離子體；三、向反應(yīng)艙內(nèi)通入氧氣和氬氣，保持籽晶溫度為１０００?１２００℃，進(jìn)行刻蝕處理；四、將預(yù)刻蝕處理后的單晶金剛石籽晶刻蝕面朝上放置于生長樣品托盤上；五、通入氫氣并啟動微波發(fā)生器產(chǎn)生等離子體；六、促進(jìn)金剛石籽晶邊緣刻蝕臺階區(qū)域的橫向生長連接，完成單晶金剛石拼接生長。

１３ 一種可重復(fù)利用襯底異質(zhì)外延金剛石材料的方法

        包括以ＭｇＯ襯底為基礎(chǔ)襯底，通過光刻和刻蝕制備金字塔形狀的ＭｇＯ襯底，并通過高溫濺射   將金屬Ｉｒ結(jié)合，形成Ｉｒ／ＭｇＯ復(fù)合襯底，通過在Ｉｒ／ＭｇＯ復(fù)合襯底上完成異質(zhì)外延金剛石的生長，最后，Ｉｒ／ＭｇＯ復(fù)合襯底連同外延金剛石一并從高溫狀態(tài)快速降溫，利用Ｉｒ／ＭｇＯ復(fù)合襯底和外延金剛石熱膨脹系數(shù)的不同，使二者脫離，以完成異質(zhì)外延金剛石的制備，并達(dá)到Ｉｒ／ＭｇＯ復(fù)合襯底可重復(fù)利用的目的。有助于制備人為可控厚度，表面均勻平坦，可重復(fù)利用襯底異質(zhì)外延金剛石材料。

１４ 一種應(yīng)用于ＭＰＣＶＤ大尺寸金剛石多晶的剝離方法

        將在ＭＰＣＶＤ生長腔室內(nèi)制備完成的帶有多晶襯底的金剛石多晶放入激光切割機中進(jìn)行邊緣環(huán)切，將環(huán)切完成的帶有多晶襯底的金剛石多晶再次放入ＭＰＣＶＤ生長腔室內(nèi)，開機運行多晶生長工藝至平穩(wěn)生長階段，此時保持腔室最大生長壓力，保持此階段５～１０分鐘，隨后轉(zhuǎn)入快速降溫停機過程，此過程的停機時間比正常停機時間縮短５０％～６０％；生長完成的金剛石多晶與多晶襯底完整的分離。可有效提升剝離多晶的完整程度，提高獲得多晶的質(zhì)量。

１５ 西安電子科技大學(xué)研制；一種單晶金剛石及制備方法

        制備方法在晶面取向均一的多晶金剛石表面即可形核，避免傳統(tǒng)單晶金剛石異質(zhì)外延過程中形核階段對襯底直流偏壓的需要，且所形成的單晶金剛石晶體取向均一，質(zhì)量較高，從而實現(xiàn)了與現(xiàn)有設(shè)備的兼容，降低了工藝復(fù)雜度，提高了成品率。

１６ 六號元素技術(shù)有限公司；沃里克大學(xué)研制；一種形成金剛石產(chǎn)品的方法 

        提供金剛石材料并且在該材料中形成包含ｓｐ２鍵合碳的損傷層。損傷層的存在限定了在損傷層上方并與損傷層接觸的第一金剛石層以及在損傷層下方并與損傷層接觸的第二金剛石層。電化學(xué)刻蝕所述損傷層以便將其與第一層分離，其中在含有離子的溶液中進(jìn)行電化學(xué)刻蝕，該溶液的電導(dǎo)率為至少５００μＳ ｃｍ?１，并且其中所述離子能夠在電解期間形成自由基。還描述了金剛石產(chǎn)品。

１７ 一種金剛石生長方法

        生長方法包括如下步驟：Ｓ１、選取金剛石籽晶，Ｓ２、選取陪料，Ｓ３、金剛石籽晶轉(zhuǎn)移，Ｓ４、抽真空，Ｓ５、金剛石生長，Ｓ６、取出金剛石成品。陪料包圍金剛石籽晶，金剛石籽晶有一部分露出陪料，陪料的導(dǎo)熱率比金剛石低，陪料的存在能減少金剛石生長面與非生長面之間的溫差，避免金剛石在生長過程中由于局部溫差過大而產(chǎn)生應(yīng)力或生長出多晶，陪料與金剛石籽晶一起保持振動或轉(zhuǎn)動，使得金剛石籽晶的不同表面都有機會接觸包含碳源的等離子體，便于金剛石籽晶在三維方向連續(xù)生長。

１８ 一種單晶金剛石的培育方法

        包括對人體頭發(fā)依次進(jìn)行提純、破碎、分散、碳化、除雜、冷凍干燥處理，得到毛發(fā)微粒碳質(zhì)；按照質(zhì)量比為的（１０～５０）：１：１０００分別稱取所述毛發(fā)微粒碳質(zhì)、金剛石籽晶和高純水，然后將稱取的所述毛發(fā)微粒碳質(zhì)、金剛石籽晶均勻分散在所述高純水中，形成原料混合液；采用液中放電法對所述原料混合液進(jìn)行處理，在硅襯底上培育單晶金剛石。培育方法有助于消除合成金剛石單晶生長過程中的非晶碳，提高金剛石純度，可最大程度提高金剛石單晶質(zhì)量以及達(dá)到金剛石單晶高速率生長的效果。

１９ 一種大尺寸單晶金剛石及其制備方法

        有效解決了由小尺寸單晶金剛石不能直接外延生長為大尺寸單晶金剛石以及外延過程中易產(chǎn)生多晶的問題；所制得的制備的到的大尺寸單晶金剛石晶體均勻度高，整體性強。

２０ 用于含裂紋籽晶的ＭＰＣＶＤ單晶金剛石的生長方法

        為了解決ＭＰＣＶＤ單晶金剛石同質(zhì)外延生長方法中含裂紋籽晶生長易碎裂問題。能夠?qū)θ笨趥?cè)面進(jìn)行有效處理并促進(jìn)橫向生長，使得含裂紋籽晶也能夠被用于高品質(zhì)單晶生長，減少了籽晶的浪費并降低了生產(chǎn)成本。

２１ 一種單晶金剛石生長用沉積基底及單晶金剛石的制造方法

單晶金剛石生長用沉積基底，結(jié)構(gòu)包括：第一層為帶圖案的硅基底；第二層為過度層；第三層為金屬銥層。其次，本申請公開了單晶金剛石生長用基底的預(yù)處理方法：ａ．刻蝕帶圖案的硅基底；ｂ．磁控濺射：過渡層濺射，濺射厚度為４０ｎｍ?０．２μｍ，金屬銥濺射，厚度為５０?２００ｎｍ；ｃ．拋光，對所述金屬銥層進(jìn)行機械拋光，除去凸起部分的金屬銥；ｄ，清洗，依次用丙酮、無水乙醇、去離子水超聲清洗５?１０ｍｉｎ。

２２ 一種金剛石及其合成工藝

        包括選擇表面平整的單晶金剛石作為籽晶，其生長表面為（１００）面，對生長面進(jìn)行拋光處理。Ｓ２．對籽晶進(jìn)行清洗處理，然后放入微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備腔體中；Ｓ３．向腔體通入Ｈ２，Ｈ２流量為１００?１０００標(biāo)準(zhǔn)毫升／分鐘，對籽晶進(jìn)行刻蝕；Ｓ４．刻蝕完成后，向腔體通入碳源，碳源與Ｈ２體積比為１％?１２％，進(jìn)行穩(wěn)定的生長，每穩(wěn)定生長５０?１９９小時，將碳源濃度降低０．１％?０．５％，其他工藝參數(shù)保持不變，可一次性生長至目標(biāo)厚度，保證生長出的金剛石產(chǎn)品達(dá)到低缺陷密度、光學(xué)性能均勻一致。

２３ 一種電子級金剛石的制備方法

        包括對金剛石籽晶進(jìn)行微波等離子體刻蝕處理，得到刻蝕預(yù)處理籽晶；在所述刻蝕預(yù)處理籽晶的（１００）面，微波等離子體輔助ＣＶＤ生長單晶金剛石過渡層；在所述單晶金剛石過渡層表面微波等離子體輔助ＣＶＤ生長電子級金剛石。的方法采用分步生長的方式，首先生長出一定厚度的過渡層單晶金剛石，單晶金剛石過渡層能夠?qū)⒂捎诮饎偸丫бr底的缺陷修正，再采用微波等離子體輔助ＣＶＤ生長電子級金剛石，最終制備出雜質(zhì)含量低于２ｐｐｍ的電子級單晶金剛石材料。

２４ 一種金剛石的生長方法

        采用凝聚態(tài)碳源代替氣態(tài)碳源，除了提供初始條件外，在金剛石生長過程中不需要再通入工藝氣體，只需要激發(fā)凝聚態(tài)碳源形成適合金剛石生長的等離子體區(qū)域；激發(fā)態(tài)的碳源在預(yù)先放置的誘導(dǎo)晶種上沉積并同質(zhì)外延生長金剛石。該方法拓展碳源取材范圍，節(jié)約能源，避免工藝氣體的浪費，便于金剛石的連續(xù)生長。

２５ 國立大學(xué)研制法人長岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)研制；學(xué)校法人早稻田大學(xué)研制；涉及金剛石形成用結(jié)構(gòu)體、及金剛石形成用結(jié)構(gòu)體的制造方法

        提供用于形成高品質(zhì)的單晶金剛石的金剛石形成用結(jié)構(gòu)體、及該結(jié)構(gòu)體的制造方法。金剛石形成用結(jié)構(gòu)體（１０）由基底基板（１１）和在基底基板（１１）上形成的Ｉｒ薄膜（１２）構(gòu)成?；谆澹ǎ保保┑臒崤蛎浵禂?shù)為金剛石的熱膨脹系數(shù)的５倍以下，并且基底基板（１１）的熔點為７００℃以上。Ｉｒ薄膜（１２）的Ｘ射線衍射圖案中的峰的角度與基底基板（１１）的Ｘ射線衍射圖案中的峰的角度不同。

２６ 一種微波ＣＶＤ法控制多晶金剛石晶粒尺寸的生長方法

        通過分時間段逐步提高碳源濃度和氧氣濃度，以階梯性地提高金剛石的形核率來控制金剛石晶粒尺寸的大小，從而提升金剛石膜的質(zhì)量；同時，還可階梯地提高金剛石膜的生長速率，降低外延層的晶格缺陷，從而可減小生長應(yīng)力，獲得完整無裂紋的金剛石膜。

２７ 一種提高單晶金剛石質(zhì)量的方法

        包括在生長之前，獲取生長爐內(nèi)的漏氣率，并判斷漏氣率的實測值是否在標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定區(qū)間內(nèi)，以確定在生長過程中是否通入氮氫混合氣體；當(dāng)漏氣率的實測值大于最大標(biāo)準(zhǔn)值時，不通入氮氫混合氣體直至生長結(jié)束；當(dāng)漏氣率的實測值小于最大標(biāo)準(zhǔn)值時，在生長開始時向生長爐內(nèi)通入氮氫混合氣體，直至生長結(jié)束；且隨著漏氣率的實測值在小于漏氣率的最大標(biāo)準(zhǔn)值的區(qū)間范圍內(nèi)的降低，則通入氮氫混合氣體的含量逐漸增加。獲得單晶晶體生長機制為階梯式的金剛石，不僅多晶點少且表面光滑、無小丘且無缺陷。

２８ 吉林大學(xué)研制；一種大尺寸單晶金剛石拼接生長方法

        首先選?。逼ǎ保埃埃┤∠虻膯尉Ы饎偸鳛橐r底模板，在襯底模板表面生長單晶金剛石外延層并切割剝離，重復(fù)此操作獲得多片晶體取向嚴(yán)格一致的高質(zhì)量單晶金剛石外延片；研磨、拋光、清洗后放入ＣＶＤ設(shè)備中生長１～４ｈ，以觀察樣品表面臺階流生長方向；然后將外延片沿臺階流生長方向平行的方式進(jìn)行排列，作為拼接襯底，在拼接襯底表面生長單晶金剛石外延層，并切割剝離，得到大尺寸高質(zhì)量單晶金剛石。提高了單晶金剛石拼接生長的尺寸極限。

２９ 太原理工大學(xué)研制；一種同質(zhì)／異質(zhì)混合外延生長大尺寸單晶金剛石的制備方法

        將小尺寸單晶金剛石晶種邊緣研磨拋光成平直表面；將單晶金剛石晶種放入ＹＳＺ單晶晶片襯底槽內(nèi)，在該襯底表面外延生長ＹＳＺ單晶薄膜緩沖層；將ＹＳＺ單晶薄膜減薄拋光至平整表面并顯露出鑲嵌單晶金剛石晶種和ＹＳＺ邊框的復(fù)合襯底模板；在復(fù)合襯底表面外延生長一層銥單晶薄膜，并對銥薄膜處理以形成柵格化復(fù)合襯底；最后在柵格化復(fù)合襯底表面外延生長單晶金剛石。

３０ 一種金剛石團(tuán)簇及其制備方法

        該金剛石團(tuán)簇包括核芯、圍繞所述核芯長滿的區(qū)域，所述區(qū)域包含有從所述核芯向外延伸的多個金剛石微晶，多個所述金剛石微晶的截面積隨著所述金剛石微晶與所述核芯的距離的增加而增加，所述核芯的微晶數(shù)量隨著增加。金剛石團(tuán)簇由生長中心粒子，以產(chǎn)生選擇和控制或調(diào)整結(jié)構(gòu)的簇的適當(dāng)選擇可能，金剛石團(tuán)簇可用于磨料顆粒應(yīng)用中，例如研磨，鋸切，切割，車削，銑削，鏜孔或拋光。

３１ 吉林大學(xué)研制；一種拼接生長金剛石單晶的方法

        以金剛石單晶作為籽晶，將２～２５片籽晶拼接在一起得到金剛石單晶襯底，在拼接縫處通過磁控濺射或者真空鍍膜濺射一層銥?zāi)?；利用微波等離子體化學(xué)氣相沉積（ＭＰＣＶＤ）設(shè)備在濺射銥?zāi)さ慕饎偸瘑尉бr底的表面外延生長完整的金剛石單晶外延層，得到金剛石單晶材料，生長面為（１００）晶面。得到高質(zhì)量的大面積金剛石單晶片。

３２ 吉林大學(xué)研制；一種生長大面積金剛石單晶的方法

        在清洗過的襯底表面先生長一層（１００）取向金剛石織構(gòu)層；對生長的（１００）金剛石織構(gòu)層進(jìn)行拋光，用磁控濺射或者真空鍍膜方法在拋光的金剛石織構(gòu)層上沉積銥納米膜，然后在沉積了銥納米膜的金剛石織構(gòu)層上繼續(xù)生長，利用金剛石生長過程中的橫向生長，得到金剛石單晶外延層。解決了金剛石單晶生長面積小的問題，具有較高的發(fā)展前景跟經(jīng)濟價值。

３３ 哈爾濱工業(yè)大學(xué)研制；提高金剛石異質(zhì)外延形核均勻性的方法

        屬于異質(zhì)外延單晶金剛石制備領(lǐng)域，它為了解決常規(guī)ＢＥＮ工藝下偏置電流水平較低，導(dǎo)致金剛石異質(zhì)外延形核的均勻性較差的問題。提高形核均勻性的方法：一、在襯底上沉積Ｉｒ薄膜，然后在退火后的復(fù)合襯底的背面和側(cè)面沉積金膜；二、用直流偏壓增強形核工藝在樣品托上沉積金剛石薄層；三、通入氫氣，激活等離子體，通入甲烷氣體，控制甲烷的體積分?jǐn)?shù)，開啟直流偏壓電源，進(jìn)行偏壓增強形核，然后降低甲烷濃度，開始進(jìn)行金剛石外延生長，直至生長結(jié)束。

３４ 北京科技大學(xué)研制；一種基于銥?石墨烯結(jié)構(gòu)化緩沖層的單晶金剛石外延生長方法

        利用磁控濺射法在金剛石上沉積銥?zāi)?，隨后對該金剛石／銥疊層襯底進(jìn)行周期性圖形化處理，再利用磁控濺射法沉積鎳膜以填補非圖形化區(qū)域；隨后對金剛石進(jìn)行真空退火，使得金剛石通過鎳催化作用發(fā)生相變，經(jīng)過相變形成的碳溶解在鎳中并在其表面形成石墨烯。利用銥?石墨烯復(fù)合圖形化結(jié)構(gòu)緩解襯底與金剛石之間的晶格失配及熱膨脹失配，接著采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在偏壓條件下加速金剛石形核并擴展合并，實現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量自支撐單晶金剛石的制備。

３５ 一種靜態(tài)生長單晶金剛石的制備方法

        將籽晶放置入腔體中，在腔體首先通入氫氣充滿腔體，產(chǎn)生等離子體；通入含碳?xì)庠催M(jìn)行金剛石的生長，金剛石生長過程中間斷的通入含碳?xì)庠醋鳛檠a充，保證腔體維持一定的壓力，籽晶生長，完成制備。采用氫氣整體充滿腔體，即氫氣作為金剛石反應(yīng)的催化劑，在腔體內(nèi)是一定的，甲烷是補充的，甲烷的利用率達(dá)到１００％。節(jié)約成本，合成質(zhì)量大大提高，以往動態(tài)過程中會混入氣體雜質(zhì)，導(dǎo)致純度不夠，現(xiàn)在可以完全避免氣體雜質(zhì)的引入。

３６ 一種減小單晶金剛石內(nèi)應(yīng)力的處理方法

        包括以下步驟：金剛石籽晶的準(zhǔn)備；單晶金剛石的生長?高溫退火處理：金剛石籽晶進(jìn)行生長與高溫退火處理，每生長一次后進(jìn)行高溫退火一次，生長和高溫退火處理交替進(jìn)行，高溫退火次數(shù)為２～５次，直至單晶金剛石生長到５．０?５．５ｍｍ；單晶金剛石的高溫退火處理條件：高溫退火溫度為１０００?２０００℃，時間為３０?９０ｍｉｎ。方法操作簡單、易于實現(xiàn)，簡化了工藝流程，節(jié)約時間和成本，制得的單晶金剛石具有內(nèi)應(yīng)力小、表面質(zhì)量以及內(nèi)部質(zhì)量高、裂紋少以及成品率高的優(yōu)點。

３７ 吉林大學(xué)研制；一種合成硼氫共摻雜金剛石單晶的方法

        采用高溫高壓溫度梯度法合成金剛石大單晶，自腔體的高溫端向低溫端依次排列碳源（７）、改性觸媒（８）、籽晶（３）和晶床（１０）；所述改性觸媒（８）由ＫＢＨ４粉末與ＮｉＭｎＣｏ金屬觸媒混合而成。減小了硼氫共摻雜金剛石的獲取難度，該方法合成晶體質(zhì)量優(yōu)秀，形狀規(guī)則對稱，并且操作簡單，成本低，具有可重復(fù)性。

３８ 一種天然金剛石同質(zhì)外延生長單晶金剛石的方法

        通過對天然金剛石基底表面進(jìn)行平整化處理、酸處理、超聲清洗和刻蝕處理，降低天然金剛石基底表面的雜質(zhì)和缺陷，通過顯微鏡仔細(xì)選擇質(zhì)量較高的表面在一定條件下進(jìn)行外延生長，然后對單個表面外延生長后進(jìn)行斜切，從而形成兩個較大面積的單晶金剛石表面，然后對這兩個表面進(jìn)行拼接再次在上述條件下進(jìn)行外延生長，從而可以在一定程度上保障金剛石的外延生長速率，提高天然金剛石基底的外延生長質(zhì)量。

３９ 哈爾濱工業(yè)大學(xué)研制；利用固態(tài)碳源的無氣流ＭＰＣＶＤ單晶金剛石生長方法

        要解決現(xiàn)有ＭＰＣＶＤ法單晶金剛石生長工藝中需要消耗大量高純氫氣，碳源利用率較低的問題。單晶金剛石生長方法：一、清洗金剛石籽晶；二、將單晶金剛石籽晶放置于樣品臺中心的樣品托上，將固態(tài)碳源放置于單晶金剛石籽晶的四周；三、將反應(yīng)艙內(nèi)抽真空，隨后通入高純氫氣，并升高氣壓與微波功率；四、在無氣流穩(wěn)定生長過程中，采用光譜儀對反應(yīng)艙內(nèi)的等離子體進(jìn)行監(jiān)控，通過調(diào)節(jié)微波功率來調(diào)節(jié)固態(tài)碳源表面的溫度；五、結(jié)束生長。

４０ 普拉斯瑪比利提有限責(zé)任公司研制；一種通過多晶金剛石生長輔助的生長單晶金剛石以提高單晶金剛石的尺寸和品質(zhì)的方法

        包括將金剛石籽晶熱配合在基材支架的頂表面上，其提供用于單晶金剛石和多晶金剛石的組合的生長表面。在加工期間所述金剛石籽晶和所述基材支架之間的預(yù)定溫度差連同等離子體工藝條件導(dǎo)致單晶金剛石生長速率與多晶生長速率相差預(yù)定量。引入工藝氣體，和形成等離子體以在所述生長表面上生長單晶金剛石和多晶金剛石兩者，使得多晶金剛石保護(hù)正在生長的單晶金剛石的側(cè)表面，改善跨正在生長的單晶金剛石的生長品質(zhì)。

４１ 住友電氣工業(yè)株式會社研制；一種包含氮的合成單晶金剛石

        在Ｘ射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)光譜中，３／４值全寬為３ｅＶ以上的能量４０５±１ｅＶ處的峰的強度Ｉ４０５與能量４１２±２ｅＶ處的峰的強度Ｉ４１２的比Ｉ４０５／Ｉ４１２低于１．５。

４２ 六號元素技術(shù)有限公司；制造ＣＶＤ合成金剛石材料的方法

        該方法包括提供基本上不含第二相的由壓實的非交互生長的金剛石顆粒組成的壓實的金剛石載體材料，和在該壓實的金剛石載體材料的表面上生長ＣＶＤ合成金剛石材料。還描述了由該方法制備的復(fù)合金剛石體。

４３ 六號元素技術(shù)有限公司；單晶ＣＶＤ金剛石材料

        包含至少５ｐｐｍ的總氮濃度和至少０．７的中性單一替位氮Ｎｓ０與總單一替位氮Ｎｓ之比。盡管氮的濃度相對高，但觀察到這樣的金剛石具有相對少量的棕色著色。還公開了制造單晶金剛石的方法，該方法包括在工藝氣體中生長ＣＶＤ金剛石，所述工藝氣體除含碳?xì)怏w和氫之外還包含６０至２００ｐｐｍ氮，其中含碳?xì)怏w中的碳原子與氫氣中的氫原子之比為０．５至１．５％。

４４ 西安交通大學(xué)研制；一種自適應(yīng)協(xié)同外延生長單晶金剛石輔助環(huán)

        用于設(shè)置在單晶金剛石襯底外圍一周，為異質(zhì)外延結(jié)構(gòu)，包括：自下而上逐層分布的非金剛石襯底、異質(zhì)外延形核緩沖層和單晶金剛石形核層；單晶金剛石形核層的晶向與待生長的單晶金剛石面的晶向一致。利用金剛石輔助環(huán)與同質(zhì)外延單晶金剛石協(xié)同生長，提高同質(zhì)外延單晶金剛石生長質(zhì)量。

４５ 武漢大學(xué)研制；一種微波等離子體?磁控濺射復(fù)合氣相沉積原位制備１００面金剛石的方法及設(shè)備

        使用研磨拋光好的單晶硅或鉭酸鉀襯底，使用反應(yīng)或惰性氣體等離子體刻蝕硅襯底上表面無機物和表面缺陷；再使用磁控濺射一層２ｕｍ的Ｉｒ緩沖層并形成碳元素的ＳＰ３鍵促進(jìn)金剛石薄膜生長；接著開始金剛石１００面偏壓增強形核；開始異質(zhì)外延金剛石生長。提高金剛石制備效率及制備質(zhì)量。

４６ 哈爾濱工業(yè)大學(xué)研制；基于復(fù)合結(jié)構(gòu)樣品臺提高金剛石異質(zhì)外延大尺寸形核均勻性的方法

        為了解決現(xiàn)有難以實現(xiàn)異質(zhì)襯底大尺寸高密度外延形核的難題。提高金剛石異質(zhì)外延形核均勻性的方法：一、將復(fù)合結(jié)構(gòu)樣品臺放置在ＭＰＣＶＤ設(shè)備的水冷臺中心位置，異質(zhì)襯底放置在樣品臺的中心位置，抽真空；二、啟動微波發(fā)生器，激發(fā)氣體電離和解離；三、偏壓增強形核過程：通入甲烷氣體，進(jìn)行等離子體預(yù)處理，然后啟動偏壓電源施加偏壓；四、降低甲烷濃度，進(jìn)行金剛石外延生長，直至沉積生長結(jié)束。

４７ 一種用于大尺寸單晶金剛石拼接生長工藝

       適用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積方法（ＭＰＣＶＤ）外延生長單晶金剛石，通過可微米級的榫接縫隙技術(shù)，使單晶金剛石生長過程中的應(yīng)力弛豫，提高生長效果。利用榫接、邊緣處理、高度差處理等工藝實現(xiàn)大尺寸單晶金剛石的拼接生長，獲得的大尺寸單晶金剛石具有平整度高，拼接部位應(yīng)力小等優(yōu)點，可以獲得高品質(zhì)、大尺寸的單晶金剛石。

４８ 一種快速合成多晶金剛石的生產(chǎn)工藝和生產(chǎn)設(shè)備

        涉及金剛石生產(chǎn)的技術(shù)領(lǐng)域，包括合成塊液壓、合成塊砸碎、電解、球磨、酸堿洗和清洗烘干等步驟，以及合成多晶金剛石的部分生產(chǎn)設(shè)備包括電解清洗設(shè)備和酸堿洗設(shè)備，制備方法簡單，制備過程簡潔明了，適合大規(guī)模推廣，同時在電解的過程中方便工作人員將多晶金剛石顆粒取出，提高工作效率。

４９ 河南工業(yè)大學(xué)研制；大連理工大學(xué)研制；一種提高高溫高壓合成寶石級金剛石氮含量的新方法

        以碳氮氫化合物為原料，采用熔鹽輔助的方法將碳氮氫化合物轉(zhuǎn)變成含Ｃ?Ｎ化學(xué)鍵的氮化碳粉末；以氮化碳粉末為原料或作為添加劑，金屬合金粉作為觸媒，采用傳統(tǒng)的六面頂壓機，通過溫度梯度法合成高氮含量的寶石級金剛石單晶。采用氮化碳材料作為碳源或添加劑，氮是以化學(xué)鍵的形式存在于碳源或添加劑中，利用高溫超高壓條件，可獲得大量的ＮＶ色心；加氮化碳系材料，不僅可以提供氮含量，還可以作為碳源，不會引入其他雜質(zhì)。

５０ 鄭州大學(xué)研制；一種光學(xué)級金剛石晶片的制備方法

        通過使用具有凹槽的金屬鉬使得旋涂籽晶更容易附著、生長的金剛石與襯底結(jié)合更加緊密。使用不同晶粒尺寸的籽晶，分多次進(jìn)行籽晶旋涂，得到的籽晶分布均勻，有利于金剛石的均勻生長，減小所得到金剛石中的晶界，因此更容易得到光學(xué)級金剛石。生長條件控制在一定范圍是得到光學(xué)級金剛石的必要條件，調(diào)控好生長過程中的溫度、壓強、微波功率及甲烷濃度等條件，對生長高品質(zhì)光學(xué)級金剛石非常重要。

５１ 單晶金剛石外延生長方法

        單晶金剛石及其片狀籽晶。包括Ｓ１．片狀籽晶具有進(jìn)行生長的頂面、與頂面相對的底面以及位于頂面與底面之間的側(cè)面，側(cè)面從底面到頂面向內(nèi)傾斜地延伸；Ｓ２．將片狀籽晶頂面朝上地設(shè)置在氣相合成設(shè)備的基臺上，然后采用氣相合成法在片狀籽晶上進(jìn)行同質(zhì)外延生長。采用側(cè)面為傾斜面的片狀籽晶進(jìn)行外延生長，使得外延生長較為容易，且生長時不易產(chǎn)生多晶，此外，由于生長后得到的單晶金剛石的側(cè)面仍為傾斜面，因此可以在一次外延生長后再進(jìn)行多次外延生長，從而獲得較大尺寸的單晶金剛石。

５２ 一種利用缺陷和雜質(zhì)改進(jìn)單晶金剛石晶種外延生長的方法

        適用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積方法（ＣＶＤ）外延生長單晶金剛石，包括步驟：步驟一、確定單晶金剛石表面的雜質(zhì)和缺陷濃度。步驟二、進(jìn)行雜質(zhì)和缺陷處理。步驟三、進(jìn)行表面氫化處理。步驟四、進(jìn)行高速外延生長。能夠利用內(nèi)部缺陷和雜質(zhì)含量高的單晶金剛石的品質(zhì)缺點，提高外延金剛石的生長速率，改進(jìn)產(chǎn)品質(zhì)量。

５３ 一種金剛石的制備方法

        屬于金剛石合成技術(shù)領(lǐng)域。包括將碳源柱在六面頂壓機的合成腔體中進(jìn)行高溫高壓處理合成金剛石，高溫高壓處理包括依次進(jìn)行的第一生長階段、過渡階段和第二生長階段，第一生長階段、過渡階段和第二生長階段的溫度均為１２００～１３００℃且壓力均為５．５～７ＧＰａ，其中，第一生長階段和第二生長階段的加熱功率分別保持不變，過渡階段的加熱功率以２～５ｗ／ｈ的速度提高，過渡階段的加熱功率每提高２～５ｗ時控制合成腔體的上下溫差降低１～３℃。能夠制備出塔尖收尾的金剛石，有效提高了金剛石毛坯的利用率和成品規(guī)格。

５４ 一種生產(chǎn)純化單晶金剛石的方法，

將人體頭發(fā)粉碎后擠壓成人體頭發(fā)細(xì)棒，人體頭發(fā)細(xì)棒的直徑為０．５?１．５ｍｍ；人體頭發(fā)細(xì)棒置于電弧陽極中，電弧陽極為中空形狀；氫氣從氫氣瓶通入放置于金屬腔室內(nèi)的電弧陰極中；利用電弧放電將通入氫氣變成氫等離子體，使人體頭發(fā)細(xì)棒氣化轉(zhuǎn)變?yōu)闅怏w混合物；將氣體混合物中的氮氫化物、硫化物、水汽雜質(zhì)氣體去掉，得到體積純度為９９．９９９％的碳?xì)浠衔餁怏w；該發(fā)明能夠?qū)⑷梭w頭發(fā)中的碳轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸?br/>
５５ 一種低應(yīng)力金剛石及其制備方法

        相比現(xiàn)有技術(shù)而言步驟簡單，方便大規(guī)模的處理成品單晶金剛石，特別適用于厚度較厚的單晶金剛石產(chǎn)品；采取梯度降溫法，極大地避免了高溫環(huán)境下對金剛石產(chǎn)品的內(nèi)應(yīng)力沖擊，使得內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)逐漸重新排列，達(dá)到去應(yīng)力的目的；恰當(dāng)?shù)臏囟瓤刂坪退俾士刂?，在確保了金剛石產(chǎn)品內(nèi)應(yīng)力能獲得有效改善的基礎(chǔ)上，保障了處理效率，適用于工業(yè)化生產(chǎn)。

５６ 制備多孔單晶金剛石的方法

        將金剛石晶種作為生長基體，金剛石粉晶和金屬觸媒粉的混合物包裹金剛石晶種后密封成型，在處于金剛石穩(wěn)定區(qū)的高溫高壓條件下，金剛石粉晶在熔態(tài)觸媒環(huán)境中通過調(diào)整晶向，以金剛石晶種作為基體進(jìn)行定向附著生長，金屬觸媒降低晶體生長所需的溫度與壓力條件，為金剛石粉晶的定向附著提供合適的環(huán)境，增加金剛石的生長速率。

５７ 西南科技大學(xué)研制；一種基于摻硼過渡層的ＣＶＤ同質(zhì)外延金剛石大單晶的分離方法

        在金剛石單晶襯底表面先沉積一層摻硼金剛石膜，再在其上外延生長大尺寸金剛石單晶，使產(chǎn)品局部具有導(dǎo)電性，在外延大尺寸金剛石單晶與襯底的電火花線切割加工中，摻硼過渡層既是放電區(qū)，也是分離消耗區(qū)，實現(xiàn)線切割技術(shù)對ＣＶＤ同質(zhì)外延金剛石大單晶的加工分離。

５８ 一種異形表面形貌金剛石單晶及其制造方法

        通過金剛石單晶的異形表面形貌與金屬鍍層的牢固結(jié)合提高了金剛石與金屬結(jié)合劑把持力，通過優(yōu)化配方和合成工藝提高了金剛石的轉(zhuǎn)化率和內(nèi)部品質(zhì)形成優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，能增強金剛石與結(jié)合劑之間的結(jié)合力及材料合成效率，改善金剛石類磨削工具鋒利度和加工效率。

５９ 北京科技大學(xué)研制；一種在單晶金剛石表面獲得自由原子層的方法

        通過在單晶金剛石拋光表面鍍覆溶碳薄膜，進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼炔襟E，去除了單晶金剛石拋光表面的損傷層，解決了現(xiàn)有拋光工藝導(dǎo)致單晶金剛石表面產(chǎn)生亞損傷的問題，可應(yīng)用于大尺寸單晶金剛石獲得均勻無損傷層的原子級平坦表面，有助于單晶金剛石材料在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展。

６０ 一種氮摻雜ＣＶＤ金剛石激光晶體

        包括ＣＶＤ金剛石晶體、增透膜和反射膜，增透膜鍍在ＣＶＤ金剛石晶體的前表面，反射膜鍍在ＣＶＤ金剛石晶體的后表面，增透膜由氟化鎂薄膜、二氧化鉿薄膜和二氧化鈦薄膜疊加構(gòu)成，該氮摻雜ＣＶＤ金剛石激光晶體，有效解決了ＣＶＤ金剛石激光晶體難獲得６３７ｎｍ激光的問題。

６１ 武漢大學(xué)研制；一種大尺寸單晶金剛石生長方法及生長用復(fù)合基底

        能夠生長得到高質(zhì)量、大尺寸的單晶金剛石。

６２ 一種生長金剛石單晶用樣品托及金剛石單晶生長方法

        通過擰動外螺紋擰入內(nèi)螺紋的位置，實現(xiàn)內(nèi)托相對外托的位置調(diào)整，以維持內(nèi)托上面的溫度，從而更好地滿足金剛石單晶的生長溫度，有效抑制多晶生成；本發(fā)明的生長方法，通過采用高度可調(diào)節(jié)的樣品托，有利于防止在ＭＰＣＶＤ法生長一定厚度金剛石單晶時，多晶的生成，可通過多次、長時間生長，得到大厚度、高質(zhì)量及均勻性好的單晶金剛石。

６３ 一種低成本、大尺寸、高品質(zhì)單晶金剛石及其制備方法和應(yīng)用

        具體地，所述單晶金剛石具有低成本、大尺寸、高品質(zhì)、高純度、高硬度的特點，可有效擴大單晶金剛石的應(yīng)用范圍。

６４ 北京科技大學(xué)研制；一種高質(zhì)量大尺寸單晶金剛石外延生長的方法

        為進(jìn)一步實現(xiàn)金剛石基半導(dǎo)體器件提供材料制備基礎(chǔ)。即通過在高光潔度的大尺寸馬賽克拼接單晶金剛石自支撐襯底上沉積金屬保過渡層和依薄層。并采用化學(xué)氣相沉積的方法在金屬依表面經(jīng)過預(yù)沉積無定型碳薄層和后續(xù)純氫刻蝕以及最后調(diào)節(jié)甲:院通量實現(xiàn)依薄層的單一取向晶化及金剛石的原位形核生長，高效地通過異質(zhì)外延的方法得到高質(zhì)量大尺寸單晶金剛石。

６５ 北京科技大學(xué)研制；一種大尺寸單晶金剛石異質(zhì)外延生長的方法

        避免了高溫原位沉積晶化過程中的位錯延伸。隨后再次沉積一層依薄膜，進(jìn)一步屏蔽位錯擴展和消除界面夫配效應(yīng)，以其作為單晶金剛石外延生長的高質(zhì)量形核生長界面。最終通過化學(xué)氣相沉積的方法實現(xiàn)依薄膜的動態(tài)單一取向晶化的同時在其表面實現(xiàn)大尺寸單晶金剛石的原位形核和生長。

６６ 法國索泰克公司研制一種用于生產(chǎn)金剛石或銥材料的單晶層的方法，

        其包括將ＳｒＴｉＯ３材料的單晶晶種層轉(zhuǎn)移到硅材料的載體襯底，隨后外延生長所述金剛石或銥材料的單晶層。

６７ 一種生產(chǎn)單晶金剛石的方法，

        能夠?qū)⒏鲉尉Ы饎偸L時的溫度差異控制在一定范圍內(nèi)，使各單晶金剛石生長時的溫度更加均勻。

６８ 一種ＣＶＤ單晶金剛石籽晶和生長層的分離方法，

        先對結(jié)合體的籽晶面進(jìn)行預(yù)處理，再分別采用單向和雙向激光切割法切除結(jié)合體外表面上的多晶，然后對結(jié)合體的生長層面進(jìn)行拋光、清洗，接著采用雙向激光切割法分離籽晶和生長層，最后分別對籽晶和生長層進(jìn)行拋光、清洗，得到分離的籽晶和生長層。采用雙向激光切割法分離籽晶和生長層，相比現(xiàn)有的單向重復(fù)切割法能夠節(jié)?。常啊担埃サ臅r間。采用雙向激光切割法相向切割兩次即可實現(xiàn)籽晶和生長層的分離，相比現(xiàn)有的單向重復(fù)切割法可降低０．１～０．３ｍｍ厚度的單晶損耗。

６９ 吉林大學(xué)研制一種異形｛１１１｝籽晶合成金剛石單晶的方法

        屬于晶體生長中的金剛石單晶生長的技術(shù)領(lǐng)域。主要步驟包括獲取籽晶、確定合成工藝參數(shù)、組裝腔體、高溫高壓合成金剛石等。本發(fā)明步驟簡單、可重復(fù)性高，使用非常規(guī)的籽晶依然能夠得到常規(guī)的金剛石晶體，使籽晶的獲取難度大大降低，合成的金剛石晶體質(zhì)量良好，且根據(jù)需要可以生長成不同形貌的金剛石。

７０ 一種高質(zhì)量金剛石生長方法和系統(tǒng)。一種高質(zhì)量金剛石生長方法，

        能夠無需選擇高質(zhì)量的金剛石片作為籽晶，降低了籽晶的成本，新生長的金剛石以層狀進(jìn)行生長，并且金剛石表面缺陷進(jìn)行修補，降低表面缺陷數(shù)量，同時并未降低金剛石的生長速率，仍然維持在高的生長速率，不低于８μｍ／ｈ。

７１ 一種采用納米結(jié)構(gòu)制備高質(zhì)量金剛石單晶的二次外延方法，

        生長步驟是選用高溫高壓金剛石作為籽晶；對籽晶表面缺陷和損傷刻蝕預(yù)處理；控制反應(yīng)室壓力，微波功率，溫度，甲烷濃度以及生長時間，首次外延２～４０μｍ厚度金剛石薄膜層；電子束蒸發(fā)蒸鍍約４～４０ｎｍ厚度金屬Ｎｉ薄膜層；高溫?zé)崽幚慝@得金屬納米顆粒圖形；等離子刻蝕獲得金剛石納米顆粒圖層；控制反應(yīng)室壓力，微波功率，溫度，甲烷濃度以及生長時間，二次外延５?２００μｍ厚度金剛石薄膜。有效抑制金剛石薄膜內(nèi)缺陷的延伸、降低缺陷密度、提高晶體表面的平整度。

７２ 金剛石制造領(lǐng)域，一種金剛石生長托盤和系統(tǒng)。

        相較于現(xiàn)有技術(shù)，具有以下效果：通過新設(shè)計的籽晶托盤，可以維持籽晶表面的等離子體分布及電場分布在最佳狀態(tài)，保證金剛石籽晶生長環(huán)境穩(wěn)定，降低表面生長缺陷數(shù)量，最終合成出高質(zhì)量的單晶金剛石片；通過新設(shè)計的籽晶托盤，可以使籽晶托盤邊緣碳黑等雜質(zhì)生長速率顯著降低，保證單次穩(wěn)定生長時間更長，可以一次性生長更厚的產(chǎn)品，提高生產(chǎn)效率。

７３ 一種帶懸臂結(jié)構(gòu)金剛石及其制備方法，

        方法包括：在金剛石表面沉積非金屬材料；對金剛石結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行磨平、拋光處理；在光滑金剛石結(jié)構(gòu)制備掩膜層，然后在掩膜層金剛石面生長金剛石；然后激光切割、磨拋；并去除掩膜層及填充材料，得到懸臂結(jié)構(gòu)金剛石。制備方法制備的懸臂結(jié)構(gòu)金剛石，應(yīng)用于芯片中，具有非常高的靈敏度和可靠性。

７４ 西安交通大學(xué)研制一種可吸附拼接生長大面積單晶金剛石的方法，

        解決了現(xiàn)有拼接過程中，容易使得樣品在生過程中的相對位置發(fā)生改變，甚至樣品翹曲的問題。