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穩(wěn)壓二極管的改進和材料優(yōu)化?：
        ?采用新型半導體材料?：目前，硅是制造穩(wěn)壓二極管的主流材料，但碳化硅（SiC）等新型半導體材料得到了廣泛關注。與傳統(tǒng)的硅相比，SiC材料具有更高的擊穿電壓和更優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，特別適用于高溫、高壓環(huán)境，有助于提高穩(wěn)壓二極管的性能?。降低摻雜濃度?：通過控制半導體材料的摻雜濃度，可以有效調(diào)整穩(wěn)壓二極管的擊穿電壓和反向漏電流。合理的摻雜水平不僅能確保穩(wěn)定的電壓調(diào)節(jié)，還能減少功率損耗，提高整體效率?。

工藝改進?：
        ?精確的摻雜和離子注入工藝?：在制造過程中，通過精確的摻雜和離子注入工藝，可以嚴格控制擊穿電壓的閾值，提升器件的一致性，確保各個二極管的擊穿電壓穩(wěn)定在設計范圍內(nèi)?。調(diào)整P-N結深度?：通過優(yōu)化穩(wěn)壓二極管的P-N結深度，可以減少擊穿時的電場不均勻性，從而提高擊穿電壓的精度和穩(wěn)定性。較深的P-N結可以在高壓下更均勻地分布電場，減少電場集中引發(fā)的局部過熱或損壞?。

溫度系數(shù)控制?：
        ?雙極性穩(wěn)壓二極管的引入?：通過將正溫度系數(shù)和負溫度系數(shù)的二極管組合在一起，可以實現(xiàn)溫度變化下的電壓補償，尤其適合環(huán)境溫度變化較大的應用場景?。優(yōu)化材料摻雜比例?：通過調(diào)整材料的摻雜比例，可以有效降低穩(wěn)壓二極管的溫度系數(shù)，從而減少高溫下的電壓漂移問題?。

        本篇是為了配合國家產(chǎn)業(yè)政策向廣大企業(yè)、科研院校提供穩(wěn)壓二極管技術制造工藝匯編技術資料。資料中每個項目包含了最詳細的技術制造資料,現(xiàn)有技術問題及解決方案、產(chǎn)品生產(chǎn)工藝、、產(chǎn)品性能測試，對比分析。資料信息量大,實用性強,是從事新產(chǎn)品開發(fā)、參與市場競爭的必備工具。

【資料內(nèi)容】生產(chǎn)工藝、配方
【出品單位】國際新技術資料網(wǎng)
【資料頁數(shù)】726頁
【項目數(shù)量】55項
【資料合訂本】1680元(上、下冊)
【資料光盤版】1480元（PDF文檔）

目錄

1   一種接觸孔的形成方法、快恢復二極管及其形成方法

     包括如下步驟：提供基底，基底包括襯底，襯底包括有源區(qū)以及位于有源區(qū)外部的終端區(qū)，基底還包括覆蓋終端區(qū)的場氧化層以及覆蓋有源區(qū)和場氧化層的介質(zhì)層；采用第一刻蝕工藝刻蝕部分介質(zhì)層，形成位于終端區(qū)上方的初始接觸孔，初始接觸孔的拐角處剩余的介質(zhì)層的厚度大于初始接觸孔的底面處剩余的介質(zhì)層的厚度；采用第二刻蝕工藝自初始接觸孔刻蝕介質(zhì)層和部分的場氧化層，形成延伸至場氧化層的內(nèi)部的接觸孔。本發(fā)明確保了刻蝕后剩余的場氧化層的厚度，減小了快恢復二極管內(nèi)的反向電流。

2   一種穩(wěn)壓二極管及其制備方法

     半導體集成結構，通過將第一導電類型體區(qū)設置為包括多個子體區(qū)，各子體區(qū)間隔分布在第一導電類型阱區(qū)中；在垂直于半導體材料層所在平面的方向上，第二導電類型摻雜區(qū)的投影覆蓋且超出多個子體區(qū)的外輪廓的投影；在第二導電類型摻雜區(qū)的投影超出多個子體區(qū)的外輪廓的投影的位置處以及各子體區(qū)之間間隔的位置處，第二導電類型摻雜區(qū)與第一導電類型阱區(qū)相接。如此，可以實現(xiàn)在不升高穩(wěn)壓二極管的反向漏電流的情況下增大穩(wěn)壓二極管的工作電流，優(yōu)化了穩(wěn)壓二極管的性能。

3   一種穩(wěn)壓二極管及其制備方法和應用

     包括依次層疊設置的第一電極層、鈣鈦礦層、第二電極層；所述鈣鈦礦層的材料包括鈣鈦礦，鈣鈦礦的化學式為L2MX4或D2MX4。中的穩(wěn)壓二極管可以微型化、集成化，具有優(yōu)異的柔性且對環(huán)境光的敏感程度低。在使用時通過第一電極層和第二電極層對鈣鈦礦層施加電壓，當施加電壓低于其擊穿電壓時，鈣鈦礦層的本征載流子濃度低，穩(wěn)壓二極管處于高阻狀態(tài)，近似開路狀態(tài)，電流主要通過負載使電路穩(wěn)定運行；當施加電壓超過其擊穿電壓，穩(wěn)壓二極管的電阻急劇降低，電流迅速增加，近似于短路狀態(tài)，從而對負載起到穩(wěn)壓的作用。澳門大學

4   一種BCD工藝集成齊納二極管的制造方法

     包括：步驟一，提供一襯底，在襯底上形成柵介質(zhì)層；步驟二，在襯底上形成第一柵極材料層，對第一柵極材料層實施離子注入和再結晶；步驟三，刻蝕第一柵極材料層形成齊納二極管的柵極后，對襯底實施阱區(qū)注入；步驟四，在襯底上形成第二柵極材料層；步驟五，刻蝕第二柵極材料層形成BCD器件的柵極后，在所有柵極的兩側形成側墻；步驟六，在齊納二極管的柵極內(nèi)形成N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)。實施BCD器件的阱區(qū)注入之前，完成齊納二極管柵極的生長、注入和再結晶，避免再結晶過程的高溫影響B(tài)CD器件的性能。

5   一種穩(wěn)壓二極管的新型制備方法

     屬于半導體分立器件領域。提供襯底，在襯底的正面依次形成外延層、P?區(qū)和介質(zhì)層；在外延層及P?區(qū)的正面定義出N?well物理區(qū)域，通過高能注入形成N?well區(qū)；在外延層、P?區(qū)及N?well區(qū)定義出P+plus物理區(qū)域，通過離子注入形成P+plus區(qū)；P區(qū)、Nwell區(qū)和P+plus區(qū)進行同步擴散；在P+plus區(qū)的表面通過金屬布線實現(xiàn)P+plus區(qū)引出正面電極，形成二極管陽極；在襯底的背面通過減薄、金屬淀積引出背面電極，形成二極管陰極。本發(fā)明通過P?區(qū)普注、Nwell區(qū)和P+plus區(qū)自對準腐蝕、P?區(qū)和N?well及P+plus區(qū)同步擴散等方式，精簡制備流程，僅需兩次光刻和一次擴散過程，可在保障產(chǎn)品性能的同時大幅度縮短生產(chǎn)流通時間，提升生產(chǎn)效率。

6   一種調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管擊穿電壓溫漂的方法

     該調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管擊穿電壓溫漂的方法中，穩(wěn)壓管的基底中形成有第一阱區(qū)，第一阱區(qū)的基底中形成有導電類型相反的第一摻雜區(qū)和體區(qū)，第一摻雜區(qū)形成在基底的頂部，體區(qū)位于第一摻雜區(qū)的下方且與第一摻雜區(qū)相接，第一摻雜區(qū)在垂直于基底厚度方向的平面內(nèi)的正投影覆蓋且超出體區(qū)在垂直于基底厚度方向的平面內(nèi)的正投影，體區(qū)和第一阱區(qū)的導電類型相同；其中，通過調(diào)整體區(qū)在垂直于基底厚度方向的平面內(nèi)的面積以調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的擊穿電壓的溫漂，該調(diào)節(jié)方式在穩(wěn)壓管的設計階段即可根據(jù)穩(wěn)壓管的不同應用場景調(diào)整，使得穩(wěn)壓管的性能滿足不同應用場景的需求，且不需要增加額外的光罩。

7   一種平面合金二極管結構及其制備方法

     包括N型襯底區(qū)；位于所述N型襯底區(qū)邊緣周圍的P型擴散結；位所述N型襯底區(qū)的有源區(qū)設有P型合金結；所述N型襯底區(qū)的表面邊緣設有鈍化層；所述P型合金結的表面設有陽極金屬層；所述N型襯底層背面設有陰極金屬層。過將齊納二極管工作在反向偏置，P型合金區(qū)和N型襯底區(qū)摻雜濃度比較高，當器件反向偏壓逐漸增大時，器件發(fā)生了隧道擊穿效應，器件邊緣的P型擴散區(qū)摻雜濃度比較低并且結深較深，可以降低器件邊緣電場集中效應，器件擊穿點一般位于P型合金結與N型襯底交界位置，可以有效降低器件反向漏電流。

8   高壓雙極工藝集成隱埋齊納管制造方法

     包括如下步驟：1)摻雜形成第二導電類型埋層；2)環(huán)繞所述第二導電類型埋層，摻雜形成第一導電類型埋層；3)形成第二導電類型外延層；4)摻雜形成第一導電類型隔離結；5)形成齊納二極管場區(qū)；6)形成齊納二極管陰極；7)環(huán)繞齊納二極管陰極，推結形成環(huán)狀齊納二極管陽極引出端Plink；8)形成齊納二極管陰極引出端Nlink；9)形成齊納二極管隱埋型的陽極；10)形成齊納二極管的金屬電極和玻璃鈍化層。本發(fā)明可在高壓雙極工藝中實現(xiàn)一種擊穿電壓值可調(diào)，齊納擊穿區(qū)在硅體內(nèi)，內(nèi)阻小，熱穩(wěn)定性與長期工作穩(wěn)定性較優(yōu)的集成隱埋齊納二極管。

9   一種低溫漂穩(wěn)壓二極管及制作方法

     屬于芯片制作工藝技術領域，設計了一種由一個正向PN結和一個反向PN結組成的穩(wěn)壓二極管，利用PN結正向電壓的負溫度系數(shù)和反向電壓的正溫度系數(shù)進行補償，實現(xiàn)該穩(wěn)壓二極管的低溫漂特性，同時，通過工藝方法進行電壓調(diào)整，從而實現(xiàn)對器件電壓溫度系數(shù)的調(diào)制。通過該發(fā)明制備的低溫漂穩(wěn)壓二極管的溫漂系數(shù)可低至≤5ppm/℃，大幅降低了二極管的溫漂系數(shù)，進而提高了穩(wěn)壓二極管的質(zhì)量。

10 一種降低齊納二極管溫漂的方法及系統(tǒng)

     涉及穩(wěn)壓二極管技術領域；本方案對現(xiàn)有的降低齊納二極管技術進行方法上的改進，將齊納二極管和二極管集成新的低溫漂的集成齊納二極管，在集成齊納二極管開發(fā)時，通過改變注入摻雜離子的濃度調(diào)整低集成齊納二極管的溫漂，從而改變齊納二極管的電學性質(zhì)，可用于高穩(wěn)定的基準電路和柵保護器件，并且集成的集成齊納二極管比電路補償?shù)姆椒ü?jié)省面積，實現(xiàn)減小芯片面積的目的，且寄生效應方便控制。

11 一種埋層齊納二極管及其制造方法

     在半導體硅襯底上設置P型外延層，在P型外延層上形成N型深阱，并在N型深阱中形成P阱，通過在P阱中形成P型雙擴散阱和位于P型雙擴散阱頂部的N型區(qū)，從而在半導體P型外延層中形成位于N型區(qū)與P型雙擴散阱之間的PN結，使得PN結的擊穿發(fā)生在P型外延層中，可以有效的克服PN結擊穿發(fā)生在表面的表面齊納二極管噪聲高、時間穩(wěn)定性差以及開啟漂移等缺點，使得埋層齊納二極管的噪聲更低、時間穩(wěn)定性好避免漂移，保證擊穿電壓的穩(wěn)定，滿足實際使用需求。

12 一種齊納二極管及其制造方法

     包括提供襯底，在襯底上形成N型埋層和P型埋層；在N型埋層和P型埋層上方形成外延層；在外延層中形成淺溝槽隔離結構；對外延層進行光刻和離子注入形成N型阱和P型阱；淀積柵氧化層和多晶硅并刻蝕形成多晶硅柵極；以多晶硅柵極為掩膜，采用輕摻雜離子注入工藝在多晶硅柵極之間的外延層中形成PLDD區(qū)；進行源漏離子注入形成N+區(qū)和P+區(qū)，位于PLDD區(qū)內(nèi)的N+區(qū)與PLDD區(qū)形成齊納二極管的PN結。采用輕摻雜離子注入工藝在外延層中形成PLDD區(qū)，在進行源漏離子注入的同時形成位于PLDD區(qū)內(nèi)的N+區(qū)，解決了現(xiàn)有齊納二極管過高的掩膜工藝成本的問題，而且降低了齊納二極管的寄生電容。

13 一種穩(wěn)壓防水型二極管制備方法

     涉及二極管技術領域，包括陶瓷外殼體、除濕組件和固定塊，所述陶瓷外殼體的端部固定連接有弧形橡膠墊，且陶瓷外殼體的端部固定安裝有弧形密封套，并且陶瓷外殼體的內(nèi)壁固定連接有限位組件，而且陶瓷外殼體的內(nèi)部放置有二極管芯片。該一種穩(wěn)壓防水型二極管，通過設置的弧形橡膠墊、弧形密封套和橡膠連接環(huán)，使得該穩(wěn)壓二極管與陶瓷外殼體之間的連接處均得到了密封處理，從而有效防止了水汽不慎進入到陶瓷外殼體的內(nèi)部對二極管芯片的運行造成干擾的情況出現(xiàn)，并且通過設置的除濕組件，使得不慎進入到陶瓷外殼體內(nèi)的水汽能夠得到有效吸收，從而進一步提高了陶瓷外殼體內(nèi)的空氣濕度不會過高。

14 一種金屬氧化物半導體控制二極管(MCD)制備方法

     包括襯底、外延層、場氧化層、數(shù)個植入?yún)^(qū)、高介電常數(shù)柵氧化層以及金屬層。外延層位于所述襯底上，場氧化層位于所述外延層上，且所述場氧化層具有數(shù)個場氧化層開口。植入?yún)^(qū)位于所述場氧化層開口內(nèi)的所述外延層中。高介電常數(shù)柵氧化層位于所述場氧化層上并具有數(shù)個柵氧化層開口，露出部分植入?yún)^(qū)。金屬層覆蓋所述高介電常數(shù)柵氧化層與所述柵氧化層開口，以直接接觸部分植入?yún)^(qū)。金屬硅化物層位于每個植入?yún)^(qū)與金屬層之間。

15 一種低漏電低壓穩(wěn)壓二極管的制備方法

     屬于半導體領域。提供N型襯底，在其表面依次形成N型外延層和場氧化層；在N型外延層中形成P+離子注入?yún)^(qū)，在整個表面淀積介質(zhì)層；在P+離子注入?yún)^(qū)表面的介質(zhì)層上開孔，形成歐姆接觸區(qū)；在表面淀積金屬，形成正面金屬電極，在整個表面淀積鈍化層并開孔，露出金屬引線孔；研磨減薄N型襯底的背面，然后在N型襯底的背面淀積多層金屬，形成背面金屬電極。減少了P?區(qū)，可以相應的減少一次光刻，縮短生產(chǎn)流通周期，降低制造成本；正面金屬電極為鈦鋁雙層金屬，鈦在底層，形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，同時可以有效避免鋁穿刺現(xiàn)象。

16 一種具有硅半導體主體的二極管制備方法

     具有包括改進的勢壘區(qū)的接觸結構的二極管及其制造工藝。所述硅半導體主體包括：陰極區(qū)，具有第一導電類型且由前表面界定；以及陽極區(qū)，具有第二導電類型并且從前表面延伸到陰極區(qū)中。二極管還包括：二硅化鈷的勢壘區(qū)，布置在陽極區(qū)；以及鋁或鋁合金的金屬化區(qū)，布置在勢壘區(qū)上。勢壘區(qū)接觸陽極區(qū)。意法半導體股份有限公司

17 穩(wěn)定型低漏流穩(wěn)壓管制備方法

     涉及半導體器件。包括集電極區(qū)，P區(qū)，內(nèi)刻蝕槽玻璃區(qū)，外刻蝕口玻璃區(qū)，發(fā)射極區(qū)和金屬蒸發(fā)層。通過在普通穩(wěn)壓二極管的結構中引入三極管，即將二極管與三極管集成于同一結構中，此集成結構將穩(wěn)壓管的工作原理由原有的齊納擊穿變?yōu)檠┍罁舸瑢崿F(xiàn)了低反向漏電流、低功耗及高可靠性的穩(wěn)壓管器件功能。

18 一種具有良好p型歐姆接觸的pn結二極管及其制備方法

     包括：襯底、n型摻雜的合金氮化物層、p型摻雜的合金氮化物層和p型摻雜的氮化物層；p型摻雜的氮化物層位于p型摻雜的合金氮化物層表面的端部，且p型摻雜的氮化物層與p型摻雜的合金氮化物層之間形成二維空穴氣溝道；p型摻雜的氮化物層與p型摻雜的合金氮化物層之間能夠形成二維空穴氣，二維空穴氣位于二維空穴氣溝道內(nèi)；p型摻雜的氮化物層的上方設有陽極，n型摻雜的合金氮化物層上還設有陰極。能夠解決現(xiàn)有的p型歐姆接觸二極管中p型AlGaN材料與金屬間的勢壘高度較大，導致難以形成良好的歐姆接觸的問題。西安電子科技大學

19 一種基于范德華接觸垂直p?n結二極管及制備方法、半導體器件

     二維材料垂直p?n結二極管，包括自上而下垂直堆疊的金屬頂電極、p型二維材料、n型二維材料和底電極，其中，相鄰兩層的材料之間通過范德華力形成范德華接觸，使得相鄰兩層的材料相互貼合不脫落?；诜兜氯A接觸的垂直p?n結二極管界面平整而無缺陷和晶格破壞，避免了傳統(tǒng)蒸鍍方法對二維材料晶格產(chǎn)生的破壞，使得器件中費米釘扎導致的肖特基勢壘和隧穿電流顯著降低，從而大大提升該器件的整流性能。解決了現(xiàn)有二維材料垂直p?n結器件具有肖特基勢壘和較大隧穿電流的技術問題。華中科技大學

20 一種BCD工藝中可自由調(diào)控擊穿電壓的齊納二極管制備方法

     包括：N型埋層和P型埋層，位于P型襯底中，P型襯底上形成有P型外延層；P阱和N阱，位于N型埋層之上、P型外延層之中，P阱底部和N阱底部與N型埋層相接觸；多個隔離部件；三個P型體區(qū)，位于P阱中，其中，位于中間的P型體區(qū)中形成有第一N+注入?yún)^(qū)，位于左右兩側的P型體區(qū)中形成有第一P+注入?yún)^(qū)；柵極結構，位于P阱的表面上；第二N+注入?yún)^(qū)，位于N阱中；第二P+注入?yún)^(qū)，位于P型埋層之上、P型外延層之中。通過增加第一P+注入?yún)^(qū)的注入類型或者調(diào)整柵極結構的特征尺寸來調(diào)控齊納二極管的擊穿電壓，不影響同一BCD工藝平臺制作的LDMOS器件的性能。

21 一種寄生的齊納二極管制作方法

     N型埋氧層上的P型外延層中形成有第一、第二P阱；第一P阱一側形成有第一STI區(qū)；第二P阱側形成有第二STI區(qū)；沉積多晶硅層并對其進行刻蝕去除第一、第二P阱之間以外的多晶硅層；光刻打開剩余的多晶硅層上的區(qū)域；在第一、第二P阱之間的P型外延層中形成P型體區(qū)；去除被打開的區(qū)域的第一多晶硅結構的部分，靠近第一STI區(qū)剩余的部分形成為第二多晶硅結構；靠近第二STI區(qū)剩余的部分形成為第三多晶硅結構；去除第二、第三多晶硅結構之下以外的柵氧層。使用SNLDMOS中P型體區(qū)注入形成N+區(qū)和P型體區(qū)，供齊納二極管使用，無需增加額外的光罩，工藝簡單，可以簡化工藝。

22 一種齊納二極管的工藝方法

     包含：在半導體襯底上形成半導體器件，所述半導體器件包含多晶硅柵極；完成LDD注入后沉積制作柵極側墻的氧化層；進行一次光刻，對所述的氧化層進行刻蝕；進行離子注入形成重摻雜N型區(qū)；進行離子注入形成重摻雜P型區(qū)；進行快速熱退火工藝激活注入的雜質(zhì)；光刻打開HR注入窗口進行離子注入；犧牲氧化層淀積；犧牲氧化層光刻及刻蝕；形成金屬硅化物；淀積層間介質(zhì)。在柵極側墻介質(zhì)層淀積之后增加一步光刻，精準控制齊納二極管重摻雜N型區(qū)和重摻雜P型區(qū)之間的間距，然后可以進行自對準的離子注入，提高齊納二極管擊穿電壓的穩(wěn)定性，改善同工藝條件下齊納二極管之間擊穿電壓波動太大的問題。

23 一種通過優(yōu)化表面介質(zhì)結構制備高性能穩(wěn)壓二極管及方法

     通過增加一次特殊的光刻、刻蝕工藝，選擇性的去除除前面工序留下的包含缺陷和電荷的氧化層，從而消除了表面氧化層中的帶電電荷引起的穩(wěn)壓二極管擊穿電壓隨時間、溫度變化的因素；低溫重新生長一層氧化層，消除前道工序?qū)ζ骷砻嫜趸瘜拥挠绊?，實現(xiàn)對穩(wěn)壓二極管p?n結表面介質(zhì)層結構的優(yōu)化，提高穩(wěn)壓二極管擊穿電壓的穩(wěn)定性；本申請的穩(wěn)壓二極管在持續(xù)加反偏電流的老煉過程中，器件的擊穿電壓幾乎不變；本申請與現(xiàn)有技術中的雙極工藝兼容，對原有雙極器件的性能無明顯影響，但能夠顯著提升穩(wěn)壓二極管擊穿電壓的穩(wěn)定性。

24 一種新型集成的低漏流穩(wěn)壓管的制備方法

     涉及半導體器件。包括以下步驟：S001：N+襯底選??；根據(jù)不同產(chǎn)品的耐壓需求，選擇不同電阻率的N+襯底硅片；S002：P區(qū)硼預沉積及擴散；在N+襯底表面沉積硼雜質(zhì)，通過高溫擴散，將N+襯底硅片劃分成P區(qū)和的集電極區(qū)；S003：氧化；在晶片表面生長氧化膜；S004：一次正面N+待擴散區(qū)選擇性光刻：在P區(qū)的上表面預留出待制備發(fā)射區(qū)的區(qū)域，其余用光阻劑保護；S005：氧化膜去除：將待制備發(fā)射區(qū)上方的氧化膜去除，暴露出正面待擴散的發(fā)射區(qū)；本發(fā)明實現(xiàn)了低反向漏電流、低功耗及高可靠性的穩(wěn)壓管器件功能。

25 一種半導體二極管制備方法

     包括n型襯底；位于所述n型襯底之上的n型漂移區(qū)；位于所述n型漂移區(qū)之上的p型陽極區(qū)；位于所述p型陽極區(qū)與所述n型漂移區(qū)之間且橫向間隔設置的若干個n型摻雜區(qū)。本發(fā)明的半導體二極管具有較大的反向恢復軟度，能夠降低半導體二極管在反向恢復過程中的電壓過沖。

26 一種用于穩(wěn)壓管制造的擴散工藝

     包括以下工作步驟：步驟一：擴散前處理；步驟二：磷預擴處理；步驟三：背面化腐；步驟四：背面補硼；步驟五：磷主擴處理；步驟六：溝槽光刻；步驟七：電泳鈍化；步驟八：金屬光刻。通過特殊的磷預擴和主擴散工藝降低動態(tài)電阻，針對市場應用的特點，低中壓選用專用合適的P型襯底新材料，使用特殊預擴和主擴散工藝降低動態(tài)電阻提升良率。

27 齊納二極管及齊納二極管制作方法

     包括襯底、位于襯底一側的摻雜區(qū)。摻雜區(qū)包括環(huán)形摻雜區(qū)及位于環(huán)形摻雜區(qū)的中心區(qū)域的中心摻雜區(qū)，環(huán)形摻雜區(qū)包括第一環(huán)形摻雜區(qū)及第二環(huán)形摻雜區(qū)，其中，第一環(huán)形摻雜區(qū)位于所述中心摻雜區(qū)的外周，第二環(huán)形摻雜區(qū)位于第一環(huán)形摻雜區(qū)的外周，第一環(huán)形摻雜區(qū)的摻雜深度大于中心摻雜區(qū)的摻雜深度以及第二環(huán)形摻雜區(qū)的摻雜深度。如此設置，在齊納二極管兩端施加反向擊穿電壓時，可以分兩次擊穿，首先由中心摻雜區(qū)所對應的位置先擊穿，然后整個環(huán)形摻雜區(qū)所對應的位置擊穿，由于中心摻雜區(qū)的直徑較小產(chǎn)生的漏電流較小，可以改善產(chǎn)品的擊穿特性。

28 一種制備低漏電齊納二極管芯片的方法及結構

     包括如下步驟：在N+襯底上直接通過外延，形成N?外延層。通過注入磷和退火，形成N+阱。通過注入硼和退火形成P?阱區(qū)域，其中P?阱面積大于N+阱面積，且覆蓋其上。通過注入硼和退火形成P+主結區(qū)。最后正面蒸發(fā)金屬和反刻金屬完成正面電極，減薄后背面蒸發(fā)金屬完成背面電極；其結構是采用特有的N?外延、N+阱、P?阱(其中P?阱面積大于N+阱面積，且覆蓋其上)和P+注硼工藝，可以確保P+/N+擊穿都在平面上，避免側向擊穿，另外可以將齊納二極管電壓降到7.5V以下，以5.1V齊納二極管為例，其漏電可以控制在小于5.0μA@4.2V，同時可以確保片內(nèi)電壓均勻性在±2％以內(nèi)，該結構已經(jīng)成功應用于低壓的齊納二極管領域。

29 一種二極管結構及其制備方法、半導體器件結構及其制備方法

     包括：柵極結構；陽極，位于柵極結構的一側，與柵極結構具有間距；陰極，位于柵極結構遠離陽極的一側，與柵極結構具有間距；電容，電容的第一極板與陽極相連接，電容的第二極板與柵極結構相連接。在瞬態(tài)ESD期間，高電壓變化率可誘導產(chǎn)生電容耦合電流，電容耦合電流將攜帶一定數(shù)量的正躍遷電荷到柵極結構，正躍遷電荷將存儲在柵極結構并拉下柵極結構中的能帶，并迫使電子聚集在柵極結構下，當正躍遷電荷產(chǎn)生的柵極電勢達到一定值時，大電流可以通過柵極結構，使ESD引起的累積靜電電荷被有效地釋放，可以避免ESD對柵極結構的破壞，從而增強結構的ESD魯棒性。

30 一種薄膜型半導體的瞬態(tài)電壓抑制二極管制備方法

     所述薄膜型半導體的瞬態(tài)電壓抑制二極管，將半導體薄膜技術與倒裝技術相結合，將大部分熱量通過基板導出，利用能帶工程設計，在兩種不同的高禁帶寬度半導體材料構建復合結構的異質(zhì)結中，構建自由晶格常數(shù)不同的兩種低禁帶寬度且同為高阻弱N型或高阻弱P型半導體材料的復合結構，形成本發(fā)明具有n?δ?p異質(zhì)結結構的薄膜型半導體瞬態(tài)電壓抑制二極管。

31一種穩(wěn)壓二極管及其制作方法

     該方法包括：在外延層上形成薄膜層，外延層形成于襯底上；刻蝕去除除第一目標區(qū)域以外其它區(qū)域的薄膜層，剩余的薄膜層形成隔離結構，隔離結構用于在進行離子注入時進行阻擋；在隔離結構的一側的第二目標區(qū)域進行離子注入形成第一重摻雜區(qū)；在隔離結構的另一側的第三目標區(qū)域進行離子注入形成第二重摻雜區(qū)，第一重摻雜區(qū)和第二重摻雜區(qū)中包含的雜質(zhì)類型不同，第一重摻雜區(qū)和所述外延層中包含的雜質(zhì)類型相同。本申請通過在用于形成第一重摻雜區(qū)的第二目標區(qū)域和用于形成第二重摻雜區(qū)的第三目標區(qū)域之間形成隔離結構，從而能夠阻擋由于工藝誤差使離子注入至非目區(qū)域，提高了器件的穩(wěn)定性。

32 一種平面型有機整流二極管結構及其制作方法

     所述二極管結構包括：基底、源電極、柵電極、介電層、漏電極；源電極、柵電極和漏電極設置在基底上；源電極和柵電極處于同一水平高度；漏電極和柵電極短接；介電層位于柵電極上；源電極和基底之間設置有黏附層。本發(fā)明利用濕法刻蝕與剝離的技術，將柵電極與源電極排列在同一個平面，二極管兩個電極間的寄生電容降為0，短接晶體管的柵電極與漏電極，保證了器件在電路中的高集成度。南京大學

33 一種齊納二極管及其制作方法

     包括：于襯底上形成電場阻擋層；于襯底上形成圖形掩膜，圖形掩膜具有顯露部分電場阻擋層的第一窗口；去除第一窗口內(nèi)的電場阻擋層；于襯底中形成第一導電類型摻雜區(qū)及第二導電類型摻雜區(qū)；于第一窗口的側壁形成側墻結構，以將第一窗口限制為第二窗口；基于第二窗口進行第一導電類型離子注入，以在第一導電類型摻雜區(qū)與第二導電類型摻雜區(qū)之間自對準形成第一導電類型連接區(qū)，其中，第一導電類型連接區(qū)的摻雜濃度大于第一導電類型摻雜區(qū)的摻雜濃度。工藝穩(wěn)定且成本較低，且能有效避免PN結的弧面結電場的劇增，從而通過局部增加PN結的平面結區(qū)域的濃度，可有效降低擊穿電壓，獲得更好的擊穿特性。

34 一種齊納二極管及其制造方法

     齊納二極管包括：半導體層、N型區(qū)以及P型區(qū)。N型區(qū)具有N型導電型，其中N型區(qū)形成于半導體層中，具有N型導電型，且N型區(qū)位于半導體層的上表面下并連接上表面。P型區(qū)具有P型導電型，其中P型區(qū)形成于半導體層中，且P型區(qū)完全位于N型區(qū)下方并連接于N型區(qū)。其中N型區(qū)覆蓋所有P型區(qū)。其中N型區(qū)的N型導電型雜質(zhì)濃度，高于P型區(qū)的P型導電型雜質(zhì)濃度。

35 一種金屬插件封裝大功率硅電壓調(diào)整二極管制備方法

     包括底板、邊框、管芯；所述底板上安裝有絕緣層,管芯安裝在絕緣層上，絕緣層和管芯之間設置有焊盤，邊框固接在底板上將絕緣層和管芯包圍，邊框上通過蓋板封閉，所述底板一端邊緣上加工有安裝孔，所示邊框側壁上加工有通孔，通孔內(nèi)安裝有陶瓷堵頭,外引線固接在陶瓷堵頭中且伸入邊框內(nèi)通過內(nèi)引線與管芯連接。通過合理的結構和材料搭配具有散熱好，穩(wěn)態(tài)功率高、反向漏電流小、氣密性強、安裝方便等特點，可廣泛應用于高可靠的航空、航天、船舶及海底電纜的電子線路中作穩(wěn)壓、箝位用。

36 一種穩(wěn)壓二極管的制備方法

     包括：提供襯底，在所述襯底上形成外延層，對所述外延層進行離子注入以在所述外延層中形成若干阱區(qū)；在所述外延層上形成硅化物層，所述硅化物層覆蓋所述外延層；刻蝕所述硅化物層的部分厚度以使所述硅化物層中形成若干凸起部，所述凸起部位于所述阱區(qū)的中心區(qū)域的上方；對所述凸起部相對的兩側下方的所述阱區(qū)分別進行離子注入，以形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)。以解決穩(wěn)壓二極管的擊穿電壓不符合設計要求的問題。

37 一種具有穩(wěn)定擊穿電壓的穩(wěn)壓二極管的制備方法

     通過調(diào)整P型區(qū)雜質(zhì)縱向分布改善穩(wěn)壓二極管擊穿電壓穩(wěn)定性的工藝方法，通過高能離子注入工藝，降低穩(wěn)壓二極管P型區(qū)雜質(zhì)濃度梯度：采用高能離子注入后低溫退火或快速退火工藝完成穩(wěn)壓二極管P型區(qū)雜質(zhì)激活，避免高溫熱過程導致的雜質(zhì)濃度再分布，降低穩(wěn)壓二極管P型區(qū)雜質(zhì)濃度在PN結附近的變化量。

38 半導體裝置(100)含有齊納觸發(fā)晶體管(104)制備方法

     所述齊納觸發(fā)晶體管(104)具有垂直集成于所述齊納觸發(fā)晶體管(104)的第一電流節(jié)點(106)中的齊納二極管(113)。所述齊納二極管(113)包含接觸所述第一電流節(jié)點(106)的n型陰極(114)及接觸所述n型陰極(114)的p型陽極(115)。德州儀器公司

39 一種穩(wěn)壓二極管及其制造方法

     穩(wěn)壓二極管包括背面電極層、襯底N+、外延層N??、外延層N?、正電極區(qū)P+、保護擴散環(huán)P++、鈍化層和銀臺電極，本發(fā)明的穩(wěn)壓二極管設計使用N+/N??/N?雙外延層外延片，利用雙擴散工藝制作PN結，鈍化層包括由下到上依次設置的二氧化硅和氮化硅；工藝中采用PECVD工藝和雙擴散結構制作工藝技術，簡化工藝步驟的同時提高了芯片的性能。制造方法相較于傳統(tǒng)工藝流程改動小，因此具有兼容性好、實用性強的特點。

40 一種齊納二極管及其制造方法

     該齊納二極管包括：襯底；形成于所述襯底中的第一摻雜類型的阱區(qū)；形成于所述阱區(qū)內(nèi)的第二摻雜類型的第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜類型與所述第二摻雜類型相反；以及形成于所述第一摻雜區(qū)下方的第二摻雜區(qū)，其中，所述第一摻雜區(qū)的下表面第一部分與所述阱區(qū)鄰接形成第一PN結，所述第一摻雜區(qū)的下表面第二部分與所述第二摻雜區(qū)鄰接形成第二PN結，所述第二摻雜區(qū)采用硬掩模限定橫向延伸的邊界，以使得所述第二摻雜區(qū)的邊界形成平面且所述平面與豎直方向的夾角小于或等于第一角度。能夠?qū)崿F(xiàn)第二摻雜區(qū)的均勻摻雜，進而增強齊納二極管擊穿電壓的穩(wěn)定性，并減小擊穿前的反向漏電。

41 一種齊納二極管及其制造方法

     形成的齊納二極管包括：位于襯底上的阱區(qū)；位于襯底上的第一摻雜區(qū)和分別位于該第一摻雜區(qū)兩側的第二摻雜區(qū)；分別位于第二摻雜區(qū)遠離第一摻雜區(qū)的一側的場氧區(qū)，該場氧區(qū)在靠近第二摻雜區(qū)一側的鳥嘴區(qū)域與前述第二摻雜區(qū)鄰接；以及位于場氧區(qū)上方的多晶硅層，其橫向延伸覆蓋在前述第二摻雜區(qū)的上方；還有分別與第一摻雜區(qū)和多晶硅層形成歐姆接觸的第一電極和與襯底形成歐姆接觸的第二電極。通過位于場氧區(qū)上方且橫向延伸覆蓋在第二摻雜區(qū)上表面的多晶硅層調(diào)節(jié)第二摻雜區(qū)與第一摻雜區(qū)共同和阱區(qū)形成的PN結在第二摻雜區(qū)側面的等電勢，以穩(wěn)定該PN結在各處的擊穿電壓。

42 具有可調(diào)整擊穿電壓的齊納二極管制造方法

     包括：形成在半導體襯底(SUB)中并且平行于在陰極區(qū)域(CD1)與陽極區(qū)域(AD1)之間的襯底的表面的齊納二極管結、被配置成在受到適當?shù)碾妷簳r生成垂直于齊納二極管結的第一電場的傳導區(qū)域(BDC，EDC，ED1，NW)、以及被配置成在受到適當?shù)碾妷簳r生成在齊納二極管結的平面中的第二電場的傳導區(qū)域(GT1，GTC)。意法半導體(魯塞)公司

43 一種穩(wěn)壓二極管的制作方法

     包括以下步驟：1)去除雜質(zhì)；2)一次氧化，3)二次氧化，4)三次氧化，5)燒結降溫，6)去除氧化層，7)安裝芯片，制得穩(wěn)壓二極管。本發(fā)明制作出的二極管穩(wěn)定性高，制作方法簡單，制造成本低。徐州銘昇電子科技有限公司

44 一種齊納二極管的制作方法

     包括：在P襯底上進行N型注入形成高壓N阱；在所述高壓N阱中形成有源區(qū)和STI區(qū)域；在所述高壓N阱中進行中壓PMOS管N型阱注入；在所述高壓N阱中進行低壓PMOS管N型阱注入；在所述高壓N阱中進行中壓NMOS管輕摻雜漏注入；在所述高壓N阱中對所述有源區(qū)進行N型有源區(qū)注入和P型有源區(qū)注入；在所述有源區(qū)上形成金屬合金層，在所述金屬合金層上形成鈍化層，在所述鈍化層中開設接觸孔，從接觸孔引出電極。本發(fā)明通過與工藝層次相對應的版圖的組合，節(jié)省了齊納注入的光罩，實現(xiàn)了低成本齊納二極管的制作。

45 一種齊納二極管及其制作方法

     包括：提供第一導電類型的襯底；在所述襯底內(nèi)形成第二導電類型的埋層；在所述襯底的上表面形成介質(zhì)層以及所述埋層上方的襯底區(qū)域內(nèi)形成第二導電類型的摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)包括第一摻雜區(qū)以及間隔環(huán)繞于所述第一摻雜區(qū)外圍的第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)及所述第二摻雜區(qū)的一端自所述襯底表面延伸進入所述埋層內(nèi)。上述方法可以提升所述齊納二極管的反向擊穿精度。

46 一種低伏電壓調(diào)整二極管制造方法

     涉及半導體分立器件制造技術領域，具體為，所述該低伏電壓調(diào)整二極管制造方法的工藝過程為：芯片氧化，光刻隔離，隔離N+擴散，光刻P+區(qū)，注入，退火，光刻N+區(qū)，注入，退火，光刻引線孔，正面金屬化，合金，減薄，背面金屬化，劃片。該低伏電壓調(diào)整二極管制造方法，采用復合穿通工藝制備PN結，設計采用N+P+P?N+四層結構，通過工藝控制調(diào)整兩個薄基區(qū)的厚度，降低PN結擊穿電壓，這種結構易于集成，不但適用于單管制造，更方便制成多路ESD保護器件，這種工藝方法制成的低伏電壓調(diào)整二極管器件具有反向漏電流小、動態(tài)電阻小的突出特點，極大地提升極低穩(wěn)壓器件的穩(wěn)壓性能。

47 一種散熱式齊納二極管制造方法

     包含屬于第一導電型的一重摻雜半導體基板、屬于第一導電型的一第一磊晶層、屬于第二導電型的一第一重摻雜區(qū)、一第二磊晶層與屬于第一導電型或第二導電型的一第二重摻雜區(qū)。第一磊晶層設于重摻雜半導體基板上，第一重摻雜區(qū)設于第一磊晶層中，并與重摻雜半導體基板相隔。第二磊晶層設于第一磊晶層上，第二磊晶層具有貫穿自身的一第一摻雜區(qū)，第一摻雜區(qū)屬于第二導電型，第一摻雜區(qū)接觸第一重摻雜區(qū)。第二重摻雜區(qū)設于第一摻雜區(qū)中。

48 一種齊納二極管的制備方法及齊納二極管制備方法

     通過形成橫向相接的不同摻雜類型的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，制成了具有橫向pn結的齊納二極管，避免了形成縱向pn結時，需要將摻雜深度較大的區(qū)域與其他摻雜區(qū)域區(qū)分開的掩膜及摻雜步驟，大大降低了齊納二極管的掩膜成本。

49 一種齊納二極管的制作方法

     包括：提供P型襯底，并在所述P型襯底制作N型阱；在所述N型阱制作場氧化區(qū)，所述場氧化區(qū)在所述N型阱的內(nèi)部界定齊納二極管主體制作區(qū)域；在所述齊納二極管主體制作區(qū)域進行第一次N型摻雜處理，形成N型低摻雜區(qū)；在所述N型低摻雜區(qū)進行第二次N型摻雜處理，以在所述N型低摻雜區(qū)形成N型重摻雜區(qū)，其中，所述N型低摻雜區(qū)和所述N型重摻雜區(qū)在形成過程中分別采用不同的曝光條件。

50 一種齊納二極管及其制造方法

     包括：半導體襯底；第一外延層，位于半導體襯底上；阱區(qū)，位于第一外延層中；第二外延層，位于阱區(qū)上；摻雜區(qū)，位于第二外延層中，其中，半導體襯底、第一外延層、阱區(qū)分別為第一摻雜類型，摻雜區(qū)為第二摻雜類型，第一摻雜類型與第二摻雜類型相反，第一外延層的摻雜濃度高于第二外延層的摻雜濃度。第一摻雜類型為N型和P型之一，第二摻雜類型為N型和P型中的另一個。該齊納二極管通過增加第二層外延層以及在第一外延層中由高能量的離子注入形成阱區(qū)可以同時改善擊穿電壓的穩(wěn)定性和減小動態(tài)電阻。

51 一種新型多晶硅薄膜齊納二極管及制作方法

     包括：襯底以及在襯底上依次生長鈍化層A和多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜部分區(qū)形成的N型摻雜區(qū)；在多晶硅薄膜另一部分進行的P型摻雜區(qū)；鈍化層B，該鈍化層位于多晶硅薄膜的上表面區(qū)域；N型摻雜區(qū)上的電極，該電極位于N型摻雜區(qū)的上方以及部分鈍化層的上方；P型摻雜區(qū)上的電極，該電極位于P型摻雜區(qū)的上方以及部分鈍化層的上方，在利用激光退火對N型摻雜劑與P型摻雜劑進行激活，改善了傳統(tǒng)的高溫爐激活工藝問題，時間短，靈活性高。

52 齊納二極管的制作方法和LED封裝器件

     包括在一基板上載設一臨時載體，所述臨時載體包括有與所述基板接觸的第一接觸層、與齊納二極管接觸的第二接觸層；將齊納二極管均勻排布在該臨時載體的第二接觸層；在均勻排布有齊納二極管的臨時載體上涂覆白色反光膠并固化，使齊納二極管表面形成一白色反光膠層；研磨去掉齊納二極管的電極表面的白色反光膠層；去掉所述臨時載體和基板；切割得到四周帶有反光膠層的齊納二極管單體。所述LED封裝器件包括通過該方法制作的齊納二極管。通過方法制作的齊納二極管不僅可以有效地避免吸光效應，而且制作過程不需要增加現(xiàn)有封裝設備和工序，同時該方法制作的齊納二極管良品率高。

53 具有可調(diào)整的低擊穿電壓的齊納二極管制備方法

     提供一種齊納二極管，包括：具有第一導電類型的陰極區(qū)域(CD1)，形成在具有第二導電類型的半導體襯底(SUB)的表面上；具有第二導電類型的陽極區(qū)域(AD1)，形成在所述陰極區(qū)域之下，所述陰極區(qū)域和所述陽極區(qū)域通過溝槽隔離(STI1)與襯底的其余部分相隔離；第一導電區(qū)域(CDC,EDC,ED1)，被配置為當其經(jīng)受足夠的電壓時生成與所述陰極區(qū)域和所述陽極區(qū)域之間的界面相垂直的第一電場；以及第二導電區(qū)域(GT1,GTC)，被配置為當其經(jīng)受足夠的電壓時生成與所述陰極區(qū)域和陽極區(qū)域之間的界面相平行的第二電場。意法半導體(魯塞)公司

54 具有可調(diào)整擊穿電壓的齊納二極管制備方法

     包括：形成在半導體襯底(SUB)中并且平行于在陰極區(qū)域(CD1)與陽極區(qū)域(AD1)之間的襯底的表面的齊納二極管結、被配置成在受到適當?shù)碾妷簳r生成垂直于齊納二極管結的第一電場的傳導區(qū)域(BDC，EDC，ED1，NW)、以及被配置成在受到適當?shù)碾妷簳r生成在齊納二極管結的平面中的第二電場的傳導區(qū)域(GT1，GTC)。意法半導體(魯塞)公司

55 一種齊納二極管的制備方法和齊納二極管制備方法

     制備方法包括：在襯底上形成第一肼區(qū)、第二肼區(qū)和齊納肼區(qū)后，在所述第一肼區(qū)和所述第二肼區(qū)的兩個公共區(qū)域以及所述第二肼區(qū)和所述齊納肼區(qū)的兩個公共區(qū)域形成場氧化層；在所述齊納肼區(qū)的內(nèi)部形成兩個多晶硅掩膜結構；在形成所述多晶硅掩膜結構的襯底上依次形成第一離子區(qū)域、第二離子區(qū)域、圖形化的隔離層和金屬電極以完成所述齊納二極管的制備。通過技術方案，確保了齊納二極管的源區(qū)尺寸和位置布局的準確性，避免了套刻偏差造成的電學特性誤差，進而影響用戶的使用需求。