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發(fā)光二極管（LED）的改進(jìn)技術(shù)主要包括：

1、提高發(fā)光效率?：通過(guò)采用新型半導(dǎo)體材料和優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，可以有效降低光衰，提升光效。例如，利用量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能夠減少光在材料內(nèi)部的吸收和散射，使得更多的光能夠有效輸出?。

2、增強(qiáng)穩(wěn)定性?：新型封裝材料和散熱技術(shù)的應(yīng)用，顯著提高了LED的耐高溫和耐候性能，減少光衰和色衰。同時(shí)，通過(guò)優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，降低LED的工作溫度，進(jìn)一步提升其穩(wěn)定性?。

3、延長(zhǎng)使用壽命?：改進(jìn)材料配方和工藝流程，減少了LED在工作過(guò)程中的老化現(xiàn)象。此外，智能控制技術(shù)的應(yīng)用使得LED能夠根據(jù)環(huán)境溫度和工作狀態(tài)自動(dòng)調(diào)整電流和電壓，從而延長(zhǎng)其使用壽命?。

4、創(chuàng)新應(yīng)用?：隨著LED技術(shù)的不斷改進(jìn)，其在照明、顯示以及醫(yī)療、農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。例如，柔性L(fǎng)ED顯示屏、植物照明LED等新興技術(shù)的應(yīng)用，為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新的增長(zhǎng)點(diǎn)?。

5、優(yōu)化半導(dǎo)體層設(shè)計(jì)?：通過(guò)優(yōu)化半導(dǎo)體層外周表面的性能，提升顯示設(shè)備的整體效果。這種設(shè)計(jì)使得半導(dǎo)體層的外周表面在不同區(qū)域間的周長(zhǎng)各不相同，從而實(shí)現(xiàn)更好的電流分布與光輸出效率?。

          本篇是為了配合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策向廣大企業(yè)、科研院校提供發(fā)光二極管技術(shù)制造工藝匯編技術(shù)資料。資料中每個(gè)項(xiàng)目包含了最詳細(xì)的技術(shù)制造資料,現(xiàn)有技術(shù)問(wèn)題及解決方案、產(chǎn)品生產(chǎn)工藝、、產(chǎn)品性能測(cè)試，對(duì)比分析。資料信息量大,實(shí)用性強(qiáng),是從事新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的必備工具。

【資料內(nèi)容】生產(chǎn)工藝、配方
【出品單位】國(guó)際新技術(shù)資料網(wǎng)
【資料頁(yè)數(shù)】809頁(yè)
【項(xiàng)目數(shù)量】60項(xiàng)
【資料合訂本】1680元(上、下冊(cè))
【資料光盤(pán)版】1480元（PDF文檔）

項(xiàng)目

1   一種具有全包式DBR結(jié)構(gòu)的微型發(fā)光二極管的制備方法

     包括如下步驟：制備本體；所述本體的頂部覆蓋頂部膜層，所述本體的側(cè)部覆蓋側(cè)部膜層；其中，所述側(cè)部膜層覆蓋所述頂部膜層的側(cè)面和/或所述頂部膜層覆蓋所述側(cè)部膜層的頂面；所述頂部膜層和側(cè)部膜層均由第一介質(zhì)薄膜層和第二介質(zhì)薄膜層交替沉積得到；制備所述頂部膜層和側(cè)部膜層：確定第一介質(zhì)薄膜層和第二介質(zhì)薄膜層的材質(zhì)、初始單層厚度以及頂部膜層和側(cè)部膜層的初始層數(shù)；對(duì)初始單層厚度以及初始層數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，并得到最優(yōu)單層厚度以及層數(shù)；根據(jù)最優(yōu)單層厚度以及層數(shù)在所述本體上進(jìn)行鍍膜，得到具有全包式DBR結(jié)構(gòu)的微型發(fā)光二極管。

2   一種深紫外發(fā)光二極管及其制備方法、芯片

     制備方法包括：在襯底上生長(zhǎng)緩沖層、N?AlGaN層，刻蝕得到多個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)；生長(zhǎng)量子阱結(jié)構(gòu)、P?AlGaN層、P?GaN層；制備第一掩膜結(jié)構(gòu)；去除未被第一掩膜結(jié)構(gòu)覆蓋的P?GaN層、P?AlGaN層和量子阱結(jié)構(gòu)；制備第二掩膜結(jié)構(gòu)；制備N(xiāo)?金屬電極；去除N?金屬電極以及第二掩膜結(jié)構(gòu)；制備第三掩膜結(jié)構(gòu)；生長(zhǎng)P?金屬電極，去除P?金屬電極以及第三掩膜結(jié)構(gòu)，退火后得到深紫外發(fā)光二極管。該制備方法能夠有效提高光提取效率，提高光輸出功率，避免對(duì)于高摻雜透明P型層的依賴(lài)，有效提高深紫外發(fā)光二極管的整體性能，降低生產(chǎn)成本。

3   一種納米發(fā)光二極管及其制備方法

     制備方法包括在襯底上生長(zhǎng)緩沖層；刻蝕緩沖層，形成第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)；形成多個(gè)第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)；形成第三臺(tái)面結(jié)構(gòu)；形成第四臺(tái)面結(jié)構(gòu)；制備第一圖形化掩膜結(jié)構(gòu)；刻蝕第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)；沉積N?金屬電極；去除第一圖形化掩膜結(jié)構(gòu)及其表面的N?金屬電極；制備第二圖形化掩膜結(jié)構(gòu)；沉積P?金屬電極；去除第二圖形化掩膜結(jié)構(gòu)及其表面的P?金屬電極，以得到納米發(fā)光二極管。該制備方法能夠解決微型發(fā)光二極管制造過(guò)程中的不均勻性和不一致性的問(wèn)題，有效提高生產(chǎn)效率，無(wú)需采用精密對(duì)準(zhǔn)工藝，減少了生產(chǎn)過(guò)程中的設(shè)備成本和生產(chǎn)周期，減少對(duì)設(shè)備的依賴(lài)，可以實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。

4   一種納米尺度可見(jiàn)光發(fā)光二極管及其制備方法

     制備方法包括：在襯底上生長(zhǎng)III族氮化物半導(dǎo)體外延層；在III族氮化物半導(dǎo)體外延層上沉積第一刻蝕掩模層；在第一刻蝕掩模層上制備具有周期性排列圖案的膠層；在第一刻蝕掩模層上形成圖案化的第二刻蝕掩模層；刻蝕第一刻蝕掩模層形成圖案化的第一刻蝕掩模層；刻蝕III族氮化物半導(dǎo)體外延層形成圖形化的III族氮化物半導(dǎo)體納米柱陣列模板；在III族氮化物半導(dǎo)體納米柱陣列模板上生長(zhǎng)LED結(jié)構(gòu)，得到納米尺度可見(jiàn)光發(fā)光二極管。該方法使在納米柱陣列模板上生長(zhǎng)的有源區(qū)受到的強(qiáng)壓應(yīng)變得到部分弛豫，增加了含In量子限制層中In的并入，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)波長(zhǎng)發(fā)光；同時(shí)提高輻射復(fù)合效率，增加了發(fā)光強(qiáng)度。

5   硅基鍺鉛紅外發(fā)光二極管及其制備方法

     涉及硅基光電技術(shù)領(lǐng)域。硅基鍺鉛紅外發(fā)光二極管，包括：硅襯底，設(shè)置有N區(qū)和P區(qū)，所述N區(qū)和所述P區(qū)分別位于所述硅襯底表面的不同區(qū)域且之間存在間隔；鍺鉛納米片，設(shè)置在所述N區(qū)和所述P區(qū)之間，并與所述N區(qū)和所述P區(qū)相接觸；氧化硅層，設(shè)置在具有所述鍺鉛納米片的所述硅襯底上，并在所述氧化硅層上開(kāi)設(shè)有窗口，所述窗口分別與所述N區(qū)和所述P區(qū)相接觸；電極，設(shè)置在所述窗口內(nèi)。

6   一種改善漏電的發(fā)光二極管及其制備方法

     屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該制備方法包括：形成外延層，所述外延層包括依次層疊的第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層具有露出所述第一半導(dǎo)體層的凹槽；在無(wú)氮?dú)夂桶睔獾臍夥障?，?duì)所述外延層進(jìn)行退火。能提升改善水汽侵入有源層致使發(fā)光二極管漏電失效的問(wèn)題。

7   一種發(fā)光二極管及其制造方法及發(fā)光模組、發(fā)光裝置

     外延結(jié)構(gòu)包括依次疊置的第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層、有源層及第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層，其中，有源層和第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層依次覆蓋第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的至少部分側(cè)壁。該外延結(jié)構(gòu)特征減少外延結(jié)構(gòu)側(cè)壁處的缺陷，減少外延結(jié)構(gòu)的非輻射復(fù)合，提高外延結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。另外，有源層及第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層同時(shí)還覆蓋第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的側(cè)壁，由此在側(cè)壁處也能形成輻射復(fù)合區(qū)，進(jìn)一步提高出光效率。在制造上述發(fā)光二極管時(shí)，將生長(zhǎng)襯底的第一表面形成為圖形化的表面，圖形化結(jié)構(gòu)包括凸起結(jié)構(gòu)以及與凸起結(jié)構(gòu)互補(bǔ)的凹陷區(qū)，在生長(zhǎng)襯底上生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)之后，去除生長(zhǎng)襯底以及形成在凹陷區(qū)域的外延結(jié)構(gòu)，保留下來(lái)的凸起結(jié)構(gòu)上方的外延結(jié)構(gòu)形成發(fā)光二極管，減少側(cè)壁缺陷，減少這些缺陷導(dǎo)致的非輻射復(fù)合，由此提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

8   發(fā)光二極管制備方法

     包括自下而上依次設(shè)置的透明頂電極層、稀土離子摻雜鐵電薄膜層、透明底電極層及GaN基LED襯底，所述透明底電極層為所述GaN基LED的p型電極，通過(guò)調(diào)節(jié)所述透明頂電極層與所述GaN基LED的p型電極之間的電壓以調(diào)節(jié)所述稀土離子摻雜鐵電薄膜層的極化狀態(tài)，以改變所述發(fā)光二極管的發(fā)光顏色，技術(shù)方案中，僅需引入一個(gè)稀土離子摻雜鐵電薄膜層即可實(shí)現(xiàn)GaN基LED發(fā)光器件的動(dòng)態(tài)調(diào)控，控制方式簡(jiǎn)單。

9   一種倒裝發(fā)光二極管制備方法及倒裝發(fā)光二極管，制備方法

     包括：提供一襯底，并在襯底表面沉積外延層；對(duì)外延層表面部分區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成N型半導(dǎo)體層導(dǎo)電臺(tái)階，在外延層表面的其他未刻蝕區(qū)域上制備電流擴(kuò)展層；在外延層表面制備布拉格反射層，對(duì)布拉格反射層進(jìn)行刻蝕形成通孔；在外延層表面涂布負(fù)性光刻膠，采用分區(qū)光罩進(jìn)行曝光、顯影處理，在負(fù)性光刻膠內(nèi)形成兩處尺寸不同的開(kāi)孔區(qū)域，依次在兩開(kāi)孔區(qū)域沉積導(dǎo)電金屬，以在大尺寸開(kāi)孔區(qū)域形成金屬反射層，在小尺寸開(kāi)孔區(qū)域形成橫向?qū)щ妼?；最后在外延層表面制備絕緣鈍化層和焊盤(pán)層。本申請(qǐng)制備的倒裝發(fā)光二極管，金屬層反射率高，產(chǎn)品成本低。

10 高效發(fā)光二極管及其制備方法

     包括在襯底上依次生長(zhǎng)AlN緩沖層、未摻雜的GaN層、N型GaN層、低溫應(yīng)力釋放層、多量子阱層、P型半導(dǎo)體層、P型歐姆接觸層；在生長(zhǎng)多量子阱層時(shí)，周期性交替生長(zhǎng)量子阱層和量子壘層，所述量子阱層為InGaN層，所述量子壘層為組合結(jié)構(gòu)，組合結(jié)構(gòu)包括BInGaN層?BGaN層?BN層?GaN層，減少載流子在缺陷處進(jìn)行非輻射復(fù)合發(fā)光的機(jī)率，從而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

11 一種提高亮度的發(fā)光二極管及其制備方法

     包括：外延層、第一絕緣層和金屬反射層，所述第一絕緣層和所述金屬反射層依次層疊在所述外延層的表面上，所述第一絕緣層至少覆蓋所述外延層的表面，所述第一絕緣層具有第一通孔，所述金屬反射層通過(guò)所述第一通孔與所述外延層電連接；所述第一絕緣層包括依次層疊在所述外延層上的第一反光層和第一反射層，所述第一反射層包括交替層疊的第一材料層和第二材料層，所述第一材料層的折射率小于所述第二材料層的折射率。實(shí)施例能改善發(fā)光二極管的反射效果，提升發(fā)光亮度。

12 一種能夠調(diào)控發(fā)光二極管光束形貌的方法

     包括如下步驟：在襯底上制作外延層；加工外延層制作歐姆接觸，定義光束形貌，借助對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，對(duì)襯底層對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行激光蝕刻，得到對(duì)應(yīng)的圖形化結(jié)構(gòu)，從而得到具有符合預(yù)設(shè)光束形貌的芯片。能夠以簡(jiǎn)單的工藝獲得出光面光束形貌可調(diào)的發(fā)光二極管芯片，制作成本低，且能夠適用于不同襯底結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管。

13 一種減少晶格適配的發(fā)光二極管制作方法

     包括襯底、形成于所述襯底上的BNO緩沖層、形成于所述BNO緩沖層上的過(guò)渡層以及形成于所述過(guò)渡層上的GaN外延層。利用BNO緩沖層和過(guò)渡層減少襯底與GaN外延層的晶格適配，進(jìn)而減小初始應(yīng)力，降低材料生長(zhǎng)過(guò)程中的錯(cuò)位和缺陷密度，提高GaN外延層生長(zhǎng)的晶體質(zhì)量，從而提高了發(fā)光二極管的量子效率、減少了漏電通道、提升了抗ESD能力。

14 一種降低電壓的發(fā)光二極管及其制備方法

     包括：外延層和第一電極，所述外延層包括依次層疊的第一半導(dǎo)體層、多量子阱層和第二半導(dǎo)體層；所述第二半導(dǎo)體層具有露出所述第一半導(dǎo)體層的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽位于所述第一半導(dǎo)體層的周邊邊緣，所述第二凹槽位于所述第一半導(dǎo)體層的中間區(qū)域，所述第一電極至少位于所述第一凹槽和所述第二凹槽內(nèi)，且與所述第一半導(dǎo)體層電連接。能降低發(fā)光二極管的電壓且不影響發(fā)光二極管的亮度。

15 一種提高發(fā)光角度的倒裝發(fā)光二極管及其制備方法

     包括依次層疊的透明襯底、填平層、鍵合層和外延層；透明襯底的第一表面具有多個(gè)第一圖形結(jié)構(gòu)，透明襯底的第二表面具有多個(gè)第二圖形結(jié)構(gòu)，第一表面和第二表面為透明襯底的相反的兩表面；填平層覆蓋第一表面。能提高倒裝LED的發(fā)光角度和出光效率。

16 一種出光增強(qiáng)型反極性AlGaInP發(fā)光二極管及其制備方法

     通過(guò)對(duì)光刻膠的厚度及堅(jiān)膜溫度及ICP刻蝕條件進(jìn)行優(yōu)化調(diào)整，在刻蝕過(guò)程中實(shí)現(xiàn)發(fā)光區(qū)外擴(kuò)，通過(guò)后續(xù)AlGaInP粗化實(shí)現(xiàn)亮度提升，該方法只需要AlGaInP粗化和分段刻蝕即可實(shí)現(xiàn)三種工藝的效果，大幅減少工藝流程，提升生產(chǎn)效率，降低成本。

17 一種GaN發(fā)光二極管制備方法

     包括如下步驟：S1、圖形化藍(lán)寶石襯底上制作外延，包含NGAN、量子井、PGAN、GAN超強(qiáng)電流擴(kuò)展層；S2、制作MESA蝕刻出N型區(qū)域；S3、制作ISO將切割道中間部分蝕刻到圖形化藍(lán)寶石襯底；S4、制作非金屬反射層：圖形化網(wǎng)狀分布、島狀分布、金屬導(dǎo)電反射層通過(guò)鏤空孔洞和GAN超強(qiáng)電流擴(kuò)展層聯(lián)通，實(shí)現(xiàn)金屬導(dǎo)電反射層和GAN聯(lián)通。藍(lán)寶石出光面使用圖形化搭配干法蝕刻方案粗化，解決研磨粗化的芯片斷裂隱患。

18 一種具有傾斜側(cè)壁和混介質(zhì)層ODR的深紫外發(fā)光二極管及其制備方法

     該發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)由下至上依次包括襯底、AlN緩沖層、N?型AlGaN層；其中，N?型AlGaN層分為兩部分，第二部分為截錐；截錐上依次覆蓋有多量子阱層、P?型電子阻擋層、P?型AlGaN層、P?型GaN層、P?型歐姆接觸層；臺(tái)面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，以及延展到周邊的N?型AlGaN層的第一部分的上表面，覆蓋有一層低折射率介質(zhì)層；低折射率介質(zhì)層外部覆蓋有高折射率介質(zhì)層、金屬反射鏡電極?？梢詼p少金屬反射鏡的吸收，反射率增加，從而提高深紫外LED的TM極性光的光提取效率。河北工業(yè)大學(xué)

19 一種發(fā)光二極管的制備方法、LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

     其中LED外延結(jié)構(gòu)從下至上依次包括：襯底、AlN緩沖層、GaN緩沖層、激光剝離層、非故意摻雜層、第一型半導(dǎo)體層、有源層以及第二型半導(dǎo)體層，其中，激光剝離層從下至上依次包括激光反應(yīng)層、激光消耗層和激光截止層，且激光消耗層為摻雜的結(jié)構(gòu)層。通過(guò)激光剝離層的設(shè)置，且將其中的激光消耗層設(shè)置為摻雜的結(jié)構(gòu)層，可以提升襯底剝離良率，改善剝離界面，同時(shí)還可以提高出光效率和亮度。

20 一種Micro發(fā)光二極管及其制造方法

     其中，Micro發(fā)光二極管制造方法包括以下步驟：提供第一基板，在第一基板上生長(zhǎng)紅光外延片，在紅光外延片上生長(zhǎng)第一結(jié)合層；提供第二基板，在第二基板上生長(zhǎng)綠光外延片，在綠光外延片上生長(zhǎng)第二結(jié)合層；提供第三基板，在第三基板上生長(zhǎng)藍(lán)光外延片，在藍(lán)光外延片上生長(zhǎng)第三結(jié)合層；提供第四基板，將第三結(jié)合層結(jié)合至第四基板，將第二結(jié)合層結(jié)合至藍(lán)光外延片，將第一結(jié)合層結(jié)合至綠光外延片，形成RGB外延片。將三種發(fā)光層垂直堆疊在一起，組合為一個(gè)整體做成微小單顆芯片后激光剝離，只需一次巨量轉(zhuǎn)移，良率高。

21 一種線(xiàn)偏振出光的發(fā)光二極管及其制作方法

     在LED器件出光面(上表面)設(shè)置介質(zhì)光柵過(guò)渡層和納米雙層金屬光柵，實(shí)現(xiàn)LED器件的偏振出光，在LED器件下表面設(shè)置金屬光柵超表面，將上表面的介質(zhì)光柵過(guò)渡層和納米雙層金屬光柵反射回的TE偏振光分量轉(zhuǎn)換成TM偏振光分量，進(jìn)一步從器件出光面(上表面)輻射出去，從而提高了偏振光的有效利用率，提高器件偏振出光效率。

22 一種改善發(fā)光效率的發(fā)光二極管及其制備方法

     包括依次層疊的n型層、有源層和p型層，所述有源層包括交替層疊的多個(gè)量子阱層和多個(gè)量子壘層，所述量子阱層包括至少四個(gè)子層，所述量子阱層的各子層均為InGaN層，所述量子阱層中相鄰的兩個(gè)子層的In組分的含量不同。能提升有源層的內(nèi)量子效率。

23 一種超晶格結(jié)構(gòu)電極接觸層的AlGaN發(fā)光二極管及其制備方法

     不同于傳統(tǒng)的利用p?GaN材料作為電極接觸層，使用垂直側(cè)壁結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，利用多量子阱層、電子阻擋層、超晶格層形成的傾斜面結(jié)構(gòu)，避免了傳統(tǒng)垂直側(cè)壁結(jié)構(gòu)對(duì)于側(cè)向發(fā)射的TM偏振發(fā)光難以收集的問(wèn)題；利用AlGaN超晶格層作為器件的p型電極接觸層，避免了p?GaN層對(duì)于紫外光的吸收以及高反射電極歐姆接觸特性不好的問(wèn)題。

24 一種發(fā)光二極管及發(fā)光二極管的制作方法

     包括：襯底，具有相對(duì)設(shè)置的上表面和下表面；半導(dǎo)體外延疊層，包含襯底的上表面之上的第一半導(dǎo)體層、活性層和第二半導(dǎo)體層；第一側(cè)壁，形成于所述襯底的邊緣，所述第一側(cè)壁具有粗化結(jié)構(gòu)，粗化結(jié)構(gòu)包括凸起；第二側(cè)壁，形成于所述半導(dǎo)體外延疊層的邊緣，不具有粗化結(jié)構(gòu)；臺(tái)面，形成于所述襯底上表面，且不與半導(dǎo)體外延疊層重疊的部分。發(fā)光二極管粗化后可以得到粗糙的第一側(cè)壁，平坦的第二側(cè)壁以及臺(tái)面，可以提升半導(dǎo)體發(fā)光二極管的可靠性。

25 一種發(fā)光二極管、發(fā)光二極管的制造方法及裝置

     包括：驅(qū)動(dòng)板和若干個(gè)發(fā)光單元，若干個(gè)發(fā)光單元分別設(shè)置在驅(qū)動(dòng)板上，且若干個(gè)發(fā)光單元相互通過(guò)單元隔離層間隔設(shè)置；發(fā)光單元包括：N型電極、LED發(fā)光層、P型電極和介質(zhì)層；N型電極、LED發(fā)光層、P型電極和介質(zhì)層從下至上依次疊加設(shè)置，介質(zhì)層內(nèi)設(shè)有刻蝕區(qū)，刻蝕區(qū)添加顏色轉(zhuǎn)換材料，形成顏色轉(zhuǎn)換層。在驅(qū)動(dòng)板設(shè)有若干個(gè)間隔設(shè)置的發(fā)光單元，發(fā)光單元的介質(zhì)層設(shè)有刻蝕區(qū)，刻蝕區(qū)設(shè)有顏色轉(zhuǎn)換材料，將顏色轉(zhuǎn)換層被限制在犧牲層結(jié)構(gòu)內(nèi)，光學(xué)隔離貫穿顏色轉(zhuǎn)換層和發(fā)光單元間的透明介質(zhì)，可以將發(fā)光單元顏色轉(zhuǎn)換完全隔離，從而減少發(fā)光單元及顏色轉(zhuǎn)換層的光串?dāng)_。

26 一種微發(fā)光二極管的制備方法、微發(fā)光二極管和顯示設(shè)備

     該方法包括：在襯底的一表面上制備半導(dǎo)體外延層，半導(dǎo)體外延層包括層疊設(shè)置的N型半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體發(fā)光層以及P型半導(dǎo)體層；對(duì)半導(dǎo)體外延層進(jìn)行刻蝕，得到多個(gè)隔離槽；對(duì)半導(dǎo)體外延層的外側(cè)進(jìn)行離子注入，形成隔離層；對(duì)隔離層的外側(cè)進(jìn)行濕法腐蝕，得到反射隔離層；反射隔離層具有與半導(dǎo)體外延層貼合的第一側(cè)面以及與第一側(cè)面相背設(shè)置的第二側(cè)面，入射至第二側(cè)面的光滿(mǎn)足全反射條件。能夠在有效發(fā)光面積不變的前提下降低刻蝕損傷對(duì)發(fā)光效率的影響，既可實(shí)現(xiàn)具有更好電流注入效果的共P/N型電極設(shè)計(jì)，也可實(shí)現(xiàn)對(duì)像素單獨(dú)尋址的電極設(shè)計(jì)；而可降低側(cè)壁出光比例，提高對(duì)比度。

27 一種發(fā)光二極管及其制作方法

     由于第二非摻雜半導(dǎo)體層中形成有空心柱，在第二非摻雜半導(dǎo)體層上生長(zhǎng)后續(xù)結(jié)構(gòu)層時(shí)，由空心柱來(lái)釋放生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力，降低了發(fā)光二極管在制作過(guò)程中形成位錯(cuò)缺陷的幾率，減小了在第一方向上的位錯(cuò)缺陷的密度，進(jìn)而，改善了由于位錯(cuò)缺陷而出現(xiàn)的漏電通道和非輻射復(fù)合中心的問(wèn)題，提高了發(fā)光二極管的性能，且提高了發(fā)光二極管的制作良率。

28 一種鹽基碳量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法

     其采用L?抗壞血酸與碳酰胺為原料制備碳量子點(diǎn)，以碳量子點(diǎn)做發(fā)光材料，并按照實(shí)際需求制備不同形狀的鹽基結(jié)構(gòu)，將碳量子點(diǎn)導(dǎo)入氯化鈉陣列基層，制成發(fā)光二極管，所制備的碳量子點(diǎn)發(fā)光層發(fā)光性能優(yōu)良，熱穩(wěn)定性高，制備方法工藝簡(jiǎn)單，從制備發(fā)光材料到發(fā)光二極管，可形成連續(xù)的工藝流程，易于推廣應(yīng)用。

29 一種GaN發(fā)光二極管制作方法

     依次包括：處理襯底、生長(zhǎng)低溫GaN緩沖層、生長(zhǎng)非摻雜GaN層、生長(zhǎng)摻雜Si的n型GaN層、生長(zhǎng)促進(jìn)層、生長(zhǎng)多量子阱層、生長(zhǎng)AlGaN電子阻擋層、生長(zhǎng)摻雜Mg的P型GaN層，降溫冷卻，其中生長(zhǎng)促進(jìn)層依次包括生長(zhǎng)Ga2O3漸變層、生長(zhǎng)MgO層和Mg摻雜InAlN層的步驟。可以提高LED的發(fā)光效率，并提高LED的抗靜電能力，并減少波長(zhǎng)藍(lán)移，提高波長(zhǎng)均勻性。

30 一種微型發(fā)光二極管背光的制造方法

     一種半導(dǎo)體設(shè)備，方法包括：提供透明膜片和玻璃基板。在透明膜片上利用一次工藝形成油墨層，油墨層的材料為熱固型油墨。利用激光鏤空工藝刻蝕油墨層，形成多個(gè)開(kāi)口，以油墨層朝向玻璃基板的方向貼合透明膜片和玻璃基板，去除透明膜片，在開(kāi)口內(nèi)貼裝微型發(fā)光二極管。由于形成油墨以及形成多個(gè)開(kāi)口是在透明膜片上，油墨此時(shí)不和玻璃基板接觸，并且是利用激光鏤空工藝刻蝕油墨層，而不是利用曝光顯影的方式，因此不會(huì)導(dǎo)致在形成開(kāi)口的過(guò)程中油墨顆粒殘留在開(kāi)口的問(wèn)題，避免由于油墨顆粒影響微型發(fā)光二極管的顯示。

31 一種發(fā)光二極管的制作方法及發(fā)光二極管制備方法

     制作方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括依次形成的緩沖層、n型GaN層、有源區(qū)、AlGaN阻擋層以及p型GaN層；刻蝕所述外延結(jié)構(gòu)至暴露所述n型GaN層，形成側(cè)壁均為GaN晶體M面的臺(tái)面結(jié)構(gòu)；采用四甲基氫氧化銨溶液對(duì)所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行腐蝕；鈍化處理并在所述外延結(jié)構(gòu)上形成電極。制作方法及發(fā)光二極管，隨著尺寸的減小，效率能夠提升，因而能夠克服尺寸效應(yīng)，為制造更加高效的、更小尺寸的微型發(fā)光二極管提供了新的道路。

32 微型半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu)(10)制備方法

     其包括：第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一半導(dǎo)體層(1)；布置在第一半導(dǎo)體層(1)上的第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二半導(dǎo)體層(2)；有源層序列(4)，其包括面向第一半導(dǎo)體層(1)的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一邊緣層(41)和背離第一半導(dǎo)體層(1)的第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二邊緣層(42)；以及至少布置在有源層序列(4)上的第二導(dǎo)電類(lèi)型的第三半導(dǎo)體層(3)。第一導(dǎo)電類(lèi)型和第二導(dǎo)電類(lèi)型具有相反的摻雜。第二半導(dǎo)體層(2)具有至少一個(gè)朝向第一半導(dǎo)體層(1)穿透第二半導(dǎo)體層(2)的窗口(21)。第一半導(dǎo)體層(1)在窗口(21)的區(qū)域中具有凹部(11)。有源層序列(4)至少布置在凹部(11)中。第一邊緣層(41)在凹部(11)中電連接至第一半導(dǎo)體層(1)。第三半導(dǎo)體層(3)至少在窗口(21)的區(qū)域中布置在有源層序列(4)上。第二邊緣層(42)電連接至第三半導(dǎo)體層(3)。艾邁斯-歐司朗國(guó)際有限責(zé)任公司

33 具有傾斜光柵出光層的倒裝紅光發(fā)光二極管及制備方法

     包括依次層疊設(shè)置的p型電極、金屬反射層、p型電流擴(kuò)展層、p型限制層、多量子阱有源區(qū)、n型限制層、n型接觸層和n型電極，所述n型電極部分覆蓋于所述n型接觸層的表面，所述倒裝紅光發(fā)光二極管還包括傾斜光柵出光層，所述傾斜光柵出光層傾斜設(shè)置于所述n型接觸層所述n型電極未覆蓋的表面。通過(guò)在p型電流擴(kuò)展層表面蒸鍍高反射率金屬反射層來(lái)替代傳統(tǒng)紅光發(fā)光二極管中的布拉格反射器和永久襯底，并通過(guò)在n型接觸層上制備一傾斜光柵出光層，有效提高了倒裝紅光發(fā)光二極管內(nèi)部的光提取效率。

34 一種帶角度的小尺寸白色發(fā)光二極管的制備方法

     具體步驟如下：S1：采用固晶工藝在基板正面以陣列形式粘結(jié)若干晶片；S2：使用模具Ⅰ對(duì)黃色熒光膠進(jìn)行一次模壓成型，在基板正面形成若干膠道區(qū)Ⅰ，每個(gè)膠道區(qū)Ⅰ包括若干間隔排列的條形凸起膠道；S3：使用模具Ⅱ?qū)ν该髂z進(jìn)行二次模壓成型，在基板正面形成若干膠道區(qū)Ⅱ，每個(gè)膠道區(qū)Ⅱ包括若干以陣列排布的弧形凸起膠面，每個(gè)弧形凸起膠面均對(duì)應(yīng)包覆一單顆晶片，對(duì)二次模壓成型后的基板進(jìn)行烘烤固化，完成封裝。通過(guò)優(yōu)化生產(chǎn)工藝，不僅可以提升白光集中度，實(shí)現(xiàn)貼片白光二極管的小電流高亮度性能，還可以節(jié)約生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)良品率。

35 一種具備復(fù)合阻擋結(jié)構(gòu)的深紫外發(fā)光二極管及其制備方法

     包括沿生長(zhǎng)方向依次層疊設(shè)置的襯底、本征層、電子注入層、電流擴(kuò)展層、量子阱有源層、電子阻擋層、空穴注入層以及歐姆接觸層，電子阻擋層包括多個(gè)周期結(jié)構(gòu)，每個(gè)周期結(jié)構(gòu)沿生長(zhǎng)方向依次包括層疊設(shè)置的第一子層、第二子層和第三子層，其中，第一子層為AlGaN材料，且第一子層的Al組分含量沿生長(zhǎng)方向線(xiàn)性遞減，第二子層為MgN材料，第三子層為AlGaN材料，且第三子層的Al組分含量沿生長(zhǎng)方向線(xiàn)性遞增；能促進(jìn)空穴從電子阻擋層向量子阱有源層的注入，進(jìn)而提高深紫外發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

36 一種發(fā)光二極管及其制備方法和顯示面板

     包括：外延層和光學(xué)膜，所述光學(xué)膜位于所述外延層的第一表面，所述光學(xué)膜的周邊邊緣不超過(guò)所述第一表面的側(cè)邊；所述外延層的第二表面與所述第一表面之間的夾角為銳角，所述第二表面與所述第一表面相連。能保證工藝生長(zhǎng)的光學(xué)膜不會(huì)超過(guò)外延層的側(cè)邊，降低光學(xué)膜的加工難度。

37 一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管LED及其制備方法

     包括依次層疊設(shè)置的襯底、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和陰級(jí)，空穴傳輸層包括依次層疊設(shè)置的p?NiO層和p?NiMgO層，p?NiO層為NiO，p?NiMgO層為Ni_xMg_1?xO。構(gòu)建的全無(wú)機(jī)QD?LED，將過(guò)高的空穴勢(shì)壘轉(zhuǎn)化為若干個(gè)很小的帶階，p?NiMgO層相當(dāng)于為空穴架起一個(gè)樓梯，使p?NiO空穴注入層中濃度較高的空穴沿著這個(gè)階梯源源不斷地傳遞到量子點(diǎn)發(fā)光層中，由于沒(méi)有了大勢(shì)壘的限制，空穴不會(huì)在HTL/量子點(diǎn)發(fā)光層的界面處富集，而更傾向于注入到量子點(diǎn)中，實(shí)現(xiàn)了空穴的有效注入。

38 一種超輻射發(fā)光二極管制備方法

     包括：將待研磨的激光器芯片固定在研磨機(jī)的夾具上；對(duì)夾具上的激光器芯片進(jìn)行研磨，使激光器芯片的波導(dǎo)達(dá)到目標(biāo)參數(shù)，得到超輻射發(fā)光二極管；目標(biāo)參數(shù)包括目標(biāo)腔長(zhǎng)度、目標(biāo)腔面粗糙度或者目標(biāo)腔面傾斜角度中的至少一項(xiàng)。本申請(qǐng)可免除超輻射發(fā)光二極管的重新設(shè)計(jì)和光刻板的投入成本，僅通過(guò)上述簡(jiǎn)單、可重復(fù)性強(qiáng)、靈活性強(qiáng)的流程便可將量產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)激光器芯片制備成可定制化波導(dǎo)腔長(zhǎng)、腔面傾斜角和粗糙度的超輻射發(fā)光二極管。減少了超輻射發(fā)光二極管的波導(dǎo)設(shè)計(jì)、工藝研發(fā)等資源投入、降低了超輻射發(fā)光二極管的生產(chǎn)成本，在可見(jiàn)光通信及照明領(lǐng)域具有普及和發(fā)展的潛力。復(fù)旦大學(xué)

39 一種石墨烯納米帶發(fā)光二極管及其制備方法

     包括由下自上依次設(shè)置的襯底、陽(yáng)極、空穴注入層、發(fā)光層、電子注入層、陰極；發(fā)光層的材質(zhì)為GNR；空穴注入層的材質(zhì)為NiO；電子注入層的材質(zhì)為IGZO。創(chuàng)新性地將石墨烯納米帶作為發(fā)光二極管的發(fā)光層，采用IGZO和NiO作為電子和空穴注入層，因?yàn)檫@兩種半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)能夠與石墨烯納米帶的能帶結(jié)構(gòu)相匹配，在理論上能夠?qū)崿F(xiàn)載流子的注入、復(fù)合等過(guò)程，所以在將能量傳遞給石墨烯納米帶的價(jià)帶電子時(shí)，能夠使得石墨烯納米帶價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶，從而在電子由不穩(wěn)定的導(dǎo)帶重新回到價(jià)帶的過(guò)程中，能夠?qū)⒛芰恳钥梢?jiàn)光的形式釋放出來(lái)。山東大學(xué)

40 一種反極性發(fā)光二極管的制備方法

     其特征在于，包括以下步驟：提供一GaAs襯底，在所述GaAs襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、腐蝕截止層、N型半導(dǎo)體層、多量子阱層、P側(cè)波導(dǎo)層、P型限制層、過(guò)渡層和P型歐姆接觸層，得到發(fā)光二極管外延片；對(duì)所述發(fā)光二極管外延片進(jìn)行反極性處理，得到反極性發(fā)光二極管。制備方法能夠提高反極性發(fā)光二極管的電流擴(kuò)展性能、發(fā)光功率及大功率下的可靠性。

41 一種深紫外發(fā)光二極管及其制備方法

     該深紫外發(fā)光二極管中緩沖層中的每一層子緩沖層具有不同的膜層厚度、生長(zhǎng)速率、退火溫度、退火時(shí)間以及氧含量，以形成致密程度和晶格大小漸變的緩沖層結(jié)構(gòu)，并且采用逐層退火的方式減少緩沖層內(nèi)的缺陷密度，提高緩沖層的膜層質(zhì)量，進(jìn)而提高深紫外發(fā)光二極管的光電性能。

42 一種包含高有序InGaN/GaN納米棒陣列的發(fā)光二極管的制備方法

     包括以下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)，外延結(jié)構(gòu)包括由下之上依次設(shè)置的未摻雜GaN緩沖層、n型GaN層、InGaN/GaN多層量子阱層和p型GaN層；采用納米壓印光刻工藝制備出微觀形貌、尺寸可控的鎳點(diǎn)陣列；將鎳點(diǎn)陣列作為掩膜，采用干法刻蝕工藝將外延結(jié)構(gòu)刻蝕到nGaN層，得到納米棒陣列，依次放入KOH溶液中刻蝕和稀鹽酸中煮沸；采用SOG工藝對(duì)納米棒陣列進(jìn)行絕緣和結(jié)構(gòu)平面化處理，然后退火；先在納米棒陣列的尖端沉積Ni/Au，再在Ni/Au上蒸鍍氧化銦錫電流擴(kuò)展層，形成與pGaN層的半透明歐姆接觸；在n?GaN層上蒸鍍Ti/Al，形成與nGaN層的歐姆接觸。與平面LED相比較，所制備的有序納米棒陣列的發(fā)光強(qiáng)度顯著增強(qiáng)。

43 一種發(fā)光二極管及其制備方法

     其中發(fā)光二極管包括：襯底；生長(zhǎng)在襯底上方的外延層，外延層包括在襯底上方依次生長(zhǎng)的GaN基底、緩沖層、n型GaN、多層量子阱和p型GaN；外延層中設(shè)置有若干個(gè)隔離區(qū)；隔離區(qū)包括注入隔離層、鈍化層和光學(xué)隔離區(qū)；注入隔離層與外延層的側(cè)壁接觸，鈍化層覆蓋在注入隔離層上，光學(xué)隔離區(qū)為鈍化層形成的隔離溝槽，光學(xué)隔離區(qū)填充有光學(xué)隔離材料；p型GaN上方沉積有P型金屬電極層。本發(fā)明在外延層中設(shè)置有若干個(gè)隔離區(qū)，隔離區(qū)中的注入隔離層與發(fā)光單元外延層的側(cè)壁接觸，不會(huì)對(duì)外延層側(cè)壁造成損傷，從而能夠在實(shí)避免出現(xiàn)非輻射復(fù)合中心缺陷，進(jìn)而能夠有效提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

44 一種超輻射發(fā)光二極管及其制作方法

     包括襯底層、波導(dǎo)層、多量子阱有源層和對(duì)接生長(zhǎng)層，波導(dǎo)層設(shè)置在襯底層的第一方向側(cè)，多量子阱有源層和對(duì)接生長(zhǎng)層設(shè)置在波導(dǎo)層的第一方向側(cè)，對(duì)接生長(zhǎng)層設(shè)置在多量子阱有源層沿超輻射發(fā)光二極管的出光方向上，以使光場(chǎng)在傳輸時(shí)被引導(dǎo)至超輻射發(fā)光二極管的多量子阱有源層靠近襯底層的一側(cè)，能夠使得對(duì)接生長(zhǎng)層與波導(dǎo)層相配合，將光場(chǎng)在傳輸時(shí)被引導(dǎo)至多量子阱有源層靠近襯底層的一側(cè)，增強(qiáng)芯片的抗反射能力，可以獲得大功率、小光譜調(diào)制的光源，還能減小光斑的垂直遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角，得到一個(gè)更接近圓形的輸出光斑，有利于與光纖進(jìn)行耦合，提高出纖功率。

45 一種微型發(fā)光二極管及其制作方法

     包括：襯底；緩沖層，形成在襯底上；n型層，形成在緩沖層上；有源層，有源層在n型層上形成第二臺(tái)面；p型層，p型層在有源層上形成第一臺(tái)面；n型電極和p型電極，n型電極形成在n型層上，p型電極形成在p型層上；絕緣層，形成在n型層、有源層和p型層上，n型電極和p型電極上開(kāi)設(shè)有電極窗口；其中，第一臺(tái)面的寬度小于第二臺(tái)面的寬度，以調(diào)控有源層內(nèi)的載流子的輸運(yùn)路徑，使載流子遠(yuǎn)離有源層的側(cè)壁。能夠有效抑制刻蝕損傷帶來(lái)的輻射復(fù)合效率下降，進(jìn)而可以提高器件的輻射復(fù)合效率。

46 一種垂直發(fā)光二極管及其制備方法、LED燈板

     該垂直發(fā)光二極管包括導(dǎo)電層以及依次沉積于導(dǎo)電層上的Ag金屬反射鏡、光角轉(zhuǎn)換層、外延層、導(dǎo)電金屬層；導(dǎo)電層包括芯片焊盤(pán)以及依次沉積于芯片焊盤(pán)上的導(dǎo)電基板、Au金屬膜層、Au金屬薄膜以及Ni金屬薄膜，光角轉(zhuǎn)換層的截面呈倒梯形結(jié)構(gòu)，光角轉(zhuǎn)換層為本征GaN層，通過(guò)設(shè)置Ag金屬反射鏡以及光角轉(zhuǎn)換層，使得垂直發(fā)光二極管內(nèi)部大角度的光線(xiàn)通過(guò)Ag金屬反射鏡的反射轉(zhuǎn)換為小角度的光線(xiàn)，防止大角度光線(xiàn)在垂直發(fā)光二極管內(nèi)發(fā)生全反射無(wú)法釋放，從而提升垂直發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

47 一種發(fā)光二極管及其制造方法及發(fā)光裝置

     發(fā)光二極管中，外延結(jié)構(gòu)至少包括依次疊置的第一半導(dǎo)體層、有源層及第二半導(dǎo)體層；反射結(jié)構(gòu)形成于第二半導(dǎo)體層，反射結(jié)構(gòu)包括透明導(dǎo)電層；其中，透明導(dǎo)電層與第二半導(dǎo)體層的厚度比介于1：5～2：1之間。技術(shù)方案通過(guò)控制透明導(dǎo)電層與第二半導(dǎo)體層的厚度，提供一個(gè)合適的厚度比和/或厚度比范圍，可以確保透明導(dǎo)電層積聚的內(nèi)應(yīng)力相對(duì)較小，產(chǎn)生的彎曲形變量較低，同時(shí)也可以減小應(yīng)力傳遞對(duì)其下方外延結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)襯底的不良影響，使晶圓的翹曲度保持在極低范圍內(nèi)，避免了產(chǎn)生邊緣應(yīng)力集中點(diǎn)和外延結(jié)構(gòu)脫落等質(zhì)量問(wèn)題，提高了發(fā)光裝置的產(chǎn)品良率。

48 一種垂直型深紫外發(fā)光二極管及其制備方法

     垂直型深紫外發(fā)光二極管從上至下依次包括N型電極、N型GaN層、量子阱有源層、P型GaN層、金屬材料層以及鍵合襯底，其中，垂直型深紫外發(fā)光二極管的內(nèi)部還設(shè)置有多個(gè)凹槽，每一凹槽完全貫穿N型GaN層、量子阱有源層、P型GaN層以及金屬材料層；本發(fā)明通過(guò)在垂直型深紫外發(fā)光二極管的內(nèi)部設(shè)計(jì)的多個(gè)凹槽可以減少P型GaN層以及鍵合襯底對(duì)量子阱有源層發(fā)射至鍵合襯底方向的紫外光的吸收，同時(shí)凹槽完全貫穿N型GaN層以及量子阱有源層，有利于量子阱有源層發(fā)射至N型電極方向的紫外光沿凹槽側(cè)面發(fā)生漫反射，進(jìn)一步提升了垂直型深紫外發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度。

49 發(fā)光二極管及其制備方法以及發(fā)光裝置

     包括襯底基板、第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層；襯底基板的上方具有沿襯底基板的板面分布且鄰接的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第二區(qū)域圍繞第一區(qū)域分布；其中，第一半導(dǎo)體層位于第二區(qū)域的部分設(shè)置有多個(gè)開(kāi)孔，開(kāi)孔向下延伸至襯底基板處；開(kāi)孔的至少部分孔段形成為倒角孔段；倒角孔段自下向上逐漸縮小，以使倒角孔段的內(nèi)側(cè)壁與開(kāi)孔之間的分界面形成有倒角狀反射面，倒角狀反射面至少分布于倒角孔段的受光側(cè)。具有更高的出光效率。

50 一種AlGaN基深紫外發(fā)光二極管及其制備方法

     從下至上依次包括襯底、緩沖層、n型半導(dǎo)體電子注入層、多量子阱有源層、p型電子阻擋層、界面勢(shì)壘調(diào)控層、p型半導(dǎo)體空穴注入層、p型接觸層、p型電極、n型電極。電子阻擋層/調(diào)控層界面以及調(diào)控層/空穴注入層界面間會(huì)產(chǎn)生負(fù)極化誘導(dǎo)電荷，吸引空穴聚集，使得電子阻擋層與空穴注入層之間形成“M”狀的空穴聚集區(qū)。同時(shí)，調(diào)控層能夠減小電子阻擋層和空穴注入層之間的價(jià)帶偏移使得兩者間的界面勢(shì)壘高度降低，讓更多的載流子能夠翻越電子阻擋層進(jìn)入有源區(qū)，解決了因電子阻擋層和空穴注入層界面勢(shì)壘所帶來(lái)的DUV?LED的載流子注入不足的問(wèn)題。

51 一種硅納米線(xiàn)核殼結(jié)構(gòu)異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管及其制備方法

     結(jié)構(gòu)從上到下依次為：銀柵線(xiàn)、正面電極、電荷傳輸層、硅納米線(xiàn)核殼結(jié)構(gòu)層、摻雜硅襯底(P型或N型)、背面電極。使用硅納米線(xiàn)和包覆層形成的核殼結(jié)構(gòu)，構(gòu)成半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管，并利用硅納米線(xiàn)的大比表面積，增大異質(zhì)結(jié)有效結(jié)面積，提高電子和空穴的復(fù)合幾率，從而提高發(fā)光二極管的電致發(fā)光效率。復(fù)旦大學(xué)

52 一種深紫外發(fā)光二極管的制備方法和深紫外發(fā)光二極管

     該制備方法包括：首先將雙通陽(yáng)極氧化鋁模板轉(zhuǎn)移至一深紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)中遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)表面上，其次在雙通陽(yáng)極氧化鋁模板上形成抗刻蝕層，隨后剝離雙通陽(yáng)極氧化鋁模板，再以抗刻蝕層為掩膜對(duì)深紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，使深紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)中的發(fā)光材料層形成量子點(diǎn)陣列，最后去除抗刻蝕層；通過(guò)采用雙通陽(yáng)極氧化鋁模板將深紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)中的發(fā)光材料層制備成量子點(diǎn)陣列，實(shí)現(xiàn)了深紫外發(fā)光二極管在光輸出功率的較大提升。

53 一種氮化鎵基諧振腔發(fā)光二極管及其制備方法

     包括：自下而上依次層疊的支撐襯底、下反射鏡、電流擴(kuò)展層、發(fā)光層、上反射鏡；所述發(fā)光層包括：自上往下依次層疊N型半導(dǎo)體外延層、有源區(qū)、P型半導(dǎo)體外延層，形成PIN結(jié)構(gòu)，用于發(fā)光；所述上反射鏡為濾波器結(jié)構(gòu)反射鏡，通過(guò)氮化鎵外延層與所述發(fā)光層連接，用于透射中心波長(zhǎng)光，反射非中心波長(zhǎng)光；所述上反射鏡和發(fā)光層連接有上電極。使用濾波器結(jié)構(gòu)作為反射鏡制作氮化鎵基諧振腔發(fā)光二極管相比于常規(guī)氮化鎵基諧振腔發(fā)光二極管具有更窄的線(xiàn)寬、并可實(shí)現(xiàn)高純度單縱模發(fā)光。廈門(mén)大學(xué)

54 一種高輻射發(fā)光二極管制備方法及發(fā)光二極管制備方法

     包括：提供一襯底；依次在襯底上沉積緩沖層、N型GaN層、低溫應(yīng)力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層和P型GaN層；其中，多量子阱層包括按第一周期交叉沉積在低溫應(yīng)力釋放層上的InxGa1xN量子阱層和InyGa1yN超晶格量子壘層，x＞y，InyGa1yN超晶格量子壘層包括按第二周期交叉沉積的Mg摻第一壘層和第二壘層，Mg摻第一壘層采用3D模式沉積制成，第二壘層采用2D模式沉積制成。提供的發(fā)光二極管，能夠減弱多量子阱層中因極化效應(yīng)而導(dǎo)致的能帶傾斜現(xiàn)象，提高發(fā)光二極管的質(zhì)量。

55 一種基于SiC襯底的AlGaInP發(fā)光二極管及制備方法

     該制備方法在具有極佳導(dǎo)熱系數(shù)的SiC襯底上生長(zhǎng)AlGaInP外延層，因此無(wú)需向現(xiàn)有技術(shù)中一樣通過(guò)襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)將AlGaInP外延片轉(zhuǎn)移至其它高導(dǎo)熱系數(shù)的襯底上，工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，考慮到SiC與AlGaInP晶格不匹配的問(wèn)題，通過(guò)在SiC襯底上生長(zhǎng)目標(biāo)低溫緩沖層和高溫緩沖層為后面外延生長(zhǎng)AlGaInP提供更好的平臺(tái)，并且目標(biāo)低溫緩沖層采用溫度不同的兩步生長(zhǎng)法，同時(shí)可大幅度降低位錯(cuò)密度。

56 一種微尺寸發(fā)光二極管及其制備方法

     包括襯底層、緩沖層、第一半導(dǎo)體層、多量子阱層、第二半導(dǎo)體層、透明接觸層、P電極、N電極以及透明絕緣層，襯底層、緩沖層、第一半導(dǎo)體層、多量子阱層、第二半導(dǎo)體層依次設(shè)置，透明接觸層設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上，所述緩沖層、第一半導(dǎo)體層、多量子阱層、第二半導(dǎo)體層的邊緣刻蝕形成斜角結(jié)構(gòu)，透明絕緣層設(shè)置在襯底層、斜角結(jié)構(gòu)以及透明接觸層的表面，P電極貫穿透明接觸層和透明絕緣層設(shè)置在第二半導(dǎo)體層，N電極貫穿透明絕緣層設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的裸露面。提供的微尺寸發(fā)光二極管能夠調(diào)整出光角度，減少光在發(fā)光二極管內(nèi)多次反射后被損耗，從而提高發(fā)光效率，減少能耗。

57 一種基于金剛石基圖形襯底的大功率氮化物發(fā)光二極管制備方法

     主要解決現(xiàn)有金剛石襯底上外延氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管晶格質(zhì)量差、平片襯底出光效率低、大功率發(fā)光二極管器件散熱不足及制備工藝復(fù)雜的問(wèn)題。其自下而上為圖形化金剛石襯底層，氮化硼插入層，氮化物材料成核層，氮化物緩沖層，n型Ⅲ族氮化物材料層，該n型Ⅲ族氮化物材料層的左上部依次為Ⅲ族氮化物材料量子阱層，p型Ⅲ族氮化物材料層，透明導(dǎo)電層和金屬電極層，右上部為金屬電極層。利用圖形化金剛石襯底，提高了襯底的導(dǎo)熱能力和光提取效率及材料的晶體質(zhì)量，利用在襯底上增設(shè)的氮化硼插入層，避免了鍵合工藝，簡(jiǎn)化了器件制備過(guò)程，可用于大功率的照明、顯示及背光。西安電子科技大學(xué)

58 一種水下航行器照明燈的發(fā)光二極管制造方法及其照明燈

     其方法包括：設(shè)置一層基底；測(cè)量半導(dǎo)體原片的理想發(fā)光曲線(xiàn)；根據(jù)理想發(fā)光曲線(xiàn)，計(jì)算優(yōu)化層的最優(yōu)比例和最優(yōu)厚度；通過(guò)共濺射工藝制作優(yōu)化層的材料；通過(guò)磁控濺射，將優(yōu)化層鍍?cè)谡龢O層的表面，得到半導(dǎo)體優(yōu)化片。對(duì)半導(dǎo)體優(yōu)化片進(jìn)行封裝，得到發(fā)光二極管并制作照明燈。計(jì)算優(yōu)化層的最優(yōu)比例和最優(yōu)厚度，覆蓋半導(dǎo)體原片，使其發(fā)光曲線(xiàn)接近理想發(fā)光曲線(xiàn)，發(fā)光效率更高，得到半導(dǎo)體優(yōu)化片。進(jìn)一步的，封裝該優(yōu)化片，得到的發(fā)光二極管的發(fā)光效率更高，使用該發(fā)光二極管制作的水下航行器的照明燈的發(fā)光效率更高，在水下航行時(shí)可以節(jié)約因照明而消耗的電能。

59 一種高亮度反極性AlGaInP發(fā)光二極管的制備方法

     通過(guò)晶圓表面蒸鍍納米掩膜，光刻切割道圖形，然后使用ICP刻蝕形成切割道并粗化發(fā)光區(qū)，再去除掉納米掩膜。利用ICP刻蝕形成切割道的過(guò)程中同時(shí)完成了粗化發(fā)光區(qū)，只需要進(jìn)行一次刻蝕同時(shí)完成兩步工藝，不需要光刻工藝進(jìn)行粗化掩膜制作，簡(jiǎn)化了制備工藝，大幅減少工藝流程，相較于現(xiàn)有制備方法的生產(chǎn)周期，生產(chǎn)周期減少了10～12％，極大地提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)由于不需要多次光刻和腐蝕，降低了生產(chǎn)成本。

60 一種垂直結(jié)構(gòu)隧道結(jié)氮化鎵發(fā)光二極管及其制備方法

     在該方法中首先外延生長(zhǎng)包含隧道結(jié)的外延片；通過(guò)制備溝槽的方式，使隧道結(jié)中的p型氮化物層暴露在環(huán)境中；對(duì)隧道結(jié)中的p型氮化物層進(jìn)行熱激活，p型氮化物層中的H可以通過(guò)溝槽擴(kuò)散到環(huán)境中，實(shí)現(xiàn)隧道結(jié)中的p型氮化物層中較高的空穴濃度；另外，含隧道結(jié)的氮化鎵發(fā)光二極管是垂直結(jié)構(gòu)，底部的金屬反射鏡電極在溝槽的脊上，頂部的金屬n電極位置正對(duì)溝槽位置，電極的錯(cuò)開(kāi)分布設(shè)計(jì)，不僅助于電流的擴(kuò)展，還減少出光損失?？梢詫?shí)現(xiàn)大尺寸含隧道結(jié)中被掩埋p型氮化物層的激活，有利于大尺寸隧道結(jié)氮化鎵發(fā)光二極管的應(yīng)用。