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發(fā)光二極管（LED）的改進技術主要包括：

1、提高發(fā)光效率?：通過采用新型半導體材料和優(yōu)化器件結構，可以有效降低光衰，提升光效。例如，利用量子阱結構設計，能夠減少光在材料內部的吸收和散射，使得更多的光能夠有效輸出?。

2、增強穩(wěn)定性?：新型封裝材料和散熱技術的應用，顯著提高了LED的耐高溫和耐候性能，減少光衰和色衰。同時，通過優(yōu)化電路設計，降低LED的工作溫度，進一步提升其穩(wěn)定性?。

3、延長使用壽命?：改進材料配方和工藝流程，減少了LED在工作過程中的老化現(xiàn)象。此外，智能控制技術的應用使得LED能夠根據(jù)環(huán)境溫度和工作狀態(tài)自動調整電流和電壓，從而延長其使用壽命?。

4、創(chuàng)新應用?：隨著LED技術的不斷改進，其在照明、顯示以及醫(yī)療、農業(yè)等領域的應用也越來越廣泛。例如，柔性LED顯示屏、植物照明LED等新興技術的應用，為LED產業(yè)帶來了新的增長點?。

5、優(yōu)化半導體層設計?：通過優(yōu)化半導體層外周表面的性能，提升顯示設備的整體效果。這種設計使得半導體層的外周表面在不同區(qū)域間的周長各不相同，從而實現(xiàn)更好的電流分布與光輸出效率?。

          本篇是為了配合國家產業(yè)政策向廣大企業(yè)、科研院校提供發(fā)光二極管技術制造工藝匯編技術資料。資料中每個項目包含了最詳細的技術制造資料,現(xiàn)有技術問題及解決方案、產品生產工藝、、產品性能測試，對比分析。資料信息量大,實用性強,是從事新產品開發(fā)、參與市場競爭的必備工具。

【資料內容】生產工藝、配方
【出品單位】國際新技術資料網
【資料頁數(shù)】809頁
【項目數(shù)量】60項
【資料合訂本】1680元(上、下冊)
【資料光盤版】1480元（PDF文檔）

項目

1   一種具有全包式DBR結構的微型發(fā)光二極管的制備方法

     包括如下步驟：制備本體；所述本體的頂部覆蓋頂部膜層，所述本體的側部覆蓋側部膜層；其中，所述側部膜層覆蓋所述頂部膜層的側面和/或所述頂部膜層覆蓋所述側部膜層的頂面；所述頂部膜層和側部膜層均由第一介質薄膜層和第二介質薄膜層交替沉積得到；制備所述頂部膜層和側部膜層：確定第一介質薄膜層和第二介質薄膜層的材質、初始單層厚度以及頂部膜層和側部膜層的初始層數(shù)；對初始單層厚度以及初始層數(shù)進行優(yōu)化，并得到最優(yōu)單層厚度以及層數(shù)；根據(jù)最優(yōu)單層厚度以及層數(shù)在所述本體上進行鍍膜，得到具有全包式DBR結構的微型發(fā)光二極管。

2   一種深紫外發(fā)光二極管及其制備方法、芯片

     制備方法包括：在襯底上生長緩沖層、N?AlGaN層，刻蝕得到多個臺面結構；生長量子阱結構、P?AlGaN層、P?GaN層；制備第一掩膜結構；去除未被第一掩膜結構覆蓋的P?GaN層、P?AlGaN層和量子阱結構；制備第二掩膜結構；制備N?金屬電極；去除N?金屬電極以及第二掩膜結構；制備第三掩膜結構；生長P?金屬電極，去除P?金屬電極以及第三掩膜結構，退火后得到深紫外發(fā)光二極管。該制備方法能夠有效提高光提取效率，提高光輸出功率，避免對于高摻雜透明P型層的依賴，有效提高深紫外發(fā)光二極管的整體性能，降低生產成本。

3   一種納米發(fā)光二極管及其制備方法

     制備方法包括在襯底上生長緩沖層；刻蝕緩沖層，形成第一臺面結構；形成多個第二臺面結構；形成第三臺面結構；形成第四臺面結構；制備第一圖形化掩膜結構；刻蝕第一臺面結構；沉積N?金屬電極；去除第一圖形化掩膜結構及其表面的N?金屬電極；制備第二圖形化掩膜結構；沉積P?金屬電極；去除第二圖形化掩膜結構及其表面的P?金屬電極，以得到納米發(fā)光二極管。該制備方法能夠解決微型發(fā)光二極管制造過程中的不均勻性和不一致性的問題，有效提高生產效率，無需采用精密對準工藝，減少了生產過程中的設備成本和生產周期，減少對設備的依賴，可以實現(xiàn)規(guī)?；a。

4   一種納米尺度可見光發(fā)光二極管及其制備方法

     制備方法包括：在襯底上生長III族氮化物半導體外延層；在III族氮化物半導體外延層上沉積第一刻蝕掩模層；在第一刻蝕掩模層上制備具有周期性排列圖案的膠層；在第一刻蝕掩模層上形成圖案化的第二刻蝕掩模層；刻蝕第一刻蝕掩模層形成圖案化的第一刻蝕掩模層；刻蝕III族氮化物半導體外延層形成圖形化的III族氮化物半導體納米柱陣列模板；在III族氮化物半導體納米柱陣列模板上生長LED結構，得到納米尺度可見光發(fā)光二極管。該方法使在納米柱陣列模板上生長的有源區(qū)受到的強壓應變得到部分弛豫，增加了含In量子限制層中In的并入，實現(xiàn)長波長發(fā)光；同時提高輻射復合效率，增加了發(fā)光強度。

5   硅基鍺鉛紅外發(fā)光二極管及其制備方法

     涉及硅基光電技術領域。硅基鍺鉛紅外發(fā)光二極管，包括：硅襯底，設置有N區(qū)和P區(qū)，所述N區(qū)和所述P區(qū)分別位于所述硅襯底表面的不同區(qū)域且之間存在間隔；鍺鉛納米片，設置在所述N區(qū)和所述P區(qū)之間，并與所述N區(qū)和所述P區(qū)相接觸；氧化硅層，設置在具有所述鍺鉛納米片的所述硅襯底上，并在所述氧化硅層上開設有窗口，所述窗口分別與所述N區(qū)和所述P區(qū)相接觸；電極，設置在所述窗口內。

6   一種改善漏電的發(fā)光二極管及其制備方法

     屬于光電子制造技術領域。該制備方法包括：形成外延層，所述外延層包括依次層疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層，所述第二半導體層具有露出所述第一半導體層的凹槽；在無氮氣和氨氣的氣氛下，對所述外延層進行退火。能提升改善水汽侵入有源層致使發(fā)光二極管漏電失效的問題。

7   一種發(fā)光二極管及其制造方法及發(fā)光模組、發(fā)光裝置

     外延結構包括依次疊置的第一導電類型半導體層、有源層及第二導電類型半導體層，其中，有源層和第二導電類型半導體層依次覆蓋第一導電類型半導體層的至少部分側壁。該外延結構特征減少外延結構側壁處的缺陷，減少外延結構的非輻射復合，提高外延結構的發(fā)光效率。另外，有源層及第二導電類型半導體層同時還覆蓋第一導電類型半導體層的側壁，由此在側壁處也能形成輻射復合區(qū)，進一步提高出光效率。在制造上述發(fā)光二極管時，將生長襯底的第一表面形成為圖形化的表面，圖形化結構包括凸起結構以及與凸起結構互補的凹陷區(qū)，在生長襯底上生長外延結構之后，去除生長襯底以及形成在凹陷區(qū)域的外延結構，保留下來的凸起結構上方的外延結構形成發(fā)光二極管，減少側壁缺陷，減少這些缺陷導致的非輻射復合，由此提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

8   發(fā)光二極管制備方法

     包括自下而上依次設置的透明頂電極層、稀土離子摻雜鐵電薄膜層、透明底電極層及GaN基LED襯底，所述透明底電極層為所述GaN基LED的p型電極，通過調節(jié)所述透明頂電極層與所述GaN基LED的p型電極之間的電壓以調節(jié)所述稀土離子摻雜鐵電薄膜層的極化狀態(tài)，以改變所述發(fā)光二極管的發(fā)光顏色，技術方案中，僅需引入一個稀土離子摻雜鐵電薄膜層即可實現(xiàn)GaN基LED發(fā)光器件的動態(tài)調控，控制方式簡單。

9   一種倒裝發(fā)光二極管制備方法及倒裝發(fā)光二極管，制備方法

     包括：提供一襯底，并在襯底表面沉積外延層；對外延層表面部分區(qū)域進行刻蝕，形成N型半導體層導電臺階，在外延層表面的其他未刻蝕區(qū)域上制備電流擴展層；在外延層表面制備布拉格反射層，對布拉格反射層進行刻蝕形成通孔；在外延層表面涂布負性光刻膠，采用分區(qū)光罩進行曝光、顯影處理，在負性光刻膠內形成兩處尺寸不同的開孔區(qū)域，依次在兩開孔區(qū)域沉積導電金屬，以在大尺寸開孔區(qū)域形成金屬反射層，在小尺寸開孔區(qū)域形成橫向導電層；最后在外延層表面制備絕緣鈍化層和焊盤層。本申請制備的倒裝發(fā)光二極管，金屬層反射率高，產品成本低。

10 高效發(fā)光二極管及其制備方法

     包括在襯底上依次生長AlN緩沖層、未摻雜的GaN層、N型GaN層、低溫應力釋放層、多量子阱層、P型半導體層、P型歐姆接觸層；在生長多量子阱層時，周期性交替生長量子阱層和量子壘層，所述量子阱層為InGaN層，所述量子壘層為組合結構，組合結構包括BInGaN層?BGaN層?BN層?GaN層，減少載流子在缺陷處進行非輻射復合發(fā)光的機率，從而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

11 一種提高亮度的發(fā)光二極管及其制備方法

     包括：外延層、第一絕緣層和金屬反射層，所述第一絕緣層和所述金屬反射層依次層疊在所述外延層的表面上，所述第一絕緣層至少覆蓋所述外延層的表面，所述第一絕緣層具有第一通孔，所述金屬反射層通過所述第一通孔與所述外延層電連接；所述第一絕緣層包括依次層疊在所述外延層上的第一反光層和第一反射層，所述第一反射層包括交替層疊的第一材料層和第二材料層，所述第一材料層的折射率小于所述第二材料層的折射率。實施例能改善發(fā)光二極管的反射效果，提升發(fā)光亮度。

12 一種能夠調控發(fā)光二極管光束形貌的方法

     包括如下步驟：在襯底上制作外延層；加工外延層制作歐姆接觸，定義光束形貌，借助對應的對準標記，對襯底層對應的區(qū)域進行激光蝕刻，得到對應的圖形化結構，從而得到具有符合預設光束形貌的芯片。能夠以簡單的工藝獲得出光面光束形貌可調的發(fā)光二極管芯片，制作成本低，且能夠適用于不同襯底結構的發(fā)光二極管。

13 一種減少晶格適配的發(fā)光二極管制作方法

     包括襯底、形成于所述襯底上的BNO緩沖層、形成于所述BNO緩沖層上的過渡層以及形成于所述過渡層上的GaN外延層。利用BNO緩沖層和過渡層減少襯底與GaN外延層的晶格適配，進而減小初始應力，降低材料生長過程中的錯位和缺陷密度，提高GaN外延層生長的晶體質量，從而提高了發(fā)光二極管的量子效率、減少了漏電通道、提升了抗ESD能力。

14 一種降低電壓的發(fā)光二極管及其制備方法

     包括：外延層和第一電極，所述外延層包括依次層疊的第一半導體層、多量子阱層和第二半導體層；所述第二半導體層具有露出所述第一半導體層的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽位于所述第一半導體層的周邊邊緣，所述第二凹槽位于所述第一半導體層的中間區(qū)域，所述第一電極至少位于所述第一凹槽和所述第二凹槽內，且與所述第一半導體層電連接。能降低發(fā)光二極管的電壓且不影響發(fā)光二極管的亮度。

15 一種提高發(fā)光角度的倒裝發(fā)光二極管及其制備方法

     包括依次層疊的透明襯底、填平層、鍵合層和外延層；透明襯底的第一表面具有多個第一圖形結構，透明襯底的第二表面具有多個第二圖形結構，第一表面和第二表面為透明襯底的相反的兩表面；填平層覆蓋第一表面。能提高倒裝LED的發(fā)光角度和出光效率。

16 一種出光增強型反極性AlGaInP發(fā)光二極管及其制備方法

     通過對光刻膠的厚度及堅膜溫度及ICP刻蝕條件進行優(yōu)化調整，在刻蝕過程中實現(xiàn)發(fā)光區(qū)外擴，通過后續(xù)AlGaInP粗化實現(xiàn)亮度提升，該方法只需要AlGaInP粗化和分段刻蝕即可實現(xiàn)三種工藝的效果，大幅減少工藝流程，提升生產效率，降低成本。

17 一種GaN發(fā)光二極管制備方法

     包括如下步驟：S1、圖形化藍寶石襯底上制作外延，包含NGAN、量子井、PGAN、GAN超強電流擴展層；S2、制作MESA蝕刻出N型區(qū)域；S3、制作ISO將切割道中間部分蝕刻到圖形化藍寶石襯底；S4、制作非金屬反射層：圖形化網狀分布、島狀分布、金屬導電反射層通過鏤空孔洞和GAN超強電流擴展層聯(lián)通，實現(xiàn)金屬導電反射層和GAN聯(lián)通。藍寶石出光面使用圖形化搭配干法蝕刻方案粗化，解決研磨粗化的芯片斷裂隱患。

18 一種具有傾斜側壁和混介質層ODR的深紫外發(fā)光二極管及其制備方法

     該發(fā)光二極管外延結構由下至上依次包括襯底、AlN緩沖層、N?型AlGaN層；其中，N?型AlGaN層分為兩部分，第二部分為截錐；截錐上依次覆蓋有多量子阱層、P?型電子阻擋層、P?型AlGaN層、P?型GaN層、P?型歐姆接觸層；臺面結構的側壁，以及延展到周邊的N?型AlGaN層的第一部分的上表面，覆蓋有一層低折射率介質層；低折射率介質層外部覆蓋有高折射率介質層、金屬反射鏡電極?？梢詼p少金屬反射鏡的吸收，反射率增加，從而提高深紫外LED的TM極性光的光提取效率。河北工業(yè)大學

19 一種發(fā)光二極管的制備方法、LED外延結構及其制備方法

     其中LED外延結構從下至上依次包括：襯底、AlN緩沖層、GaN緩沖層、激光剝離層、非故意摻雜層、第一型半導體層、有源層以及第二型半導體層，其中，激光剝離層從下至上依次包括激光反應層、激光消耗層和激光截止層，且激光消耗層為摻雜的結構層。通過激光剝離層的設置，且將其中的激光消耗層設置為摻雜的結構層，可以提升襯底剝離良率，改善剝離界面，同時還可以提高出光效率和亮度。

20 一種Micro發(fā)光二極管及其制造方法

     其中，Micro發(fā)光二極管制造方法包括以下步驟：提供第一基板，在第一基板上生長紅光外延片，在紅光外延片上生長第一結合層；提供第二基板，在第二基板上生長綠光外延片，在綠光外延片上生長第二結合層；提供第三基板，在第三基板上生長藍光外延片，在藍光外延片上生長第三結合層；提供第四基板，將第三結合層結合至第四基板，將第二結合層結合至藍光外延片，將第一結合層結合至綠光外延片，形成RGB外延片。將三種發(fā)光層垂直堆疊在一起，組合為一個整體做成微小單顆芯片后激光剝離，只需一次巨量轉移，良率高。

21 一種線偏振出光的發(fā)光二極管及其制作方法

     在LED器件出光面(上表面)設置介質光柵過渡層和納米雙層金屬光柵，實現(xiàn)LED器件的偏振出光，在LED器件下表面設置金屬光柵超表面，將上表面的介質光柵過渡層和納米雙層金屬光柵反射回的TE偏振光分量轉換成TM偏振光分量，進一步從器件出光面(上表面)輻射出去，從而提高了偏振光的有效利用率，提高器件偏振出光效率。

22 一種改善發(fā)光效率的發(fā)光二極管及其制備方法

     包括依次層疊的n型層、有源層和p型層，所述有源層包括交替層疊的多個量子阱層和多個量子壘層，所述量子阱層包括至少四個子層，所述量子阱層的各子層均為InGaN層，所述量子阱層中相鄰的兩個子層的In組分的含量不同。能提升有源層的內量子效率。

23 一種超晶格結構電極接觸層的AlGaN發(fā)光二極管及其制備方法

     不同于傳統(tǒng)的利用p?GaN材料作為電極接觸層，使用垂直側壁結構的發(fā)光二極管，利用多量子阱層、電子阻擋層、超晶格層形成的傾斜面結構，避免了傳統(tǒng)垂直側壁結構對于側向發(fā)射的TM偏振發(fā)光難以收集的問題；利用AlGaN超晶格層作為器件的p型電極接觸層，避免了p?GaN層對于紫外光的吸收以及高反射電極歐姆接觸特性不好的問題。

24 一種發(fā)光二極管及發(fā)光二極管的制作方法

     包括：襯底，具有相對設置的上表面和下表面；半導體外延疊層，包含襯底的上表面之上的第一半導體層、活性層和第二半導體層；第一側壁，形成于所述襯底的邊緣，所述第一側壁具有粗化結構，粗化結構包括凸起；第二側壁，形成于所述半導體外延疊層的邊緣，不具有粗化結構；臺面，形成于所述襯底上表面，且不與半導體外延疊層重疊的部分。發(fā)光二極管粗化后可以得到粗糙的第一側壁，平坦的第二側壁以及臺面，可以提升半導體發(fā)光二極管的可靠性。

25 一種發(fā)光二極管、發(fā)光二極管的制造方法及裝置

     包括：驅動板和若干個發(fā)光單元，若干個發(fā)光單元分別設置在驅動板上，且若干個發(fā)光單元相互通過單元隔離層間隔設置；發(fā)光單元包括：N型電極、LED發(fā)光層、P型電極和介質層；N型電極、LED發(fā)光層、P型電極和介質層從下至上依次疊加設置，介質層內設有刻蝕區(qū)，刻蝕區(qū)添加顏色轉換材料，形成顏色轉換層。在驅動板設有若干個間隔設置的發(fā)光單元，發(fā)光單元的介質層設有刻蝕區(qū)，刻蝕區(qū)設有顏色轉換材料，將顏色轉換層被限制在犧牲層結構內，光學隔離貫穿顏色轉換層和發(fā)光單元間的透明介質，可以將發(fā)光單元顏色轉換完全隔離，從而減少發(fā)光單元及顏色轉換層的光串擾。

26 一種微發(fā)光二極管的制備方法、微發(fā)光二極管和顯示設備

     該方法包括：在襯底的一表面上制備半導體外延層，半導體外延層包括層疊設置的N型半導體層、半導體發(fā)光層以及P型半導體層；對半導體外延層進行刻蝕，得到多個隔離槽；對半導體外延層的外側進行離子注入，形成隔離層；對隔離層的外側進行濕法腐蝕，得到反射隔離層；反射隔離層具有與半導體外延層貼合的第一側面以及與第一側面相背設置的第二側面，入射至第二側面的光滿足全反射條件。能夠在有效發(fā)光面積不變的前提下降低刻蝕損傷對發(fā)光效率的影響，既可實現(xiàn)具有更好電流注入效果的共P/N型電極設計，也可實現(xiàn)對像素單獨尋址的電極設計；而可降低側壁出光比例，提高對比度。

27 一種發(fā)光二極管及其制作方法

     由于第二非摻雜半導體層中形成有空心柱，在第二非摻雜半導體層上生長后續(xù)結構層時，由空心柱來釋放生長過程中產生的應力，降低了發(fā)光二極管在制作過程中形成位錯缺陷的幾率，減小了在第一方向上的位錯缺陷的密度，進而，改善了由于位錯缺陷而出現(xiàn)的漏電通道和非輻射復合中心的問題，提高了發(fā)光二極管的性能，且提高了發(fā)光二極管的制作良率。

28 一種鹽基碳量子點發(fā)光二極管的制備方法

     其采用L?抗壞血酸與碳酰胺為原料制備碳量子點，以碳量子點做發(fā)光材料，并按照實際需求制備不同形狀的鹽基結構，將碳量子點導入氯化鈉陣列基層，制成發(fā)光二極管，所制備的碳量子點發(fā)光層發(fā)光性能優(yōu)良，熱穩(wěn)定性高，制備方法工藝簡單，從制備發(fā)光材料到發(fā)光二極管，可形成連續(xù)的工藝流程，易于推廣應用。

29 一種GaN發(fā)光二極管制作方法

     依次包括：處理襯底、生長低溫GaN緩沖層、生長非摻雜GaN層、生長摻雜Si的n型GaN層、生長促進層、生長多量子阱層、生長AlGaN電子阻擋層、生長摻雜Mg的P型GaN層，降溫冷卻，其中生長促進層依次包括生長Ga2O3漸變層、生長MgO層和Mg摻雜InAlN層的步驟?？梢蕴岣週ED的發(fā)光效率，并提高LED的抗靜電能力，并減少波長藍移，提高波長均勻性。

30 一種微型發(fā)光二極管背光的制造方法

     一種半導體設備，方法包括：提供透明膜片和玻璃基板。在透明膜片上利用一次工藝形成油墨層，油墨層的材料為熱固型油墨。利用激光鏤空工藝刻蝕油墨層，形成多個開口，以油墨層朝向玻璃基板的方向貼合透明膜片和玻璃基板，去除透明膜片，在開口內貼裝微型發(fā)光二極管。由于形成油墨以及形成多個開口是在透明膜片上，油墨此時不和玻璃基板接觸，并且是利用激光鏤空工藝刻蝕油墨層，而不是利用曝光顯影的方式，因此不會導致在形成開口的過程中油墨顆粒殘留在開口的問題，避免由于油墨顆粒影響微型發(fā)光二極管的顯示。

31 一種發(fā)光二極管的制作方法及發(fā)光二極管制備方法

     制作方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成外延結構，所述外延結構包括依次形成的緩沖層、n型GaN層、有源區(qū)、AlGaN阻擋層以及p型GaN層；刻蝕所述外延結構至暴露所述n型GaN層，形成側壁均為GaN晶體M面的臺面結構；采用四甲基氫氧化銨溶液對所述臺面結構的側壁進行腐蝕；鈍化處理并在所述外延結構上形成電極。制作方法及發(fā)光二極管，隨著尺寸的減小，效率能夠提升，因而能夠克服尺寸效應，為制造更加高效的、更小尺寸的微型發(fā)光二極管提供了新的道路。

32 微型半導體發(fā)光二極管(LED)結構(10)制備方法

     其包括：第一導電類型的第一半導體層(1)；布置在第一半導體層(1)上的第二導電類型的第二半導體層(2)；有源層序列(4)，其包括面向第一半導體層(1)的第一導電類型的第一邊緣層(41)和背離第一半導體層(1)的第二導電類型的第二邊緣層(42)；以及至少布置在有源層序列(4)上的第二導電類型的第三半導體層(3)。第一導電類型和第二導電類型具有相反的摻雜。第二半導體層(2)具有至少一個朝向第一半導體層(1)穿透第二半導體層(2)的窗口(21)。第一半導體層(1)在窗口(21)的區(qū)域中具有凹部(11)。有源層序列(4)至少布置在凹部(11)中。第一邊緣層(41)在凹部(11)中電連接至第一半導體層(1)。第三半導體層(3)至少在窗口(21)的區(qū)域中布置在有源層序列(4)上。第二邊緣層(42)電連接至第三半導體層(3)。艾邁斯-歐司朗國際有限責任公司

33 具有傾斜光柵出光層的倒裝紅光發(fā)光二極管及制備方法

     包括依次層疊設置的p型電極、金屬反射層、p型電流擴展層、p型限制層、多量子阱有源區(qū)、n型限制層、n型接觸層和n型電極，所述n型電極部分覆蓋于所述n型接觸層的表面，所述倒裝紅光發(fā)光二極管還包括傾斜光柵出光層，所述傾斜光柵出光層傾斜設置于所述n型接觸層所述n型電極未覆蓋的表面。通過在p型電流擴展層表面蒸鍍高反射率金屬反射層來替代傳統(tǒng)紅光發(fā)光二極管中的布拉格反射器和永久襯底，并通過在n型接觸層上制備一傾斜光柵出光層，有效提高了倒裝紅光發(fā)光二極管內部的光提取效率。

34 一種帶角度的小尺寸白色發(fā)光二極管的制備方法

     具體步驟如下：S1：采用固晶工藝在基板正面以陣列形式粘結若干晶片；S2：使用模具Ⅰ對黃色熒光膠進行一次模壓成型，在基板正面形成若干膠道區(qū)Ⅰ，每個膠道區(qū)Ⅰ包括若干間隔排列的條形凸起膠道；S3：使用模具Ⅱ對透明膠進行二次模壓成型，在基板正面形成若干膠道區(qū)Ⅱ，每個膠道區(qū)Ⅱ包括若干以陣列排布的弧形凸起膠面，每個弧形凸起膠面均對應包覆一單顆晶片，對二次模壓成型后的基板進行烘烤固化，完成封裝。通過優(yōu)化生產工藝，不僅可以提升白光集中度，實現(xiàn)貼片白光二極管的小電流高亮度性能，還可以節(jié)約生產成本，提高生產良品率。

35 一種具備復合阻擋結構的深紫外發(fā)光二極管及其制備方法

     包括沿生長方向依次層疊設置的襯底、本征層、電子注入層、電流擴展層、量子阱有源層、電子阻擋層、空穴注入層以及歐姆接觸層，電子阻擋層包括多個周期結構，每個周期結構沿生長方向依次包括層疊設置的第一子層、第二子層和第三子層，其中，第一子層為AlGaN材料，且第一子層的Al組分含量沿生長方向線性遞減，第二子層為MgN材料，第三子層為AlGaN材料，且第三子層的Al組分含量沿生長方向線性遞增；能促進空穴從電子阻擋層向量子阱有源層的注入，進而提高深紫外發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

36 一種發(fā)光二極管及其制備方法和顯示面板

     包括：外延層和光學膜，所述光學膜位于所述外延層的第一表面，所述光學膜的周邊邊緣不超過所述第一表面的側邊；所述外延層的第二表面與所述第一表面之間的夾角為銳角，所述第二表面與所述第一表面相連。能保證工藝生長的光學膜不會超過外延層的側邊，降低光學膜的加工難度。

37 一種量子點發(fā)光二極管LED及其制備方法

     包括依次層疊設置的襯底、空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子傳輸層和陰級，空穴傳輸層包括依次層疊設置的p?NiO層和p?NiMgO層，p?NiO層為NiO，p?NiMgO層為Ni_xMg_1?xO。構建的全無機QD?LED，將過高的空穴勢壘轉化為若干個很小的帶階，p?NiMgO層相當于為空穴架起一個樓梯，使p?NiO空穴注入層中濃度較高的空穴沿著這個階梯源源不斷地傳遞到量子點發(fā)光層中，由于沒有了大勢壘的限制，空穴不會在HTL/量子點發(fā)光層的界面處富集，而更傾向于注入到量子點中，實現(xiàn)了空穴的有效注入。

38 一種超輻射發(fā)光二極管制備方法

     包括：將待研磨的激光器芯片固定在研磨機的夾具上；對夾具上的激光器芯片進行研磨，使激光器芯片的波導達到目標參數(shù)，得到超輻射發(fā)光二極管；目標參數(shù)包括目標腔長度、目標腔面粗糙度或者目標腔面傾斜角度中的至少一項。本申請可免除超輻射發(fā)光二極管的重新設計和光刻板的投入成本，僅通過上述簡單、可重復性強、靈活性強的流程便可將量產的標準激光器芯片制備成可定制化波導腔長、腔面傾斜角和粗糙度的超輻射發(fā)光二極管。減少了超輻射發(fā)光二極管的波導設計、工藝研發(fā)等資源投入、降低了超輻射發(fā)光二極管的生產成本，在可見光通信及照明領域具有普及和發(fā)展的潛力。復旦大學

39 一種石墨烯納米帶發(fā)光二極管及其制備方法

     包括由下自上依次設置的襯底、陽極、空穴注入層、發(fā)光層、電子注入層、陰極；發(fā)光層的材質為GNR；空穴注入層的材質為NiO；電子注入層的材質為IGZO。創(chuàng)新性地將石墨烯納米帶作為發(fā)光二極管的發(fā)光層，采用IGZO和NiO作為電子和空穴注入層，因為這兩種半導體材料的能帶結構能夠與石墨烯納米帶的能帶結構相匹配，在理論上能夠實現(xiàn)載流子的注入、復合等過程，所以在將能量傳遞給石墨烯納米帶的價帶電子時，能夠使得石墨烯納米帶價帶電子激發(fā)到導帶，從而在電子由不穩(wěn)定的導帶重新回到價帶的過程中，能夠將能量以可見光的形式釋放出來。山東大學

40 一種反極性發(fā)光二極管的制備方法

     其特征在于，包括以下步驟：提供一GaAs襯底，在所述GaAs襯底上依次生長緩沖層、腐蝕截止層、N型半導體層、多量子阱層、P側波導層、P型限制層、過渡層和P型歐姆接觸層，得到發(fā)光二極管外延片；對所述發(fā)光二極管外延片進行反極性處理，得到反極性發(fā)光二極管。制備方法能夠提高反極性發(fā)光二極管的電流擴展性能、發(fā)光功率及大功率下的可靠性。

41 一種深紫外發(fā)光二極管及其制備方法

     該深紫外發(fā)光二極管中緩沖層中的每一層子緩沖層具有不同的膜層厚度、生長速率、退火溫度、退火時間以及氧含量，以形成致密程度和晶格大小漸變的緩沖層結構，并且采用逐層退火的方式減少緩沖層內的缺陷密度，提高緩沖層的膜層質量，進而提高深紫外發(fā)光二極管的光電性能。

42 一種包含高有序InGaN/GaN納米棒陣列的發(fā)光二極管的制備方法

     包括以下步驟：在藍寶石襯底上生長外延結構，外延結構包括由下之上依次設置的未摻雜GaN緩沖層、n型GaN層、InGaN/GaN多層量子阱層和p型GaN層；采用納米壓印光刻工藝制備出微觀形貌、尺寸可控的鎳點陣列；將鎳點陣列作為掩膜，采用干法刻蝕工藝將外延結構刻蝕到nGaN層，得到納米棒陣列，依次放入KOH溶液中刻蝕和稀鹽酸中煮沸；采用SOG工藝對納米棒陣列進行絕緣和結構平面化處理，然后退火；先在納米棒陣列的尖端沉積Ni/Au，再在Ni/Au上蒸鍍氧化銦錫電流擴展層，形成與pGaN層的半透明歐姆接觸；在n?GaN層上蒸鍍Ti/Al，形成與nGaN層的歐姆接觸。與平面LED相比較，所制備的有序納米棒陣列的發(fā)光強度顯著增強。

43 一種發(fā)光二極管及其制備方法

     其中發(fā)光二極管包括：襯底；生長在襯底上方的外延層，外延層包括在襯底上方依次生長的GaN基底、緩沖層、n型GaN、多層量子阱和p型GaN；外延層中設置有若干個隔離區(qū)；隔離區(qū)包括注入隔離層、鈍化層和光學隔離區(qū)；注入隔離層與外延層的側壁接觸，鈍化層覆蓋在注入隔離層上，光學隔離區(qū)為鈍化層形成的隔離溝槽，光學隔離區(qū)填充有光學隔離材料；p型GaN上方沉積有P型金屬電極層。本發(fā)明在外延層中設置有若干個隔離區(qū)，隔離區(qū)中的注入隔離層與發(fā)光單元外延層的側壁接觸，不會對外延層側壁造成損傷，從而能夠在實避免出現(xiàn)非輻射復合中心缺陷，進而能夠有效提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

44 一種超輻射發(fā)光二極管及其制作方法

     包括襯底層、波導層、多量子阱有源層和對接生長層，波導層設置在襯底層的第一方向側，多量子阱有源層和對接生長層設置在波導層的第一方向側，對接生長層設置在多量子阱有源層沿超輻射發(fā)光二極管的出光方向上，以使光場在傳輸時被引導至超輻射發(fā)光二極管的多量子阱有源層靠近襯底層的一側，能夠使得對接生長層與波導層相配合，將光場在傳輸時被引導至多量子阱有源層靠近襯底層的一側，增強芯片的抗反射能力，可以獲得大功率、小光譜調制的光源，還能減小光斑的垂直遠場發(fā)散角，得到一個更接近圓形的輸出光斑，有利于與光纖進行耦合，提高出纖功率。

45 一種微型發(fā)光二極管及其制作方法

     包括：襯底；緩沖層，形成在襯底上；n型層，形成在緩沖層上；有源層，有源層在n型層上形成第二臺面；p型層，p型層在有源層上形成第一臺面；n型電極和p型電極，n型電極形成在n型層上，p型電極形成在p型層上；絕緣層，形成在n型層、有源層和p型層上，n型電極和p型電極上開設有電極窗口；其中，第一臺面的寬度小于第二臺面的寬度，以調控有源層內的載流子的輸運路徑，使載流子遠離有源層的側壁。能夠有效抑制刻蝕損傷帶來的輻射復合效率下降，進而可以提高器件的輻射復合效率。

46 一種垂直發(fā)光二極管及其制備方法、LED燈板

     該垂直發(fā)光二極管包括導電層以及依次沉積于導電層上的Ag金屬反射鏡、光角轉換層、外延層、導電金屬層；導電層包括芯片焊盤以及依次沉積于芯片焊盤上的導電基板、Au金屬膜層、Au金屬薄膜以及Ni金屬薄膜，光角轉換層的截面呈倒梯形結構，光角轉換層為本征GaN層，通過設置Ag金屬反射鏡以及光角轉換層，使得垂直發(fā)光二極管內部大角度的光線通過Ag金屬反射鏡的反射轉換為小角度的光線，防止大角度光線在垂直發(fā)光二極管內發(fā)生全反射無法釋放，從而提升垂直發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

47 一種發(fā)光二極管及其制造方法及發(fā)光裝置

     發(fā)光二極管中，外延結構至少包括依次疊置的第一半導體層、有源層及第二半導體層；反射結構形成于第二半導體層，反射結構包括透明導電層；其中，透明導電層與第二半導體層的厚度比介于1：5～2：1之間。技術方案通過控制透明導電層與第二半導體層的厚度，提供一個合適的厚度比和/或厚度比范圍，可以確保透明導電層積聚的內應力相對較小，產生的彎曲形變量較低，同時也可以減小應力傳遞對其下方外延結構及生長襯底的不良影響，使晶圓的翹曲度保持在極低范圍內，避免了產生邊緣應力集中點和外延結構脫落等質量問題，提高了發(fā)光裝置的產品良率。

48 一種垂直型深紫外發(fā)光二極管及其制備方法

     垂直型深紫外發(fā)光二極管從上至下依次包括N型電極、N型GaN層、量子阱有源層、P型GaN層、金屬材料層以及鍵合襯底，其中，垂直型深紫外發(fā)光二極管的內部還設置有多個凹槽，每一凹槽完全貫穿N型GaN層、量子阱有源層、P型GaN層以及金屬材料層；本發(fā)明通過在垂直型深紫外發(fā)光二極管的內部設計的多個凹槽可以減少P型GaN層以及鍵合襯底對量子阱有源層發(fā)射至鍵合襯底方向的紫外光的吸收，同時凹槽完全貫穿N型GaN層以及量子阱有源層，有利于量子阱有源層發(fā)射至N型電極方向的紫外光沿凹槽側面發(fā)生漫反射，進一步提升了垂直型深紫外發(fā)光二極管的發(fā)光強度。

49 發(fā)光二極管及其制備方法以及發(fā)光裝置

     包括襯底基板、第一半導體層、有源層和第二半導體層；襯底基板的上方具有沿襯底基板的板面分布且鄰接的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第二區(qū)域圍繞第一區(qū)域分布；其中，第一半導體層位于第二區(qū)域的部分設置有多個開孔，開孔向下延伸至襯底基板處；開孔的至少部分孔段形成為倒角孔段；倒角孔段自下向上逐漸縮小，以使倒角孔段的內側壁與開孔之間的分界面形成有倒角狀反射面，倒角狀反射面至少分布于倒角孔段的受光側。具有更高的出光效率。

50 一種AlGaN基深紫外發(fā)光二極管及其制備方法

     從下至上依次包括襯底、緩沖層、n型半導體電子注入層、多量子阱有源層、p型電子阻擋層、界面勢壘調控層、p型半導體空穴注入層、p型接觸層、p型電極、n型電極。電子阻擋層/調控層界面以及調控層/空穴注入層界面間會產生負極化誘導電荷，吸引空穴聚集，使得電子阻擋層與空穴注入層之間形成“M”狀的空穴聚集區(qū)。同時，調控層能夠減小電子阻擋層和空穴注入層之間的價帶偏移使得兩者間的界面勢壘高度降低，讓更多的載流子能夠翻越電子阻擋層進入有源區(qū)，解決了因電子阻擋層和空穴注入層界面勢壘所帶來的DUV?LED的載流子注入不足的問題。

51 一種硅納米線核殼結構異質結發(fā)光二極管及其制備方法

     結構從上到下依次為：銀柵線、正面電極、電荷傳輸層、硅納米線核殼結構層、摻雜硅襯底(P型或N型)、背面電極。使用硅納米線和包覆層形成的核殼結構，構成半導體異質結發(fā)光二極管，并利用硅納米線的大比表面積，增大異質結有效結面積，提高電子和空穴的復合幾率，從而提高發(fā)光二極管的電致發(fā)光效率。復旦大學

52 一種深紫外發(fā)光二極管的制備方法和深紫外發(fā)光二極管

     該制備方法包括：首先將雙通陽極氧化鋁模板轉移至一深紫外發(fā)光二極管外延結構中遠離襯底的一側表面上，其次在雙通陽極氧化鋁模板上形成抗刻蝕層，隨后剝離雙通陽極氧化鋁模板，再以抗刻蝕層為掩膜對深紫外發(fā)光二極管外延結構進行刻蝕，使深紫外發(fā)光二極管外延結構中的發(fā)光材料層形成量子點陣列，最后去除抗刻蝕層；通過采用雙通陽極氧化鋁模板將深紫外發(fā)光二極管外延結構中的發(fā)光材料層制備成量子點陣列，實現(xiàn)了深紫外發(fā)光二極管在光輸出功率的較大提升。

53 一種氮化鎵基諧振腔發(fā)光二極管及其制備方法

     包括：自下而上依次層疊的支撐襯底、下反射鏡、電流擴展層、發(fā)光層、上反射鏡；所述發(fā)光層包括：自上往下依次層疊N型半導體外延層、有源區(qū)、P型半導體外延層，形成PIN結構，用于發(fā)光；所述上反射鏡為濾波器結構反射鏡，通過氮化鎵外延層與所述發(fā)光層連接，用于透射中心波長光，反射非中心波長光；所述上反射鏡和發(fā)光層連接有上電極。使用濾波器結構作為反射鏡制作氮化鎵基諧振腔發(fā)光二極管相比于常規(guī)氮化鎵基諧振腔發(fā)光二極管具有更窄的線寬、并可實現(xiàn)高純度單縱模發(fā)光。廈門大學

54 一種高輻射發(fā)光二極管制備方法及發(fā)光二極管制備方法

     包括：提供一襯底；依次在襯底上沉積緩沖層、N型GaN層、低溫應力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層和P型GaN層；其中，多量子阱層包括按第一周期交叉沉積在低溫應力釋放層上的InxGa1xN量子阱層和InyGa1yN超晶格量子壘層，x＞y，InyGa1yN超晶格量子壘層包括按第二周期交叉沉積的Mg摻第一壘層和第二壘層，Mg摻第一壘層采用3D模式沉積制成，第二壘層采用2D模式沉積制成。提供的發(fā)光二極管，能夠減弱多量子阱層中因極化效應而導致的能帶傾斜現(xiàn)象，提高發(fā)光二極管的質量。

55 一種基于SiC襯底的AlGaInP發(fā)光二極管及制備方法

     該制備方法在具有極佳導熱系數(shù)的SiC襯底上生長AlGaInP外延層，因此無需向現(xiàn)有技術中一樣通過襯底轉移技術將AlGaInP外延片轉移至其它高導熱系數(shù)的襯底上，工藝相對簡單，考慮到SiC與AlGaInP晶格不匹配的問題，通過在SiC襯底上生長目標低溫緩沖層和高溫緩沖層為后面外延生長AlGaInP提供更好的平臺，并且目標低溫緩沖層采用溫度不同的兩步生長法，同時可大幅度降低位錯密度。

56 一種微尺寸發(fā)光二極管及其制備方法

     包括襯底層、緩沖層、第一半導體層、多量子阱層、第二半導體層、透明接觸層、P電極、N電極以及透明絕緣層，襯底層、緩沖層、第一半導體層、多量子阱層、第二半導體層依次設置，透明接觸層設置在第二半導體層上，所述緩沖層、第一半導體層、多量子阱層、第二半導體層的邊緣刻蝕形成斜角結構，透明絕緣層設置在襯底層、斜角結構以及透明接觸層的表面，P電極貫穿透明接觸層和透明絕緣層設置在第二半導體層，N電極貫穿透明絕緣層設置在第一半導體層的裸露面。提供的微尺寸發(fā)光二極管能夠調整出光角度，減少光在發(fā)光二極管內多次反射后被損耗，從而提高發(fā)光效率，減少能耗。

57 一種基于金剛石基圖形襯底的大功率氮化物發(fā)光二極管制備方法

     主要解決現(xiàn)有金剛石襯底上外延氮化物半導體發(fā)光二極管晶格質量差、平片襯底出光效率低、大功率發(fā)光二極管器件散熱不足及制備工藝復雜的問題。其自下而上為圖形化金剛石襯底層，氮化硼插入層，氮化物材料成核層，氮化物緩沖層，n型Ⅲ族氮化物材料層，該n型Ⅲ族氮化物材料層的左上部依次為Ⅲ族氮化物材料量子阱層，p型Ⅲ族氮化物材料層，透明導電層和金屬電極層，右上部為金屬電極層。利用圖形化金剛石襯底，提高了襯底的導熱能力和光提取效率及材料的晶體質量，利用在襯底上增設的氮化硼插入層，避免了鍵合工藝，簡化了器件制備過程，可用于大功率的照明、顯示及背光。西安電子科技大學

58 一種水下航行器照明燈的發(fā)光二極管制造方法及其照明燈

     其方法包括：設置一層基底；測量半導體原片的理想發(fā)光曲線；根據(jù)理想發(fā)光曲線，計算優(yōu)化層的最優(yōu)比例和最優(yōu)厚度；通過共濺射工藝制作優(yōu)化層的材料；通過磁控濺射，將優(yōu)化層鍍在正極層的表面，得到半導體優(yōu)化片。對半導體優(yōu)化片進行封裝，得到發(fā)光二極管并制作照明燈。計算優(yōu)化層的最優(yōu)比例和最優(yōu)厚度，覆蓋半導體原片，使其發(fā)光曲線接近理想發(fā)光曲線，發(fā)光效率更高，得到半導體優(yōu)化片。進一步的，封裝該優(yōu)化片，得到的發(fā)光二極管的發(fā)光效率更高，使用該發(fā)光二極管制作的水下航行器的照明燈的發(fā)光效率更高，在水下航行時可以節(jié)約因照明而消耗的電能。

59 一種高亮度反極性AlGaInP發(fā)光二極管的制備方法

     通過晶圓表面蒸鍍納米掩膜，光刻切割道圖形，然后使用ICP刻蝕形成切割道并粗化發(fā)光區(qū)，再去除掉納米掩膜。利用ICP刻蝕形成切割道的過程中同時完成了粗化發(fā)光區(qū)，只需要進行一次刻蝕同時完成兩步工藝，不需要光刻工藝進行粗化掩膜制作，簡化了制備工藝，大幅減少工藝流程，相較于現(xiàn)有制備方法的生產周期，生產周期減少了10～12％，極大地提高了生產效率，同時由于不需要多次光刻和腐蝕，降低了生產成本。

60 一種垂直結構隧道結氮化鎵發(fā)光二極管及其制備方法

     在該方法中首先外延生長包含隧道結的外延片；通過制備溝槽的方式，使隧道結中的p型氮化物層暴露在環(huán)境中；對隧道結中的p型氮化物層進行熱激活，p型氮化物層中的H可以通過溝槽擴散到環(huán)境中，實現(xiàn)隧道結中的p型氮化物層中較高的空穴濃度；另外，含隧道結的氮化鎵發(fā)光二極管是垂直結構，底部的金屬反射鏡電極在溝槽的脊上，頂部的金屬n電極位置正對溝槽位置，電極的錯開分布設計，不僅助于電流的擴展，還減少出光損失?？梢詫崿F(xiàn)大尺寸含隧道結中被掩埋p型氮化物層的激活，有利于大尺寸隧道結氮化鎵發(fā)光二極管的應用。