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雙極性晶體管（BJT）的改進(jìn)
（一）優(yōu)化晶片及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)?：通過(guò)縮小晶片尺寸、增加漏結(jié)容量和縮小發(fā)射結(jié)容量來(lái)提高響應(yīng)速度。此外，引入反相多晶硅互補(bǔ)柵極等方式可以提高晶體管的線性性?。
（二）改善載流子遷移率?：載流子遷移率直接影響晶體管的高頻響應(yīng)能力。通過(guò)摻雜淺表層、采用稀磷硼摻雜等方式可以提高載流子的遷移率，從而增強(qiáng)晶體管的頻率響應(yīng)能力?。
（三）降低雜散電容?：雜散電容對(duì)高頻信號(hào)放大器的高頻特性有直接影響。通過(guò)增加微細(xì)線間距、縮小集電結(jié)面積等措施可以降低雜散電容。在制造過(guò)程中，采用特殊的摻雜工藝或多層金屬制造工藝也能有效降低雜散電容的影響?。
（四）采用高電子遷移率器件?：使用高電子遷移率器件可以提高晶體管的高頻性能?。
（五）優(yōu)化封裝形式?：通過(guò)優(yōu)化封裝形式，可以進(jìn)一步改善晶體管的高頻性能?。

本篇是為了配合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策向廣大企業(yè)、科研院校提供雙級(jí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)制造工藝匯編技術(shù)資料。資料中每個(gè)項(xiàng)目包含了最詳細(xì)的技術(shù)制造資料,現(xiàn)有技術(shù)問(wèn)題及解決方案、產(chǎn)品生產(chǎn)工藝、、產(chǎn)品性能測(cè)試，對(duì)比分析。資料信息量大,實(shí)用性強(qiáng),是從事新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的必備工具。

【資料內(nèi)容】生產(chǎn)工藝、配方
【出品單位】國(guó)際新技術(shù)資料網(wǎng)
【資料頁(yè)數(shù)】899頁(yè)
【項(xiàng)目數(shù)量】60項(xiàng)
【資料合訂本】1680元(上、下冊(cè))
【資料光盤版】1480元（PDF文檔）

目錄

1   一種雙極性晶體管結(jié)構(gòu)制備方法

     包括有源區(qū)，有源區(qū)具有：半導(dǎo)體層，具有第一表面，半導(dǎo)體層包括依次疊層的集電極層、基極層和發(fā)射極層；第一表面為發(fā)射極層背向基極層的表面；發(fā)射極臺(tái)階和發(fā)射極金屬依次設(shè)置在發(fā)射極層上；第一介質(zhì)層，覆蓋發(fā)射極金屬的頂面并沿發(fā)射極金屬的側(cè)面延伸至覆蓋第一表面暴露于發(fā)射極金屬外的部分；第一介質(zhì)層具有第一開(kāi)口；第二介質(zhì)層，覆蓋在第一介質(zhì)層上；第二介質(zhì)層具有與第一開(kāi)口連通的第二開(kāi)口；基極金屬，通過(guò)第一開(kāi)口和第二開(kāi)口連接至基極層；并延伸覆蓋第二介質(zhì)層于第二開(kāi)口相鄰的至少部分。提供的雙極性晶體管及其制備方法和射頻放大器能降低結(jié)電容、提升頻率特性。

2   一種雙異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管制備方法

     雙異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管包括依次疊層設(shè)置的N型GaAs子集電極層、N型GaAs集電極層、P型基極層、N型GaInP發(fā)射極層、N型InGaAs接觸層，P型基極層為P型GaAs_（1?x）Sb_x，A，d₁/GaAs，B，d₂/GaAs_（1?y）Sb_y，C，d₃/GaAs，B，d₂四層晶格層的多周期重復(fù)結(jié)構(gòu)。采用該結(jié)構(gòu)能將基極層的電子束縛在GaAs_（1?x）Sb_x層中，將基極層的空穴束縛在GaAs_（1?y）Sb_y層中，中間有GaAs層間隔，有效實(shí)現(xiàn)電子和空穴在物理空間上的分離，減小它們?cè)诨鶇^(qū)中的復(fù)合幾率，從而能有效提高集電極電流I_c，進(jìn)而提高電流增益β值。

3   一種半導(dǎo)體器件、雙極型晶體管及其制備方法

     所述雙極型晶體管包括：襯底，其上設(shè)有外延層；設(shè)于所述外延層中的發(fā)射區(qū)；沿所述發(fā)射區(qū)的外圍包覆所述發(fā)射區(qū)的基區(qū)；沿所述基區(qū)的外圍包覆所述基區(qū)的集電區(qū)；設(shè)于所述集電區(qū)內(nèi)且與所述基區(qū)相接觸的若干外延區(qū)，所述外延區(qū)的摻雜濃度小于所述集電區(qū)的摻雜濃度且其導(dǎo)電類型與所述外延層的導(dǎo)電類型相同。本發(fā)明可方便地調(diào)節(jié)雙極型晶體管的放大系數(shù)。

4   一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制造方法

     涉及半導(dǎo)體器件及集成電路工藝設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。能夠達(dá)到露出所述多晶硅外基區(qū)部分側(cè)壁從而為后續(xù)與鍺硅外延內(nèi)基區(qū)同步生長(zhǎng)的鍺硅連接基區(qū)騰出必要空間的目的，并實(shí)現(xiàn)能夠有效改善器件性能的凹陷鍺硅連接基區(qū)結(jié)構(gòu)，且本申請(qǐng)?zhí)峁┑逆N硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管可以采用工藝難度和復(fù)雜度相對(duì)較低的工藝步驟制造，規(guī)避了背景技術(shù)中采用的很難控制的利用底部狹縫“掏底”各向同性腐蝕氮化硅側(cè)墻的工藝步驟，從而可以有效改善相關(guān)集成電路工藝生產(chǎn)的重復(fù)性、均勻性、可控性和可生產(chǎn)性。

5   一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及電子裝置

     異質(zhì)結(jié)雙極晶體管包括集電極層、基極層和發(fā)射極層；基極層包括第一基極層、第二基極層和第三基極層；第一基極層位于第二基極層和集電極層之間；第三基極層位于第二基極層和發(fā)射極層之間；第二基極層的帶隙小于第一基極層的帶隙；第二基極層的帶隙小于第三基極層的帶隙；第三基極層的導(dǎo)帶與發(fā)射極層的導(dǎo)帶之差的絕對(duì)值，小于第二基極層的導(dǎo)帶與發(fā)射極層的導(dǎo)帶之差的絕對(duì)值。上述異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，可以減小HBT的開(kāi)啟電壓，進(jìn)而減小HBT的整體功耗。

6   一種雙極結(jié)型晶體管制備方法

     包括至少一個(gè)元胞，元胞包括：集電極接觸區(qū)，集電極接觸區(qū)橫向中較長(zhǎng)的方向?yàn)榈谝粰M向方向，較短的方向?yàn)榈诙M向方向；基極區(qū)；基極注入?yún)^(qū)，連接在基極區(qū)朝向集電極接觸區(qū)的一側(cè)；氧化物隔離區(qū)，形成在基極注入?yún)^(qū)和集電極接觸區(qū)之間；一個(gè)基極注入?yún)^(qū)對(duì)應(yīng)至少兩個(gè)基極接觸區(qū)，每個(gè)基極接觸區(qū)位于基極注入?yún)^(qū)和氧化物隔離區(qū)之上，且基極接觸區(qū)中連接在氧化物隔離區(qū)之上的部分為第二連接部，各個(gè)基極接觸區(qū)沿第一橫向方向間隔設(shè)置在與之對(duì)應(yīng)的基極注入?yún)^(qū)之上；第二連接部之上設(shè)置基極接觸孔；基極金屬，連接在各個(gè)基極接觸孔之上。解決了傳統(tǒng)的BJT的基極電阻較大的技術(shù)問(wèn)題。

7   一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制備方法

     射頻放大器和射頻模組。所述異質(zhì)結(jié)雙極晶體管包括隔離區(qū)，所述隔離區(qū)具有襯底和疊設(shè)于所述襯底上的半導(dǎo)體層，所述隔離區(qū)還設(shè)置有集電極接觸層，所述襯底對(duì)應(yīng)所述集電極接觸層設(shè)置有背孔，所述背孔內(nèi)設(shè)置有與所述集電極接觸層電連接的第一金屬層，所述半導(dǎo)體層圍繞所述集電極接觸層設(shè)置有隔離槽，所述隔離槽的深度范圍為大于或等于所述半導(dǎo)體層厚度的二分之一。通過(guò)在半導(dǎo)體層上圍繞背孔對(duì)應(yīng)的集電極接觸層設(shè)置隔離槽，通過(guò)隔離槽隔絕器件漏電的路徑，降低異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的器件漏電的風(fēng)險(xiǎn)，以提升異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的產(chǎn)品性能。

8   一種異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管的外延結(jié)構(gòu)制備方法

     包括P型GaAs基極層和位于P型GaAs基極層上的N型InGaP發(fā)射極層，所述P型GaAs基極層包括依次疊層設(shè)置的M層P型GaAs層，M為9～17的奇數(shù)；其中，在M層P型GaAs層中，位于奇數(shù)層的P型GaAs層為自摻C的P型GaAs材料層，位于偶數(shù)層的P型GaAs層為外摻C的P型GaAs材料層；在第1層至第M?1層P型GaAs層中，位于奇數(shù)層的自摻C的P型GaAs材料層與位于偶數(shù)層的外摻C的P型GaAs材料層的厚度比為(2～3)：1；位于第M層的自摻C的P型GaAs材料層的厚度為5nm～10nm。提供的異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管既能明顯提高電流增益值，又能保證電流增益值的優(yōu)異熱穩(wěn)定性。

9   一種基于雙極性WSe₂的范德華異質(zhì)結(jié)在制備可重構(gòu)晶體管中的應(yīng)用

     基于雙極性WSe₂和Ta₂NiX₅形成的范德華異質(zhì)結(jié)，制備了可重構(gòu)晶體管，利用底部柵極和源/漏偏壓的調(diào)控實(shí)現(xiàn)了基于二維范德華異質(zhì)結(jié)的可重構(gòu)器件的構(gòu)建，可用于邏輯電路領(lǐng)域中，具有單柵極獨(dú)立調(diào)控、制備簡(jiǎn)單、無(wú)需額外的光刻和刻蝕過(guò)程的特點(diǎn)。南京理工大學(xué)

10 一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管基區(qū)的選擇性外延方法

     包括：在外延生長(zhǎng)前，利用HCl氣體對(duì)圖形化襯底進(jìn)行刻蝕預(yù)處理，抑制內(nèi)基區(qū)窗口側(cè)壁邊緣的橫向生長(zhǎng)，消除{111}刻面的產(chǎn)生；控制Si選擇性外延溫度在800℃～900℃，控制SiGe選擇性外延溫度在700℃～800℃，消除{311}刻面的產(chǎn)生；圖形化襯底包括：襯底以及淀積在襯底上面的氧化層、多晶硅外基區(qū)、氧化層、氮化硅或者二氧化硅；襯底設(shè)置有集電區(qū)、集電極引出區(qū)和淺槽隔離；淺槽隔離位于集電區(qū)和集電極引出區(qū)中間；在集電區(qū)上方開(kāi)口形成發(fā)射極窗口，然后形成氮化硅或者二氧化硅側(cè)壁；在發(fā)射極窗口下開(kāi)口，暴露出部分外基區(qū)多晶硅，該窗口用于形成鍺硅內(nèi)基區(qū)。

11 一種光電共同調(diào)控混合隧道結(jié)雙極型晶體管制備方法

     包括：襯底、設(shè)置于襯底上的第三N型氮化鎵層、設(shè)置于襯底上的第二P型氮化鎵層和發(fā)射極金屬接觸層、設(shè)置于第二P型氮化鎵層上的基極金屬接觸層和第一P型重?fù)诫s氮化鎵層、依次設(shè)置于第一P型重?fù)诫s氮化鎵層上的非故意摻雜氮化鎵銦極化層、第二N型重?fù)诫s氮化鎵層、第一N型氮化鎵層，以及設(shè)置于第一N型氮化鎵層上的集電極金屬接觸層，通過(guò)設(shè)置隧道結(jié)，可以增強(qiáng)空穴注入，降低器件電阻，提高器件的響應(yīng)速度。克服金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法制備的工藝?yán)щy，通過(guò)分子束外延生長(zhǎng)過(guò)程中引入氫的缺失，減低制造隧道結(jié)器件的工藝難度并提升器件性能。福州大學(xué)

12 一種高中低壓兼容的雙極結(jié)型晶體管及其制造方法

     雙極結(jié)型晶體管包括P型襯底、N型一次埋層、P型一次穿透隔離、N型一次外延層、N型二次埋層、P型二次穿透隔離、N型一次穿透、N型二次外延層、N型三次埋層、P型三次穿透隔離、N型二次穿透、N型三次外延層、P型四次穿透隔離、N型三次穿透、P型一次體區(qū)、N型一次重?fù)絽^(qū)、P型二次體區(qū)、N型二次重?fù)絽^(qū)、P型三次體區(qū)、N型三次重?fù)絽^(qū)、預(yù)氧層、場(chǎng)氧層、TEOS金屬前介質(zhì)層、發(fā)射極金屬、集電極金屬和基極金屬；方法包括提供P型襯底，生長(zhǎng)氧化層等步驟?？梢詫⒏咧械偷哪蛪阂约安煌卣黝l率等特性的雙極結(jié)型晶體管集成整合到同一套工藝中，實(shí)現(xiàn)器件庫(kù)的多樣性。

13 一種電子器件包括雙極晶體管制備方法

     雙極晶體管的集電極由第一和第二區(qū)域形成。第二區(qū)域位于第一區(qū)域和雙極晶體管的基極之間。導(dǎo)電元件至少部分地圍繞第二區(qū)域并與第二區(qū)域絕緣。導(dǎo)電元件位于第一區(qū)域和襯底之間。意法半導(dǎo)體國(guó)際公司

14 一種具有高增益的異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管及其制造工藝

     R1、沉積形成發(fā)射極金屬；R2、蝕刻形成發(fā)射極臺(tái)階；R3、第一次離子植入；R4、沉積形成基極金屬；R5、蝕刻形成基極臺(tái)階；R6、第二次離子植入；R7、沉積形成集電極金屬。本發(fā)明通過(guò)使用兩次離子植入來(lái)調(diào)整基極臺(tái)階有效體積，使基極臺(tái)階有效體積小于實(shí)際體積，降低有效體積，cbc相應(yīng)降低，提升了器件的射頻增益(gain)；同時(shí)維持較大的實(shí)際體積，可以避免軟膝點(diǎn)效應(yīng)和熱效應(yīng)；并且無(wú)需優(yōu)化GaAs異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的外延結(jié)構(gòu)，即可提升器件的射頻增益。

15 一種雙異質(zhì)結(jié)自驅(qū)動(dòng)深紫外光電三極管制備方法

     包括Al₂O₃襯底，在Al₂O₃襯底上制備p?GaN層，Al₂O₃襯底和p?GaN層組成p?GaN襯底，p?GaN襯底的上表面部分覆蓋ZnO納米網(wǎng)層，p?GaN襯底上設(shè)有第一電極，ZnO納米網(wǎng)層上設(shè)有第二電極，p?GaN層和ZnO納米網(wǎng)層形成PN結(jié)，作為集電結(jié)；所述ZnO納米網(wǎng)層為光電三極管基區(qū)，ZnO納米網(wǎng)層和第二電極形成肖特基結(jié)，作為發(fā)射結(jié)。利用三極管電流放大能力顯著提高了深紫外光電三極管的紫外光電響應(yīng)能力和靈敏度，擁有自驅(qū)動(dòng)工作能力，具有著低暗電流，高響應(yīng)度的優(yōu)勢(shì)，可以有效的探測(cè)弱紫外光信號(hào)。合肥工業(yè)大學(xué)

16 一種射頻器件、互補(bǔ)型異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管及其制備方法

    包括從下到上依次設(shè)置的集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)，還包括至少兩個(gè)用于引出集電區(qū)的集電極(C)以及交替分布在兩個(gè)集電極(C)之間的用于引出基區(qū)的基極(B)和用于引出發(fā)射區(qū)的發(fā)射極(E)，靠近集電極(C)的為基極(B)，所述基極(B)至少為2個(gè)，所述發(fā)射極(E)至少為1個(gè)；所述基極(B)下方具有用于減少基區(qū)與集電區(qū)的接觸面積的淺槽，從而降低寄生集電結(jié)電容。

17 一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管及其制備方法

     該制備方法包括：提供襯底；在所述襯底上依次生長(zhǎng)集電極層和基極層，得到第一樣品；在所述第一樣品遠(yuǎn)離所述襯底的表面制作一層碳量子點(diǎn)層，使得所述碳量子層與所述基極層形成原子級(jí)接觸；在所述碳量子點(diǎn)層的基礎(chǔ)上制作發(fā)射極層；在所述發(fā)射極層、碳量子點(diǎn)層、基極層和集電極層的基礎(chǔ)上制作絕緣層，并通過(guò)刻蝕由所述絕緣層引出對(duì)應(yīng)的電極。本申請(qǐng)可有效提高異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的性能。

18 一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制備方法

     制備方法包括：提供一半導(dǎo)體裝置，在半導(dǎo)體裝置中，第一多晶硅層和介質(zhì)層之間的鍺硅層表面形成有第二開(kāi)口；采用高選擇比沉積工藝形成硬掩膜層，可以降低后續(xù)發(fā)射極在硬掩膜層表面的外延生長(zhǎng)速率；接著對(duì)形成第二側(cè)墻之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行預(yù)清潔處理，使暴露的鍺化硅表面能夠形成更多Si?H鍵，提高后續(xù)發(fā)射極在鍺化硅表面的外延生長(zhǎng)速率；最后采用選擇性外延工藝并引入一定比例的刻蝕氣體在第二開(kāi)口中形成發(fā)射極，可以進(jìn)一步強(qiáng)化選擇性生長(zhǎng)趨勢(shì)，使得多晶硅外延不會(huì)提前封口，使得單晶硅柱可以外延至第二開(kāi)口的頂端，提高了發(fā)射極的晶格質(zhì)量，降低了發(fā)射極的電阻、渡越時(shí)間和截止頻率。

19 一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管制備方法

     包括有源區(qū)，有源區(qū)內(nèi)第一基極接觸金屬和第二基極接觸金屬分別設(shè)置在發(fā)射極接觸層的相對(duì)兩側(cè)且與發(fā)射極接觸層間隔設(shè)置，其中，第一基極接觸金屬與發(fā)射極接觸層之間的間隔距離為第一距離，第二基極接觸金屬與發(fā)射極接觸層之間的間隔距離為第二距離，第一距離與第二距離之差的絕對(duì)值小于等于100埃。提供的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、集成異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制備方法，使得第一基極接觸金屬和第二基極接觸金屬到發(fā)射極接觸層直接的間隔距離較小，可提高HBT產(chǎn)品的可靠性。

20 一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管外延片的制備方法

     提供制備方法，在MOCVD設(shè)備中制備，生長(zhǎng)基區(qū)之前將所述MOCVD設(shè)備的小盤支撐氣體變更為氫氣和氮?dú)?，快速降?0～30℃后進(jìn)行基區(qū)生長(zhǎng)；生長(zhǎng)完基區(qū)后，將所述小盤支撐氣體變更為氬氣和氮?dú)?，快速升?0～30℃后生長(zhǎng)發(fā)射層。本發(fā)明采用改變小盤支撐氣體的方式，快速改變外延片表面的溫度，外延片表面溫度如圖2所示，很好的實(shí)現(xiàn)了集電區(qū)與基區(qū)，基區(qū)與發(fā)射區(qū)溫度的快速轉(zhuǎn)變，即不影響基區(qū)外延層的質(zhì)量，也不影響外延層界面的質(zhì)量。

21 一種低噪聲SiGe雙極晶體管及其制造方法

     雙極晶體管包括：襯底、設(shè)置在襯底上的外延層、設(shè)置在外延層中且位于外延層的頂部的基區(qū)、設(shè)置在基區(qū)中且位于基區(qū)的頂部的發(fā)射區(qū)，發(fā)射區(qū)中包括側(cè)墻復(fù)合結(jié)構(gòu)，側(cè)墻復(fù)合結(jié)構(gòu)的材料由氮化硅、氧化硅和多晶硅復(fù)合而成。通過(guò)將側(cè)墻結(jié)構(gòu)中常用的氮化硅Spacer更改為氮化硅/氧化硅/多晶硅的側(cè)墻結(jié)構(gòu)，降低了SiGe?HBT器件載流子在電流傳輸路徑上由于界面缺陷引起的載流子俘獲和釋放的幾率，進(jìn)而有效抑制了載流子在輸運(yùn)過(guò)程中與陷阱缺陷的隨機(jī)電報(bào)噪聲的產(chǎn)額，達(dá)到抑制器件低頻噪聲的作用。

22 一種制造硅雙極結(jié)晶體管裝置的方法

     包括一系列步驟，所述一系列步驟包括：至少在裝置區(qū)上方沉積多晶硅層；在所述多晶硅層上方沉積電介質(zhì)層；圖案化光致抗蝕劑層，且通過(guò)所述光致抗蝕劑層中的開(kāi)口在所述電介質(zhì)層和所述多晶硅層中蝕刻窗口；通過(guò)所述窗口蝕刻SiGe層堆疊以暴露其下的硅層；圖案化另一光致抗蝕劑層以至少暴露所述窗口；以及通過(guò)所述窗口通過(guò)離子注入摻雜所述硅層以形成基極區(qū)。還公開(kāi)一種對(duì)應(yīng)的BJT裝置。

23 一種槽柵雙極型晶體管制備方法

     主要有兩點(diǎn)：一是采用耗盡柵對(duì)P?通道進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)控，配合N?存儲(chǔ)層在漂移區(qū)增強(qiáng)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)；二是柵極與耗盡柵之間通過(guò)可變電阻串聯(lián)，調(diào)節(jié)P?通道耗盡程度，起到對(duì)器件在短路工作時(shí)的保護(hù)作用。在器件阻斷狀態(tài)時(shí)，耗盡柵未對(duì)P?通道耗盡，P?通道處于高電導(dǎo)狀態(tài)，將P?阱與器件的發(fā)射極短接，從而消除了N?存儲(chǔ)層附近的電場(chǎng)尖峰。在器件處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，串聯(lián)在柵極于耗盡柵之間的可變電阻區(qū)阻值較大，故加在耗盡柵電極上的電壓接近于柵極電壓，使得P?通道被耗盡柵耗盡，P?阱處于浮空狀態(tài)且具有一定電勢(shì)，增強(qiáng)了器件的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。因此，具有極低的功率損耗。電子科技大學(xué)

24 一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其外延制備方法

     在所述集電區(qū)和所述基區(qū)之間設(shè)置過(guò)渡層，P型摻雜的InGaAs過(guò)渡膜層采用脈沖金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積法，在集電區(qū)表面生長(zhǎng)得到。采用脈沖式金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積法得到P型摻雜的InGaAs膜層，脈沖式生長(zhǎng)方法采用反應(yīng)源氣體間歇式通入的方式，可顯著降低半導(dǎo)體外延層缺陷密度；同時(shí)過(guò)渡層的晶格與基區(qū)晶格匹配，過(guò)渡層上得到的基區(qū)材料質(zhì)量好且不改變基區(qū)的組分和摻雜，因此可獲得方阻低、增益大、截止頻率高的HBT外延片。且不改變?cè)谢鶇^(qū)的生長(zhǎng)方式，制造成本低。

25 一種氧化鎵雙極性晶體管的生產(chǎn)制造工藝

     包括：工作臺(tái)，封焊器，下料組件，還包括：封焊箱，固定連接在所述工作臺(tái)上表面；所述封焊器設(shè)置在封焊箱上方；滑動(dòng)槽，開(kāi)設(shè)在所述封焊箱內(nèi)部；連接塊，通過(guò)滑動(dòng)槽滑動(dòng)連接在所述封焊箱內(nèi)部；連接繩帶動(dòng)連接端的連接塊相對(duì)移動(dòng)，通過(guò)與配合桿之間的斜面配合，使得配合桿向外移動(dòng)時(shí)，通過(guò)夾持板可對(duì)放置在封焊口內(nèi)部的晶體管進(jìn)行夾持處理，同時(shí)通過(guò)封焊器能夠?qū)ζ溥M(jìn)行封焊處理，使得裝置在晶體管封焊時(shí)，能夠?qū)ζ淦鸬綂A持固定的作用，防止在封焊時(shí)，工作人員操作不當(dāng)使得晶體管在焊接時(shí)發(fā)生偏移，導(dǎo)致焊接質(zhì)量下降，從而使得生產(chǎn)制造質(zhì)量下降的情況出現(xiàn)。

26 一種平面型雙極晶體管及包括其的電路

     包括襯底，頂面為平面，以及在襯底頂面形成的功能區(qū)域；功能區(qū)域包括背景摻雜區(qū)域，摻雜第一類雜質(zhì)，兩側(cè)對(duì)稱布置有基極摻雜區(qū)域和集電極摻雜區(qū)域；基極摻雜區(qū)域摻雜第一類雜質(zhì)，為晶體管的基區(qū)；集電極摻雜區(qū)域摻雜第二類雜質(zhì)，為晶體管的集電區(qū)，且與基極摻雜區(qū)域形成集電結(jié)；發(fā)射極摻雜區(qū)域摻雜第二類雜質(zhì)，布置于基極摻雜區(qū)域內(nèi)，為晶體管的發(fā)射區(qū)，且與基極摻雜區(qū)域形成集電結(jié)；四個(gè)區(qū)域的摻雜厚度相同。本發(fā)明在同一平面內(nèi)摻雜實(shí)現(xiàn)平面型雙極晶體管，摻雜濃度在厚度方向上相同，極易與光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)在同一芯片上實(shí)現(xiàn)單片光電混合集成。浙江大學(xué)

27 一種異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管及其形成方法

     結(jié)構(gòu)包括：襯底；位于襯底上的第一集電層；位于第一集電層上的第一基層；位于第一基層上的發(fā)射層；位于發(fā)射層上的第二基層；位于第二基層上的第二集電層。第一集電層、第一基層和發(fā)射層構(gòu)成一個(gè)三極管，第二集電層、第二基層和發(fā)射層也構(gòu)成一個(gè)三極管，在垂直于襯底表面的方向上有兩個(gè)三極管，異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的電流放大系數(shù)得到提升。

28 一種異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管制備方法

     包括襯底和位于襯底上的HBT外延結(jié)構(gòu)，所述HBT外延結(jié)構(gòu)和所述襯底之間設(shè)置有Zn摻雜的AlGaAs/GaAs超晶格緩沖層。本發(fā)明的方案中，位于HBT外延結(jié)構(gòu)和襯底之間的AlGaAs/GaAs超晶格緩沖層引入了一定量的Zn摻雜：一方面可以有效地提高AlGaAs/GaAs超晶格的禁帶寬度和降低遷移率，由此提高了緩沖層的電阻率，能夠隔離襯底寄生電容對(duì)HBT器件的影響，有效地提升了HBT器件的截止頻率特性；另一方面又可以優(yōu)化緩沖層的外延生長(zhǎng)條件，提高V/III摩爾比參數(shù)，獲得更好的緩沖層表面形貌，改善HBT整體外延結(jié)構(gòu)的晶體質(zhì)量。

29 具有非晶半導(dǎo)體區(qū)的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管制備方法

     涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，更具體地說(shuō)，涉及具有掩埋富陷阱區(qū)的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)及其制造方法。該結(jié)構(gòu)包括：異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其包括集電極區(qū)、基極區(qū)和發(fā)射極區(qū)；以及至少一個(gè)非單晶半導(dǎo)體區(qū)，其位于異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的集電極區(qū)中。格芯（美國(guó)）集成電路科技有限公司

30 具有切割應(yīng)力襯里的異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，披露用于異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)以及形成用于異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)的方法

     該結(jié)構(gòu)包括發(fā)射極、集電極以及本征基極，該集電極包括第一片段、第二片段、以及沿第一方向設(shè)置于該第一片段與該第二片段間的第三片段，該本征基極沿第二方向設(shè)于該發(fā)射極與該集電極的該第三片段間。該結(jié)構(gòu)還包括應(yīng)力層，該應(yīng)力層包括經(jīng)設(shè)置以與該發(fā)射極、該本征基極、以及該集電極重疊的片段。該應(yīng)力層的該片段由周緣圍繞，且該集電極的該第一及第二片段分別鄰近該應(yīng)力層的該周緣設(shè)置。格芯（美國(guó)）集成電路科技有限公司

31 一種雙極型晶體管制備方法及雙極型晶體管制備方法

     方法包括：沿垂直襯底的方向于襯底上依次疊置摻雜類型相同的次集電極半導(dǎo)體層、集電極半導(dǎo)體層；次集電極半導(dǎo)體層的摻雜濃度大于集電極半導(dǎo)體層的摻雜濃度；采用漸變升溫工藝于集電極半導(dǎo)體層的頂面形成與集電極半導(dǎo)體層的摻雜類型不同的基極半導(dǎo)體層；于基極半導(dǎo)體層的頂面形成與集電極半導(dǎo)體層的摻雜類型相同的發(fā)射極半導(dǎo)體層，發(fā)射極半導(dǎo)體層的摻雜濃度大于集電極半導(dǎo)體層的摻雜濃度。本實(shí)施例至少能夠在沒(méi)有提高基極電阻的情況下提高電流增益，從而提高雙極型晶體管的性能及可靠性。

32 一種雙極結(jié)型晶體管及其制造方法

     該晶體管包括：位于襯底上的第一阱區(qū)、第二阱區(qū)、第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)；第二阱區(qū)的底面和至少一個(gè)側(cè)面與第一阱區(qū)接觸；第一注入?yún)^(qū)位于第二阱區(qū)內(nèi)；第二注入?yún)^(qū)橫跨第一阱區(qū)和第二阱區(qū)，且第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)在橫向上彼此間隔第一距離；第一注入?yún)^(qū)構(gòu)成雙極結(jié)型晶體管的發(fā)射區(qū)，第二阱區(qū)構(gòu)成雙極結(jié)型晶體管的基區(qū)，第一阱區(qū)和第二注入?yún)^(qū)共同構(gòu)成雙極結(jié)型晶體管的集電區(qū)，該雙極結(jié)型晶體管具有更大的集電區(qū)和發(fā)射結(jié)面積和發(fā)射極注入效率，能夠有效的提升雙極結(jié)型晶體管的放大系數(shù)，實(shí)現(xiàn)了晶體管的高增益。

33 一種雙極結(jié)型晶體管結(jié)構(gòu)

     包括：第一環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管；第二環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及第三環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管；其中所述第一和第三環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極/漏極部件以及所述第二阱區(qū)具有第一導(dǎo)電類型，并且所述第二環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極/漏極部件和所述第一阱區(qū)具有第二導(dǎo)電類型，其中所述第一雙極結(jié)型晶體管器件的第一PN結(jié)形成在所述第一環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極/漏極部件和所述第一阱區(qū)之間，并且第二PN結(jié)形成在所述第一阱區(qū)和所述第二阱區(qū)之間?？梢员ＷC電子或電空穴具有合適或足夠的通道，保證電流具有合適或足夠的通道，從而確保雙極結(jié)型晶體管結(jié)構(gòu)的性能，減小Vbe失配的負(fù)面影響。聯(lián)發(fā)科技股份有限公司

34 一種InP基異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

     該外延結(jié)構(gòu)包括P型GaAsSb基極區(qū)層和連接于所述P型GaAsSb基極區(qū)層上的N型InP發(fā)射極區(qū)層，其中，所述N型InP發(fā)射極區(qū)層為基于MOCVD工藝或MBE工藝且以鹵甲烷為摻雜C源外延生長(zhǎng)形成的C摻雜的InP材料層。方案中，在生長(zhǎng)C摻雜的N型InP發(fā)射極區(qū)層時(shí)，摻雜C源鹵甲烷可與GaAsSb表面偏析出的Sb元素以及腔體內(nèi)殘留的Sb元素反應(yīng)，生成SbCl₃或SbBr₃，SbCl₃或SbBr₃的熔點(diǎn)極低，會(huì)離開(kāi)InP材料層表面，由此可以避免N型InP發(fā)射極區(qū)層被Sb元素污染，可以獲得高品質(zhì)的N型InP發(fā)射極區(qū)層，有利于提升器件的性能。并且，該晶體管結(jié)構(gòu)中不需要加入GaAs緩沖層，避免了GaAs緩沖層的負(fù)面影響，又簡(jiǎn)化了制備工藝流程。

35 一種異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管制備方法及異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管制備方法

     該方法包括：在從下到上依次為基區(qū)外延層、發(fā)射區(qū)InP層和發(fā)射區(qū)帽層的晶圓上表面濺射金屬層和淀積介質(zhì)層；對(duì)介質(zhì)層和金屬層刻蝕，對(duì)發(fā)射區(qū)帽層腐蝕；刻蝕后的金屬層構(gòu)成發(fā)射區(qū)電極；淀積隔離介質(zhì)層；去除介質(zhì)層和介質(zhì)層外表面的隔離介質(zhì)層；對(duì)目標(biāo)隔離介質(zhì)層刻蝕，對(duì)發(fā)射區(qū)InP層腐蝕；腐蝕后的發(fā)射區(qū)InP層和發(fā)射區(qū)帽層構(gòu)成發(fā)射區(qū)臺(tái)面；在基區(qū)外延層上表面制備基區(qū)電極。能夠減小發(fā)射區(qū)臺(tái)面的橫向腐蝕距離，減小基區(qū)電極與發(fā)射區(qū)臺(tái)面的間距，從而減小R_B?table，提高異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的輸入電流能力和頻率性能。

36 一種砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管制備方法

     所述砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基區(qū)采用GaAsSb或InGaAs材料，發(fā)射區(qū)采用富Ga(即Ga組分大于51％)的GaInP材料。通過(guò)增加發(fā)射區(qū)材料的帶寬，減小基區(qū)材料的帶寬，增加了器件發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的帶寬差，提高器件的熱穩(wěn)定性和可靠性。并且，GaAsSb或InGaAs基區(qū)和GaInP發(fā)射區(qū)都是三元合金，組分更易控制，材料更易制備，而且不存在現(xiàn)有技術(shù)中的Al元素和N元素帶來(lái)的缺陷問(wèn)題。

37 一種雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制備方法

     包括：在待制備的圓片上制作發(fā)射區(qū)電極，并基于發(fā)射區(qū)電極對(duì)圓片中的發(fā)射區(qū)進(jìn)行濕法腐蝕，以使圓片中發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的第一分界層暴露；在第一分界層的上表面制作基區(qū)電極，并基于基區(qū)電極，依次對(duì)第一分界層和基區(qū)進(jìn)行濕法腐蝕，以使圓片中基區(qū)和集電區(qū)之間的第二分界層暴露；在第二分界層的上表面制作集電區(qū)電極，并基于集電區(qū)電極，依次對(duì)第二分界層和集電區(qū)進(jìn)行濕法腐蝕，以使圓片中集電區(qū)和腐蝕終止層之間的第三分界層暴露；依次對(duì)第三分界層、腐蝕終止層和圓片的InP襯底進(jìn)行濕法腐蝕，得到雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。能夠提高器件的性能和隔離度。

38 一種氮化鎵基雙極結(jié)型晶體管及其制備方法

     在AlGaN勢(shì)壘層和GaN溝道層的交界面處通過(guò)壓電極化和自發(fā)極化效應(yīng)在靠近GaN溝道層一側(cè)產(chǎn)生二維電子氣層；從絕緣層的頂面的中部，向下刻蝕至GaN溝道層的底面，形成用于沉積生長(zhǎng)P型半導(dǎo)體層的凹槽；從發(fā)射區(qū)絕緣層的頂面遠(yuǎn)離P型半導(dǎo)體層的端部和集電區(qū)絕緣層的頂面遠(yuǎn)離P型半導(dǎo)體層的端部，向下刻蝕至發(fā)射區(qū)AlGaN勢(shì)壘層的頂面，形成用于沉積生長(zhǎng)發(fā)射極和集電極的兩凹槽；在P型半導(dǎo)體層的頂面沉積生長(zhǎng)基極；可大大提高電子在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的遷移率，提升器件的大電流輸出能力、功率密度和高頻應(yīng)用能力。上海大學(xué)

39 一種垂直型雙極性結(jié)型晶體管及其制作方法

     該方法包括以下步驟：提供一基底，基底包括自下而上依次層疊的襯底層、第一絕緣層、中間層、第二絕緣層及器件層，將器件層轉(zhuǎn)變?yōu)榻^緣介質(zhì)層，形成第一、第二溝槽于絕緣介質(zhì)層中，形成第三、第四溝槽于第二絕緣層中，形成第一、第二隔離帶于中間層中，摻雜得到中間層功能區(qū)，形成第一、第二集電區(qū)，形成發(fā)射區(qū)及基區(qū)。制作方法起始于雙絕緣層基底，例如可以是雙絕緣層上硅晶圓，通過(guò)合理分布基區(qū)、集電區(qū)及發(fā)射區(qū)，解決了全耗盡SOI垂直雙極性結(jié)型晶體管集成的問(wèn)題。晶體管中采用雙層絕緣層的隔離，使得器件可以穩(wěn)定工作，不會(huì)影響別的器件，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)很好的雙極放大。

40 一種橫向雙極晶體管制備方法

     包括：發(fā)射極區(qū)域，摻雜有第一導(dǎo)電類型，具有第一寬度和第一平均摻雜濃度；集電極區(qū)域，摻雜有該第一導(dǎo)電類型，具有大于該發(fā)射極區(qū)域的該第一寬度的第二寬度和低于該第一平均摻雜濃度的第二平均摻雜濃度；以及基極區(qū)域，被定位在該發(fā)射極區(qū)域與該集電極區(qū)域之間。該發(fā)射極區(qū)域、集電極區(qū)域和基極區(qū)域被布置在襯底上的絕緣體層上的硅層中。被去除該硅層和該絕緣體層的襯底區(qū)域被定位在該集電極區(qū)域的一側(cè)上。偏置電路被耦合，并且被配置為向該襯底區(qū)域遞送偏置電壓。該偏置電壓被控制以調(diào)制該集電極區(qū)域的靜電摻雜。意法半導(dǎo)體（克洛爾2）公司

41 一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法

     在所述方法中，先形成梯形的犧牲結(jié)構(gòu)，再形成第一摻雜多晶硅層，在犧牲結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成第一摻雜多晶硅層的倒斜面結(jié)構(gòu)，后續(xù)刻蝕犧牲結(jié)構(gòu)并形成梯形空腔，在空腔中外延生長(zhǎng)，形成梯形的鍺硅外延層，并在第一摻雜多晶硅層的表面上形成多晶鍺硅層，側(cè)壁處的多晶鍺硅層呈斜面結(jié)構(gòu)，使得第一摻雜多晶硅層側(cè)壁處的倒斜面與多晶鍺硅層外側(cè)的斜面契合匹配，使得多晶鍺硅層內(nèi)側(cè)的斜面與鍺硅外延層側(cè)壁處的斜面契合匹配，實(shí)現(xiàn)了基于鍺硅外延層的內(nèi)基區(qū)與基于第一摻雜多晶硅層的外基區(qū)的匹配連接，減少了鍺硅外延層與第一摻雜多晶硅層之間的孔洞縫隙，增大了內(nèi)基區(qū)與外基區(qū)的接觸面積，降低了基區(qū)的總電阻。

42 一種二維材料與氮化鎵結(jié)合的雙極型晶體管及其制備工藝

     包括由下至上疊加形成整體式的底層集電極、襯底、n^??GaN層、p型二維材料層及雙極區(qū)，所述雙極區(qū)包括疊加在p型二維材料層上端面的基極與n⁺?GaN層，所述n⁺?GaN層遠(yuǎn)離基極的一端疊加有發(fā)射極；所述基極與n⁺?GaN層之間存在間隙區(qū)域，所述n⁺?GaN層上端面未被發(fā)射極覆蓋區(qū)域疊加設(shè)有電極隔離層，所述電極隔離層充填間隙區(qū)域，在發(fā)射極與基極之間形成隔離保護(hù)。將傳統(tǒng)BJT中的p型GaN埋層基區(qū)替換為p型二維材料基區(qū)，制備過(guò)程簡(jiǎn)化制備過(guò)程，提高工藝制備的效率，規(guī)避傳統(tǒng)p型GaN埋層基區(qū)難以激活，容易產(chǎn)生鈍化等問(wèn)題，有利于BJT的性能提升，更好應(yīng)用于高頻高溫惡劣環(huán)境下。深圳大學(xué)

43 一種縱向雙極型晶體管及其制作方法

     縱向雙極型晶體管設(shè)置于P型襯底上且包括：位于所述P型襯底上部的N型埋層和P型埋層，以及位于所述N型埋層下方的N型深阱，所述N型埋層設(shè)置于所述N型深阱與所述N型外延層之間，所述P型埋層設(shè)置成包圍所述N型深阱且鄰接所述N型埋層。通過(guò)在襯底設(shè)置N型埋層和P型埋層和N型深阱，所述P型埋層環(huán)繞所述N型深阱設(shè)置且鄰接所述N型埋層，利用P型埋層分別與N型埋層和N型深阱形成的PN結(jié)阻斷基區(qū)少子電流向襯底注入的通道，由此減少襯底漏電流。

44 一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制造方法

     包括依次層疊的集電區(qū)層、基區(qū)層和發(fā)射區(qū)層，所述基區(qū)層包括含砷鎵的能帶層，所述含砷鎵的能帶層的能帶低于砷化鎵材料的能帶，從而能夠降低異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的能帶；進(jìn)一步的，所述基區(qū)層還包括第一含砷鎵的過(guò)渡層，通過(guò)所述第一含砷鎵的過(guò)渡層以實(shí)現(xiàn)晶格常數(shù)的過(guò)渡，可以避免與集電區(qū)層之間的晶格失配；進(jìn)一步的，所述基區(qū)層還包括第二砷化鎵層，通過(guò)所述第二砷化鎵層可以實(shí)現(xiàn)與發(fā)射區(qū)層之間的晶格匹配。在本發(fā)明提供的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制造方法中，能夠得到低能帶、高質(zhì)量的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。

45 雙極結(jié)晶體管和制造方法

     該結(jié)構(gòu)包括：集電極區(qū)；基極區(qū)，其與所述集電極區(qū)相鄰；發(fā)射極區(qū)，其與所述基極區(qū)相鄰；具有第一材料的接觸，其連接到集電極區(qū)和基極區(qū)；以及具有第二材料的至少一個(gè)接觸，其連接到發(fā)射極區(qū)。格芯（美國(guó)）集成電路科技有限公司

46 一種載流子存儲(chǔ)溝槽型雙極晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法

     通過(guò)在傳統(tǒng)CSTBT器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上引入深槽發(fā)射極，并在N型摻雜的載流子存儲(chǔ)層的下方，溝槽結(jié)構(gòu)底部的外圍區(qū)域形成P型層，有效解決了傳統(tǒng)CSTBT的擊穿電壓過(guò)小、導(dǎo)通功耗大、關(guān)斷損耗過(guò)高等問(wèn)題。復(fù)旦大學(xué)

47 一種抗單粒子瞬態(tài)的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及制造方法

     包括：提供襯底，在襯底中形成深N阱，在深N阱中形成深P阱；在深N阱與深P阱的側(cè)面，形成第一淺槽隔離結(jié)構(gòu)，在深P阱內(nèi)部，形成第二淺槽隔離結(jié)構(gòu)；在深P阱內(nèi)部形成被第二淺槽隔離結(jié)構(gòu)包圍隔離的區(qū)域內(nèi)形成集電區(qū)；在集電區(qū)上形成異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。本發(fā)明所設(shè)計(jì)的襯底包括深N阱和深P阱，在該襯底上制造的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，當(dāng)發(fā)生單粒子瞬態(tài)時(shí)，可減少集電區(qū)收集的電荷，并將集電區(qū)瞬態(tài)電流降低，提高集電區(qū)瞬態(tài)電流快速掉電的效率，降低抗單子瞬態(tài)的生產(chǎn)成本。

48 一種可減小電性特性的偏差的雙極晶體管及半導(dǎo)體裝置

     一種雙極晶體管(100)，具有：集電極區(qū)域(150)，是P型半導(dǎo)體基板(110)中的規(guī)定區(qū)域；基極區(qū)域(140)，形成在集電極區(qū)域(150)內(nèi)且是N型阱區(qū)域；多晶硅(130)，隔著絕緣膜(131)形成在基極區(qū)域(140)上，且俯視時(shí)的外周呈矩形的環(huán)狀；以及P型發(fā)射極區(qū)域(120)，被多晶硅(130)包圍且形成在基極區(qū)域(140)內(nèi)，多晶硅(130)包括延伸部(130a)，所述延伸部(130a)向基極區(qū)域(140)的接觸區(qū)域(141)的內(nèi)側(cè)延伸并與基極區(qū)域(140)電性連接。艾普凌科株式會(huì)社

49 一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制造方法

     采用贗埋層、基極接觸面呈楔形和鎳硅工藝，在襯底中形成贗埋層，在襯底的正面形成基極，基極的第一基區(qū)和第二基區(qū)接觸面為楔形，在第一基區(qū)上形成楔形介電結(jié)構(gòu)為側(cè)面的溝槽，以楔形介電結(jié)構(gòu)為掩膜進(jìn)行離子注入，在第一基區(qū)的底部和贗埋層的頂部形成集電極，以介電結(jié)構(gòu)為側(cè)面的溝槽中形成發(fā)射極，采用鎳硅工藝在發(fā)射極、基極及集電極形成歐姆接觸的金屬層。在第一基區(qū)和第二基區(qū)采用楔形連接，增加了接觸面積，減小基極電阻，通過(guò)在襯底中形成贗埋層以及鎳硅工藝，減少埋層的形成，降低對(duì)熱預(yù)算的需求，提升了工藝的復(fù)用性和可靠性。

50 具有參與二極管的基極層的雙極結(jié)晶體管制備方法

     一種用于雙極結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)和形成用于雙極結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)的方法。所述結(jié)構(gòu)包括具有第一抬升半導(dǎo)體層的第一端子、具有第二抬升半導(dǎo)體層的第二端子、以及基極層，所述基極層在橫向方向上位于所述第一端子的所述第一抬升半導(dǎo)體和所述第二端子的所述第二抬升半導(dǎo)體層間。所述結(jié)構(gòu)還包括調(diào)制器，其包括與所述基極層直接接觸的半導(dǎo)體層。所述基極層具有第一導(dǎo)電類型，所述半導(dǎo)體層具有與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型。格芯（美國(guó)）集成電路科技有限公司

51 一種硅基硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制造方法

     屬于電子技術(shù)領(lǐng)域。在襯底上離子注入形成N+BL埋層；在N+BL埋層上形成四氮化三硅應(yīng)力層；離子注入形成N?集電區(qū)；通過(guò)氧化形成二氧化硅掩蔽層，刻蝕出集電區(qū)窗口后進(jìn)行硼離子注入，并執(zhí)行快速退火操作以消除晶格損傷；離子注入形成N+BL埋層連通區(qū)；在應(yīng)變基區(qū)選擇性外延Si_1?xGe_x基區(qū)；在Si_1?xGe_x基區(qū)上方淀積硅帽層；淀積N型多晶硅作為發(fā)射極；刻蝕Si并淀積SiGe材料與四氮化三硅應(yīng)力層形成集電區(qū)應(yīng)力區(qū)；光刻集電極、發(fā)射極和基極以外的金屬，形成電極引線。能夠增強(qiáng)載流子的遷移率、減小載流子總渡越時(shí)間，提高晶體管工作速度。

52 具有改進(jìn)結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管及其制備方法

     包括步驟一，塑封組裝；步驟二，拼接安裝；步驟三，泄壓測(cè)試；步驟四，檢驗(yàn)儲(chǔ)存；本發(fā)明通過(guò)防爆機(jī)構(gòu)的安裝，利用開(kāi)有十字槽的泄壓鋁薄膜來(lái)泄壓防爆，出現(xiàn)晶體管短接膨脹的情況時(shí)，壓力從泄壓鋁薄膜傾瀉出，避免了晶體管爆炸的情況出現(xiàn)，提升了晶體管使用的安全性；通過(guò)散熱機(jī)構(gòu)的安裝，利用散熱板的風(fēng)冷散熱以及散熱液的吸熱，實(shí)現(xiàn)了晶體管的快速散熱，提升了設(shè)備的散熱能力，避免了過(guò)載過(guò)熱導(dǎo)致的使用壽命縮短的情況出現(xiàn)；利用固定塊和第一導(dǎo)電塊通過(guò)螺紋鎖緊的方式固定，代替?zhèn)鹘y(tǒng)的錫焊固定，固定方式簡(jiǎn)單，無(wú)需專門的錫焊工具，同時(shí)拆卸簡(jiǎn)便，便于重復(fù)利用。

53 一種異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管及其制作方法

     所述異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管包括由下至上依次設(shè)置的襯底、亞集電區(qū)、隧穿結(jié)構(gòu)、集電區(qū)、基區(qū)、發(fā)射區(qū)、發(fā)射區(qū)蓋層和歐姆接觸層；其中，所述隧穿結(jié)構(gòu)包括交替設(shè)置的第一導(dǎo)電類型離子摻雜層和第二導(dǎo)電類型離子摻雜層。根據(jù)本發(fā)明提供的異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管及其制作方法，通過(guò)在亞集電區(qū)和集電區(qū)之間形成由交替設(shè)置的第一導(dǎo)電類型離子摻雜層和第二導(dǎo)電類型離子摻雜層構(gòu)成的隧穿結(jié)構(gòu)而不再形成刻蝕停止層，隧穿結(jié)電容(Ctj)與集電結(jié)電容(Cbc)串聯(lián)，等效電容減小，提高了器件的性能。

54 一種雙極性晶體管及其制造方法

     雙極性晶體管包括：第一類型阱；第二類型阱，與第一類型阱相鄰；第一淺溝槽隔離區(qū)，由壓應(yīng)力為負(fù)值的絕緣材料構(gòu)成，位于第二類型阱中并且從襯底的表面向內(nèi)延伸預(yù)定深度；第二淺溝槽隔離區(qū)，由壓應(yīng)力為負(fù)值的絕緣材料構(gòu)成，位于第一類型阱和第二類型阱之間并且從襯底的表面向內(nèi)延伸預(yù)定深度；以及基極，形成在第二類型阱中，其中，基極與第一淺溝槽隔離區(qū)和第二淺溝槽隔離區(qū)相鄰。本公開(kāi)實(shí)施例的方案能夠?qū)崿F(xiàn)電流增益Beta的顯著提升，并且該與傳統(tǒng)CMOS工藝平臺(tái)兼容。全芯智造技術(shù)有限公司

55 一種異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管制作方法

     包括：襯底；溝道層，形成在襯底上，溝道層上形成有向下凹陷的臺(tái)面；勢(shì)壘層，形成在溝道層的未形成有臺(tái)面的區(qū)域上，勢(shì)壘層適用于在溝道層內(nèi)極化產(chǎn)生二維電子氣層；p型基區(qū)，形成在勢(shì)壘層上的部分區(qū)域；n型發(fā)射區(qū)，形成在p型基區(qū)上的部分區(qū)域；漏極，形成在溝道層的臺(tái)面上，漏極適用于與二維電子氣層形成歐姆接觸；其中，p型基區(qū)與n型發(fā)射區(qū)形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)適用于經(jīng)過(guò)勢(shì)壘層向溝道層輸入電流，二維電子氣層適用于將電流傳輸至漏極。

56 一種磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管制作方法

     所述磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基區(qū)采用P型的InGaAs/GaAsSb超晶格結(jié)構(gòu)。采用InGaAs/GaAsSb超晶格結(jié)構(gòu)制作基區(qū)，其導(dǎo)帶高度可以通過(guò)超晶格材料的厚度調(diào)節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)理想的電子輸運(yùn)，同時(shí)避免了傳統(tǒng)InGaAsSb四元合金基區(qū)所面臨的相分離、組分不均勻和重復(fù)性差等問(wèn)題，極大的提高了器件的設(shè)計(jì)靈活性和可制造性。

57 一種砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管制作方法

     所述砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的亞集電區(qū)和/或發(fā)射區(qū)蓋層采用Si和C共摻雜的N型GaAs。在高摻的GaAs亞集電區(qū)和/或發(fā)射區(qū)蓋層采用Si和C共摻雜方法，相對(duì)于只采用Si摻雜的現(xiàn)有技術(shù)，可有效抑制高摻GaAs層中點(diǎn)缺陷的擴(kuò)散，提高器件的穩(wěn)定性和可靠性。

58 一種深槽隔離雙極晶體管及其制造方法

     通過(guò)設(shè)置在第一雜質(zhì)類型襯底內(nèi)的第一雜質(zhì)類型重?fù)诫s區(qū)，在過(guò)剩載流子向集電區(qū)?襯底PN結(jié)輸運(yùn)的路徑上引入了高復(fù)合率區(qū)域，減少了被集電區(qū)收集的過(guò)剩載流子數(shù)量，能夠有效降低瞬時(shí)光電流的幅值并縮短其持續(xù)時(shí)間，從而大幅提高了深槽隔離雙極晶體管的抗瞬時(shí)劑量率效應(yīng)能力；第一雜質(zhì)類型重?fù)诫s區(qū)位于襯底中，不改變器件的本征區(qū)域結(jié)構(gòu)和工藝流程，不影響器件的常規(guī)電學(xué)參數(shù)；第一雜質(zhì)類型重?fù)诫s區(qū)的形成方法簡(jiǎn)單，與常規(guī)器件相比，僅需增加一次離子注入流程，同時(shí)不需引出單獨(dú)的金屬接觸，有利于降低工藝復(fù)雜度和制造成本；同時(shí)，在提高抗瞬時(shí)劑量率效應(yīng)能力的同時(shí)，還能夠提高抗單粒子效應(yīng)能力。

59 一種抗輻照加固硅PNP雙極型晶體管及其制備方法

     晶體管包括襯底本體(1)和外延層(2)，在敷設(shè)有掩蔽層(3)，并在掩蔽層(3)中部下方的外延層(2)上設(shè)置有基區(qū)(4)，在基區(qū)(4)中心位置設(shè)置有發(fā)射區(qū)(5)，在發(fā)射區(qū)(5)中心處設(shè)置有穿過(guò)掩蔽層(3)的發(fā)射區(qū)電極(9)；在外延層(2)的上方靠近邊緣處設(shè)置有保護(hù)環(huán)(6)；在發(fā)射區(qū)(5)外側(cè)的基區(qū)(4)邊緣處設(shè)置有高磷區(qū)(7)，在高磷區(qū)(7)上方設(shè)置有穿過(guò)掩蔽層(3)的基區(qū)電極(8)；在除基區(qū)電極(8)和發(fā)射區(qū)電極(9)之外的外延層(2)上方設(shè)置有保護(hù)層(10)。本發(fā)明提高了雙極型晶體管的抗輻照能力。

60 一種垂直應(yīng)變雙極結(jié)型晶體管及其制備方法

     垂直應(yīng)變雙極結(jié)型晶體管包括發(fā)射區(qū)、集電區(qū)和基區(qū)，所述發(fā)射區(qū)包括襯底和凸出于襯底表面的凸臺(tái)，所述凸臺(tái)的表面設(shè)有所述基區(qū)，所述基區(qū)環(huán)繞式包裹所述集電區(qū)，氮化硅應(yīng)力薄膜環(huán)繞式包裹所述基區(qū)的外側(cè)壁，利用氮化硅應(yīng)力薄膜環(huán)繞式包裹所述基區(qū)的外側(cè)壁，可提供單軸應(yīng)力，提高載流子遷移率，進(jìn)而提高器件的特征頻率。