亚洲成人福利网站,免费一区啪啪视频,久久高潮一级毛片免费看,亚洲超清中文字幕无码

技術進步與材料變化
        在材料方面，盡管硅是主要的半導體材料，但其他材料如硅鍺（SiGe）和砷化鎵（GaAs）也用于特殊應用。例如，硅鍺混合物在國際商業(yè)機器公司（IBM）的硅鍺工藝中被使用，而砷化鎵因無法生長高質量氧化層，未能廣泛用于金氧半場效晶體管（MOSFET）?。

應用領域與市場趨勢
        絕緣柵型場效應管在多個領域有廣泛應用，包括模擬電路和數字電路。隨著技術的進步，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）成為電力電子行業(yè)的關鍵組件，特別是在電機節(jié)能、軌道交通和新能源汽車等領域。

       本篇是為了配合國家產業(yè)政策向廣大企業(yè)、科研院校提供絕緣柵雙極型晶體管技術制造工藝匯編技術資料。資料中每個項目包含了最詳細的技術制造資料,現有技術問題及解決方案、產品生產工藝、、產品性能測試，對比分析。資料信息量大,實用性強,是從事新產品開發(fā)、參與市場競爭的必備工具。

【資料內容】生產工藝、配方
【出品單位】國際新技術資料網
【資料頁數】833頁
【項目數量】55項
【資料合訂本】1680元(上、下冊)
【資料光盤版】1480元（PDF文檔）

目錄

1   一種橫向絕緣柵雙極型晶體管器件及其制備方法

     N型漂移區(qū)頂端的一側間隔設有第一溝槽和第二溝槽，第一溝槽內填充有第一多晶硅層，第二溝槽內填充有第二多晶硅層，第一溝槽與第一多晶硅層之間形成有第一氧化層，第二溝槽與第二多晶硅層之間形成有第二氧化層；第一溝槽和第二溝槽位于集電極區(qū)的同一側，集電極區(qū)位于第一溝槽與柵極區(qū)之間，第一溝槽和第二溝槽均位于集電極區(qū)與橫向絕緣柵雙極型晶體管器件的N型摻雜區(qū)之間，能夠在保證性能的情況下保持N型漂移區(qū)內載流子的濃度，實現對電子的快速抽取，實現快速關斷，進而降低關斷損耗。

2   一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法和用電器

     涉及半導體領域。絕緣柵雙極型晶體管包括：超結結構、場截止層、P型集電極、背面金屬、N型載流子存儲層、P型基區(qū)、N型發(fā)射極、第一柵、第二柵、介質層以及正面金屬；超結結構由漂移區(qū)和半導體區(qū)組成，場截止層、P型集電極和背面金屬依次層疊，位于超結結構的第二側，且場截止層靠近超結結構；N型載流子存儲層、P型基區(qū)、介質層和正面金屬依次層疊，位于超結結構的第一側，且N型載流子存儲層靠近超結結構，請超結結構形成的橫向電場會加快空穴的移除進而減少了空穴在P型基區(qū)和介質層底部的積累，進而優(yōu)化了絕緣柵雙極型晶體管的EMI，減小了正向開通損耗。

3   一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

     該制備方法包括：在n?漂移區(qū)的上表面形成n?載流子存儲層；形成發(fā)射極溝槽和有源溝槽；在有源溝槽和發(fā)射極溝槽內生長柵氧化層，再分別形成屏蔽柵多晶硅和發(fā)射極多晶硅；在屏蔽柵多晶硅的上方生長隔離氧化層；在有源溝槽內生長柵極氧化層，再形成柵極多晶硅；在n?載流子存儲層的上方設置發(fā)射極；發(fā)射極多晶硅用于將發(fā)射極溝槽與發(fā)射極相連，以形成虛擬柵；柵極多晶硅將有源溝槽與柵極連接，以作為控制柵；屏蔽柵多晶硅與發(fā)射極連接，以作為屏蔽柵。引入屏蔽柵和虛擬柵，減小了米勒電容，提高了開關速度，減小了溝道密度，降低了短路電流，提高了短路能力，優(yōu)化了器件性能。

4   一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

     涉及半導體技術領域，本申請的絕緣柵雙極型晶體管，包括集電極金屬層以及依次設置于集電極金屬層上的P型集電層、N型緩沖層和N型耐壓層，N型耐壓層的上表面形成多個溝槽，溝槽內設置復合結構，復合結構包括設置于溝槽內的第一多晶硅結構和第二多晶硅結構，第二多晶硅結構嵌設在第一多晶硅的上表面，相鄰的溝槽之間沿層級方向依次設置N型載流子存儲層、第一P型基層以及N型有源層，N型有源層和第一多晶硅結構連接發(fā)射極金屬，第二多晶硅結構連接柵極金屬。制備方法能夠改善導通壓降和飽和電流的折中曲線以及導通壓降和開關損耗的折中曲線。

5   一種絕緣柵雙極性晶體管及其制備方法、電子設備

     絕緣柵雙極性晶體管包括：第一導電類型的襯底；多個柵極結構，間隔設置在第一導電類型的襯底內，柵極結構包括柵氧化層、第一半導體摻雜層和第二半導體摻雜層，第一半導體摻雜層設置在第二半導體摻雜層上，柵氧化層設置在第一半導體摻雜層的側壁、第二半導體摻雜層的底部和側壁，第一半導體摻雜層具有第一導電類型，第二半導體摻雜層具有第二導電類型，第一導電類型和第二導電類型相反。第二半導體摻雜層與第一半導體摻雜層結合形成反向PN結，在柵氧化層底部被擊穿后，該PN結可以承受反向電壓，避免第一半導體摻雜層與襯底短路，IGBT管失效的情況的發(fā)生，提高了IGBT管的耐壓性。

6   一種絕緣柵雙極型晶體管的制備裝置及其制備方法

     包括超聲波清洗機，所述超聲波清洗機側壁固接有支撐架；所述支撐架頂部固接有多組升降臺；多組所述升降臺在支撐架上呈陣列設置；所述升降臺頂部側壁固接有多個升降電缸；所述升降電缸輸出端貫穿升降臺側壁，且固接有連接架；所述連接架底部側壁固接有多個固定夾；所述固定夾中部呈對稱設置鉸接有一對防護蓋板；所述防護蓋板側壁固接有浮塊，通過位于IGBT外側的防護蓋板，起到對雜質的阻擋作用，進而減少了取出IGBT時，清潔液表面的漂浮雜質對IGBT造成再次污染的問題，提高了對IGBT的清洗效果，提高了IGBT的加工質量。

7   一種開關自適應的絕緣柵雙極性晶體管及其制造方法

     涉及半導體功率器件技術領域，較傳統(tǒng)的器件元胞結構引入P?型注入層來取代部分N型層來形成新的載流子存儲層，有效的為導通飽和電壓與關斷損耗的結構調節(jié)提供了新的設計方法。新引入的P?型載流子存儲層在絕緣柵雙極性晶體管在柵極+15V開通時，可以由P?反型為N型層實現載流子（空穴）的積累，從而增強了電導調制效應，降低了導通飽和電壓。新引入的P?型載流子存儲層在絕緣柵雙極性晶體管在柵極?5V/?8V關斷時，可以由P?變?yōu)镻型層，增強關斷時載流子（空穴）的抽取，減小載流子（空穴）的積累，降低關斷時間和拖尾電流，從而實現關斷損耗的降低。

8   一種逆導型絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

     包括：阱區(qū)設置與外延層內，阱區(qū)包括沿第一方向設置的基區(qū)和陽極區(qū)；外延層包括IGBT區(qū)域、二極管區(qū)域和隔離區(qū)域，隔離區(qū)域設置在IGBT區(qū)域和二極管區(qū)域之間，隔離區(qū)域包括第一隔離溝槽隔離基區(qū)和陽極區(qū)。用以解決二極管區(qū)域反向恢復特性較差的問題，逆導型絕緣柵雙極型晶體管，在IGBT區(qū)域和二極管區(qū)域之間設置隔離區(qū)域，隔離區(qū)域的第一隔離溝槽將基區(qū)與陽極區(qū)隔離區(qū)域相互隔離，從而使得陽極區(qū)和基區(qū)可以分開制造，有效的改善二極管區(qū)域的反向恢復特性，降低反向恢復時間。

9   一種屏蔽柵結構的絕緣柵雙極性晶體管及其制造方法

     涉及半導體技術領域。位于溝槽頂部的為控制柵主要用于實現控制溝道的開通，位于溝槽底部的為屏蔽柵可以降低米勒電容在反向關斷時可以降低關斷損耗，同時還可以用于溝槽間的電荷平衡效應，會在反向截止時調節(jié)電場實現耗盡，實現反向耐壓的需求。較傳統(tǒng)的器件元胞結構引入了屏蔽柵和控制柵集成于同一溝槽，不僅有效地提高了元胞密度。同時該結構可以在不改變柵極?發(fā)射極電容Cge的前提下來降低米勒電容Cres，從而獲得一個較低的Cres/Cge比值，有助于抑制器件在實際電路應用中由于電壓切換造成上下管同時開通的self turn on效應。

10 碳化硅P溝道絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

     碳化硅P溝道絕緣柵雙極型晶體管包括依次接觸而形成的P+發(fā)射區(qū)、N型基區(qū)、P型漂移區(qū)以及N+集電區(qū)；N型基區(qū)具有介于P+發(fā)射區(qū)與P型漂移區(qū)之間的表層區(qū)域；柵極絕緣跨接于N型基區(qū)的表層區(qū)域；通過柵極上的偏壓控制于N型基區(qū)的表層區(qū)域形成導通P+發(fā)射區(qū)與P型漂移區(qū)的溝道區(qū)；所述P+發(fā)射區(qū)為硅基底摻雜。該方案通過在碳化硅P溝道IGBT的P+發(fā)射區(qū)中將SiC基底更改為硅基底，提高了N型基區(qū)中溝道區(qū)的載流子遷移率，從而可以明顯地提升碳化硅P溝道IGBT的導電能力，提升其開關響應速度，提升器件的可靠性。

11 一種深接觸孔絕緣柵雙極晶體管元胞結構及制造方法

     其包括N型漂移區(qū)、設置于N型漂移區(qū)上側的接觸溝槽、設置于N型漂移區(qū)上側的P型體區(qū)、設置于P型體區(qū)上側的N+型發(fā)射區(qū)、設置于N+型發(fā)射區(qū)上側的多晶硅層，設置于多晶硅層下側的場氧化層、設置于多晶硅層和場氧化層上側的介質層、設置于介質層一側的發(fā)射極金屬化層，以及設置于N型漂移區(qū)背面的P+背面金屬化層。有益效果為通過各結構配合使器件能夠適用于高電壓環(huán)境，實現快速開關，提高了電子注入效率，增強器件的導電效率，優(yōu)化了器件內部的電場分布，提高器件的性能和可靠性，提高了器件的功率處理能力，提高了整體結構的適用性。

12 溝槽柵碳化硅絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法

     屬于半導體器件技術領域，包括P+襯底，所述的P+襯底正面上方外延生長設有N+緩沖層；N+緩沖層正面上方外延生長設有N?漂移區(qū)；N?漂移區(qū)上表面外延形成N型CSL層；N型CSL層上表面設有P?base區(qū)；P?base區(qū)的中央位置設有P?溝道區(qū)；P?base區(qū)和P?溝道區(qū)的上表面設有N+發(fā)射區(qū)；N+發(fā)射區(qū)和P?base區(qū)的邊沿位置設有P+接觸區(qū)；N+發(fā)射區(qū)中央位置設有深槽，深槽底部通過設有P+屏蔽區(qū)。本發(fā)明不僅能有效調控閾值電壓，使得在相同的柵極驅動電壓下，溝道開啟程度更強，器件的導通電阻更低，同時也能夠使得溝道開啟更加均勻，進一步得降低了器件在開通過程中的損耗。

13 一種用于制造反向阻斷絕緣柵雙極晶體管和相關結構的方法

     提供并鍵合第一硅晶圓基片和第二硅晶圓基片。在第一硅晶圓基片中形成一個或多個分離擴散區(qū)域。在第一硅晶圓基片的頂表面上形成一個或多個正面金屬氧化物半導體(MOS)結構。去除第二硅晶圓基片層。在第一硅晶圓基片的底表面上形成接觸擴散層。在接觸擴散層的底表面上形成背面金屬化層。力特保險絲公司

14 一種載流子存儲增強型橫向絕緣柵雙極型晶體管

     該橫向絕緣柵雙極型晶體管在橫向絕緣柵雙極型晶體管正向導通時，通過增加輕摻雜第一導電類型載流子存儲區(qū)的空穴，使得輕摻雜第一導電類型漂移區(qū)的載流子存儲效應增強；當橫向絕緣柵雙極型晶體管關斷時，輕摻雜第一導電類型漂移區(qū)中的空穴經過輕摻雜第一導電類型載流子存儲區(qū)抽取至重摻雜第二導電類型發(fā)射區(qū)。優(yōu)化了橫向絕緣柵雙極型晶體管導通壓降和關斷損耗之間的關系，還增加了橫向絕緣柵雙極型晶體管的擊穿電壓。

15 一種雙柵場截止型絕緣柵雙極型晶體管制備方法

     該雙極型晶體管通過柵極金屬層、副柵極金屬層、發(fā)射極溝槽重摻雜第一導電類型多晶硅層、發(fā)射極溝槽絕緣介質層形成正極發(fā)射極導電類型溝槽結構、負極發(fā)射極導電類型溝槽結構；雙極型晶體管正向導通和關斷時，通過正極發(fā)射極導電類型溝槽結構和負極發(fā)射極導電類型溝槽結構處理輕摻雜第二導電類型耗盡區(qū)的空穴。提供的雙極型晶體管在正向導通時提高輕摻雜導電類型耗盡區(qū)的空穴勢壘，增強漂移區(qū)的空穴，增加對應的載流子存儲效應，降低導通壓降，在關斷時，通過恢復輕摻雜導電耗盡區(qū)的空穴，提高了空穴的抽取速度，降低關斷產生的損耗。

16 一種絕緣柵雙極晶體管及其制備方法

     由上至下包括：頂層硅層(1)、寬禁帶半導體層(8)、N⁺型緩沖層(9)、集電區(qū)(10)和集電區(qū)電極(11)。本發(fā)明采用寬禁帶半導體晶圓與硅晶圓鍵合的晶圓，然后在硅上制作溝槽型絕緣柵雙極晶體管，可以有效地減輕由寬禁帶半導體如碳化硅工藝引起的問題。同時，這種方法還保留了寬禁帶半導體的優(yōu)點，如高電子遷移率和高耐壓性，溝槽型柵極結構降低了器件的正向導通電壓，電流密度提高，從而提高器件的性能，具有良好的市場應用前景。

17 一種絕緣柵雙極晶體管器件制備方法

     包括：摻雜有第一類型載流子的第一區(qū)域；摻雜有不同于第一類型載流子的第二類型載流子的第二類型載流子的第二區(qū)域；摻雜有第一類型載流子的第三區(qū)域；摻雜有第二類型載流子的第四區(qū)域；與第一區(qū)域電連接的第一發(fā)射極端子、以及與第三區(qū)域和第四區(qū)域電連接的第二集電極端子；以及設置在第三區(qū)域上的柵極結構，柵極結構的一端與第二區(qū)域相鄰，另一端與第四區(qū)域相鄰；以及二極管結構，二極管結構具有與集電極端子電連接的第一二極管結構端子和與柵極結構的柵極端子電連接的第二二極管結構端子；其中，二極管結構是具有不大于200毫微微法拉的總電容的成對反并聯(lián)二極管結構。安世有限公司

18 一種橫向絕緣柵雙極型晶體管

     其含有漂移區(qū)、頂部區(qū)、集電結構、發(fā)射結構、槽型控制柵結構、深溝槽結構和槽型自偏置柵結構。其具有反向導通能力的同時，消除了電流?電壓折回現象、具備更高的關斷可靠性、快速且較軟的反向恢復特性、較低的正向恢復電壓以及更低的關斷功耗。四川大學

19 一種優(yōu)化EMI性能的分離柵型的絕緣柵雙極晶體管制備方法

     包括：從下至上依次層疊設置的集電極、P+集電區(qū)、N型緩沖層、N?漂移區(qū)、N型載流子存儲層、P+基區(qū)和發(fā)射極，若干組分離多柵沿長度方向依次間隔設置，每組分離多柵包括若干個第一溝槽柵電極組、若干個第二溝槽柵電極組和若干個第三溝槽柵電極組，若干個第一溝槽柵電極組、若干個第二溝槽柵電極組和若干個第三溝槽柵電極組沿長度方向依次間隔設置。改善了器件的EMI噪聲，同時也避免了柵極負電容現象的產生。西安電子科技大學

20 一種絕緣柵雙極晶體管及其制造方法

     包括：集電極；p型襯底，所述p型襯底設于集電極正面；n?base區(qū)，所述n?base區(qū)設置于p型襯底的正面；gate柵，所述gate柵間隔設置在n?base區(qū)的正面；n+型雜質區(qū)一，所述n+型雜質區(qū)一設置在n?base區(qū)正面，并且靠近n?base區(qū)的側面；p型雜質區(qū)一，所述p型雜質區(qū)一設置在n+型雜質區(qū)的正面；p型雜質區(qū)二，所述p型雜質區(qū)二設置在n?base區(qū)的正面，并且位于n?base區(qū)的中部；n+型雜質區(qū)二，所述n+型雜質區(qū)二設置在p型雜質區(qū)二的正面；發(fā)射極，所述發(fā)射極覆蓋n+型雜質區(qū)二和gate柵的正面并形成歐姆接觸，形成空穴沿P型浮空區(qū)逃逸的難度增大，轉而匯集在三極管的發(fā)射極，避免過度降低了基區(qū)下方的等離子體濃度，改善電導調制效果。

21 一種絕緣柵雙極晶體管、其制作方法及電子器件制備方法

     襯底的制作材料包括P+型碳化硅，襯底之上設置有緩沖層，緩沖層的制作材料包括P型碳化硅，緩沖層之上設置有碳化硅層；碳化硅層中設置有柵極溝槽，柵極溝槽兩側分別設置有保護溝槽，每個保護溝槽與襯底之間均設置有第一P+摻雜層，且保護溝槽的底部與對應第一P+摻雜層接觸。如此，保護溝槽和第一P+摻雜層能夠降低柵極溝槽附近的電場強度，使得絕緣柵雙極晶體管不容易因擊穿而失效，提高了絕緣柵雙極晶體管的可靠性。

22 一種分區(qū)雙模式導電的絕緣柵雙極型晶體管制備方法

     包括：第一導電類型阱區(qū)、第一導電類型發(fā)射極重摻雜區(qū)、第一導電類型集電極重摻雜區(qū)、第一導電類型摻雜島、第二導電類型漂移區(qū)、第二導電類型發(fā)射極重摻雜區(qū)、第二導電類型集電極重摻雜區(qū)、第二導電類型半導體截至區(qū)、第一介質氧化層、第二介質氧化層、第三介質氧化層、控制柵多晶硅電極、發(fā)射極金屬、柵極金屬、集電極金屬。提出了一種分區(qū)雙模式導電機制，利用介質隔離的高摻雜區(qū)分別形成電子、空穴的高密度通道；在關態(tài)下，單極區(qū)可作為關斷時抽取通路，提高關斷速度；第一導電類型摻雜島可進一步提高漂移區(qū)的摻雜劑量，降低器件開態(tài)比導通電阻。

23 一種逆導型絕緣柵雙極晶體管制備方法

     包括第一半導體層、第二半導體層、電荷蓄積層、柵極、發(fā)射層、發(fā)射極、場截止層、集電層、集電極、第一勢壘層、第二勢壘層、第一陰極層和第二陰極層；第二勢壘層與第一勢壘層的相鄰側之間留有第二預設間距，以形成電子流動通道；第二陰極層與第一陰極層的相鄰側之間留有第三預設間距，且第三預設間距大于第二預設間距；在電子豎向移動過程中，增加了橫渡的過程，延長了電子移動路徑，進而增加電阻，產生電壓降低，可以輕松調制電導率，進而能夠改善電壓折回現象。通過抑制因電壓折回現象引起的飽和電壓升高現象，有效地解決逆導型絕緣柵雙極晶體管特性被削弱問題。

24 肖特基結注入型絕緣柵雙極型晶體管及其制備工藝

     包括：依次連接的集電極金屬、第一導電類型緩沖區(qū)和第一導電類型漂移區(qū)；第一導電類型漂移區(qū)連接有第二導電類型體區(qū)和柵氧化層，第二導電類型體區(qū)表面與發(fā)射極金屬相連，所述柵氧化層上方連接柵電極；第一導電類型緩沖區(qū)完全被集電極金屬覆蓋，且第一導電類型緩沖區(qū)與集電極金屬之間形成肖特基接觸。肖特基結注入型絕緣柵雙極型晶體管的第一導電類型緩沖區(qū)完全被集電極金屬覆蓋，且與集電極金屬之間形成肖特基接觸，由于不存在PN結，器件處于導通時不存在PN結帶來的漂移區(qū)非平衡載流子注入，器件可以實現快速關斷效果。濟南大學

25 一種注入增強型快速薄頂層硅橫向絕緣柵雙極型晶體管

     包括：襯底層；基區(qū)，設置于襯底層上；漂移區(qū)，相鄰基區(qū)設置于襯底層上；緩沖區(qū)，相鄰漂移區(qū)設置于襯底層上；高阻區(qū)，相鄰緩沖區(qū)設置于襯底層上；發(fā)射區(qū)，設置于基區(qū)背離襯底層的一側；柵極區(qū)，設置于基區(qū)上；集電區(qū)，設置于緩沖區(qū)背離襯底層的一側，集電區(qū)與高阻區(qū)接觸。非平衡電子從發(fā)射區(qū)向集電區(qū)方向運動，并以直接導通的方式通過緩沖區(qū)和高阻區(qū)而被集電區(qū)收集，相較于IE?LIGBT，電流拖尾現象基本得到消除，提高了關斷速度，減小了關斷損耗。

26 一種絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法

     所述器件包括：襯底，包括終端區(qū)和源區(qū)，源區(qū)包括元胞區(qū)和柵區(qū)，柵區(qū)設置在元胞區(qū)的四周；源區(qū)多晶硅，橫跨在元胞區(qū)和柵區(qū)上，且源區(qū)多晶硅包括源區(qū)短多晶硅和源區(qū)長多晶硅；終端過渡區(qū)，設置在柵區(qū)的襯底內，且部分延伸至元胞區(qū)的襯底內；柵區(qū)接觸孔，設置在柵區(qū)上的源區(qū)多晶硅上；以及源區(qū)接觸孔，設置在元胞區(qū)上，設置在源區(qū)多晶硅一側的源區(qū)接觸孔的深度為第一深度，設置在源區(qū)多晶硅端部的源區(qū)接觸孔的深度為第二深度，且第二深度大于第一深度。能夠提高絕緣柵雙極型晶體管的短路耐量，提高器件性能。

27 一種多poly電位的絕緣雙極性晶體管及其制造方法

     所述多poly電位的絕緣雙極性晶體管的各元胞中包括：位于第一導電類型漂移區(qū)的第一主面的元胞區(qū)和終端區(qū)，所述終端區(qū)，位于所述元胞區(qū)外圈并環(huán)繞包圍所述元胞區(qū)；所述元胞區(qū)，包括：鄰近溝槽內poly電位為gate電位的元胞和鄰近溝槽內poly電位為任意電位的元胞。絕緣雙極性晶體管能夠使輸入電容和電流密度降低且可調。

28 一種小元胞尺寸的絕緣柵雙極晶體管制備方法

     包括襯底，襯底上形成有第一導電類型的體型層，在襯底上形成有溝槽，溝槽上形成有柵氧化層，在柵氧化層上形成填滿溝槽的多晶硅層，柵極溝槽之間的襯底上形成有目標深度的摻雜阱，摻雜阱為第二導電類型；形成于溝槽之間的摻雜阱上方的接觸孔，形成于接觸孔底部的金屬硅化物層；形成于接觸孔之間的層間介質層，覆蓋層間介質層的層間勢壘層，覆蓋層間勢壘層的金屬導電層。打破了工藝開發(fā)上的瓶頸，并且改善了絕緣柵雙極晶體管接觸孔和溝槽的套刻問題。

29 一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

     包括：集電層，具有第一摻雜類型；漂移層，設置于集電層的一側，且漂移層具有第二摻雜類型；柵極結構，設置于漂移層遠離集電層的一側；第一摻雜層，接觸設置于漂移層遠離集電層的一側，第一摻雜層包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分之間具有第一間隔區(qū)域，第一間隔區(qū)域位于柵極結構靠近漂移層的一側，且第一摻雜層具有第一摻雜類型；第二摻雜層，第二摻雜層在第一摻雜層上的投影位于第一間隔區(qū)域兩側，分別與柵極結構和第一摻雜層接觸設置，且第二摻雜層具有第二摻雜類型；發(fā)射層，接觸設置于第一摻雜層遠離漂移層的一側，且發(fā)射層具有第一摻雜類型。

30 一種逆導型橫向絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法、芯片

     通過設置第一多晶硅層和第二多晶硅層盡可能減小LIGBT溝槽多晶硅的面積，達到減小米勒電容、降低開關損耗的目的，并且利用第二多晶硅層形成獨立的溝道二極管達到續(xù)流的目的，改善器件的反向恢復特性，利用電子阻擋層、水平多晶硅場板、介質氧化層以及發(fā)射極金屬層形成的獨特結構達到排斥電子的目的，使得從N型源極區(qū)流出的電子在第一多晶硅層施加正偏電壓的情況下只能從P型集電區(qū)向N型緩沖層和N型漂移層注入的空穴復合，避免了半導體器件工作時產生的負阻現象。

31 一種具有溫度傳感功能的絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

     包括N型硅襯底、在所述N型硅襯底的正面形成的柵極結構和發(fā)射極結構，以及在所述N型硅襯底背面形成的集電極結構；其中，所述柵極結構位于所述發(fā)射極結構的下方，所述柵極結構包括依次間隔設置的第一假控制柵、控制柵和第二假控制柵；位于所述N型硅襯底上正面的兩側形成有正面P型阱區(qū)，所述正面P型阱區(qū)分別將所述第一假控制柵和所述第二假控制柵包裹，且所述正面P型阱區(qū)的上方注入N+，以形成溫度傳感區(qū)，所述溫度傳感區(qū)用于檢測溫度。制備工藝簡單，提高了溫度檢測的準確性、降低了關斷損耗。

32 一種絕緣柵雙極晶體管的制造方法

     包含(a)提供一基板，且基板包含正面及背面；(b)于基板的正面形成至少一正面元件及至少一正面金屬層；(c)于基板的背面執(zhí)行薄化制程；(d)于基板的背面執(zhí)行激光預處理制程；(e)于基板的背面執(zhí)行至少一離子摻雜制程，以形成至少一離子摻雜層；(f)于基板的背面執(zhí)行退火制程；以及(g)于基板的背面形成集極金屬層。

33 一種絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法

     包括：獲取晶圓，所述晶圓包括基底；對所述基底進行發(fā)射極摻雜，形成第一導電類型的發(fā)射極摻雜區(qū)；在所述基底上形成層間介質層；進行接觸孔光刻，形成位于所述發(fā)射極摻雜區(qū)上方的接觸孔刻蝕窗口；通過所述接觸孔刻蝕窗口向下刻蝕，形成第一孔；形成所述第一孔后對所述晶圓進行熱退火處理?？梢员苊饩A翹曲對接觸孔光刻的對位精度造成的影響，從而提高接觸孔的光刻對位精度。

34 一種橫向絕緣柵雙極型晶體管及制作方法

     包括：晶體管主體單元、隔離保護單元、第一電極、第二電極和第三電極；所述晶體管主體單元與隔離保護單元接觸；所述晶體管主體單元和隔離保護單元上分布設置有第一電極、第二電極和第三電極；解決了現有橫向絕緣柵雙極型晶體管存在較大開關損耗的問題。

35 一種柔性輸電用壓接型絕緣柵雙極晶體管制備方法

     包括絕緣殼體和子模塊，絕緣殼體的上下兩端分別設置有發(fā)射極和集電極，且發(fā)射極和集電極的內側面上分別垂直連接有第二支撐板和第一支撐板，并且第二支撐板與第一支撐板相互平行，子模塊包括外殼和限位框，且子模塊和子模塊之間形成有空隙，并且子模塊安裝在第二支撐板和第一支撐板之間，所述外殼的上端開設有缺口，且缺口和限位框分別位于外殼的相對面上。該柔性輸電用壓接型絕緣柵雙極晶體管，改變子模塊的安裝方向，避免外界壓力直接施加在芯片上，而損壞芯片，子模塊始終夾持在第一支撐板和第二支撐板之間，上下震動和倒置不會對其產生影響，有助于擴大器件的應用場合。

36 一種溝槽式絕緣柵雙極型晶體管及制備方法

     包括：一對柵極，柵極分別形成于阱區(qū)的兩端，柵極的底部到達漂移層，柵極的上方與層間介質層連接；柵極之間分布有至少一個偽柵，偽柵的底部到達襯底，偽柵的頂部埋設于阱區(qū)中；偽柵的上方設置有接觸孔，接觸孔形成于源區(qū)中，接觸孔的深度到達阱區(qū)且不與偽柵接觸；發(fā)射極金屬層，形成于層間介質層上方，通過接觸孔連接至阱區(qū)。有益效果在于：通過在阱區(qū)中埋設偽柵，并在偽柵上方通過接觸孔填充發(fā)射極金屬層，使得器件上層通過發(fā)射極金屬層形成并聯(lián)通路，從而有效地降低了器件的米勒電容，避免了現有技術中的IGBT器件隨著溝槽密度上升寄生電容會明顯增大的問題。

37 一種絕緣柵雙極型晶體管及制造方法

     其中，晶體管包括：襯底和外延層；所述外延層上包括：主IGBT區(qū)域和檢測IGBT區(qū)域；所述主IGBT區(qū)域上構建主IGBT管；所述檢測IGBT區(qū)域構建檢測IGBT管；所述主IGBT管的發(fā)射極與檢測IGBT管的發(fā)射極通過檢測電阻連接，其柵極與檢測IGBT管的柵極連接。背靠背齊納二極管連接在檢測IGBT柵極與檢測IGBT發(fā)射極之間，并用于配置在靜電放電期間(ESD)鉗位檢測IGBT柵極與檢測IGBT發(fā)射極之間的電壓，針對檢測IGBT柵極與檢測IGBT發(fā)射極之間的正向和反向電流提供ESD保護。

38 一種逆導型絕緣柵雙極晶體管及其制備方法

     該逆導型絕緣柵雙極晶體管包括：第一導電類型摻雜的漂移區(qū)、第二導電類型摻雜的基區(qū)、從漂移區(qū)的表面延伸入漂移區(qū)且平行排列的多個溝槽，溝槽貫穿基區(qū)且底部與漂移區(qū)接觸，溝槽內設置有絕緣介質層和由絕緣介質層包圍的導電材料；基區(qū)包括交錯分布的有源區(qū)和虛擬元胞區(qū)；由有源區(qū)對應的發(fā)射區(qū)、接觸區(qū)及其毗連的基區(qū)、漂移區(qū)和集電區(qū)組成IGBT單元；虛擬元胞區(qū)對應的基區(qū)及其毗連的接觸區(qū)、漂移區(qū)和陰極區(qū)組成反向恢復晶體管單元；其中，位于虛擬元胞區(qū)內的溝槽的絕緣介質層設置有凹槽。在不顯著增加工藝和成本的基礎上，優(yōu)化RC IGBT的反向恢復性能，降低二極管的關斷損耗。

39 反向導通絕緣柵雙極晶體管IGBT制備方法

     根據實施例，RC?IGBT(1000)包括半導體本體、集電極層和集電極電極，半導體本體具有發(fā)射極側和集電極側(如圖4所示)，集電極層位于集電極側并且具有至少一個先導區(qū)(10)和至少一個混合區(qū)(11)，集電極電極在集電極側上并且與集電極層電接觸。先導區(qū)(10)具有第一導電類型?；旌蠀^(qū)(11)包括具有第一導電類型的第一子區(qū)(111)和具有第二導電類型的第二子區(qū)(112)。第一子區(qū)中的摻雜濃度不同于先導區(qū)中的摻雜濃度。集電極區(qū)進一步包括環(huán)繞先導區(qū)(10)和混合區(qū)(11)的邊緣區(qū)(12)。邊緣區(qū)可以主要具有第一導電類型或具有第二導電類型，并且第一和第二子區(qū)(111，112)可以部分地延伸到邊緣區(qū)(12)中。日立能源有限公司

40 一種槽型絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

     其中槽型絕緣柵雙極型晶體管包括N型硅襯底、第一屏蔽柵、第二屏蔽柵、控制柵、發(fā)射極、正面P型阱區(qū)、N型載流子存儲層和高摻雜的載流子存儲層；N型硅襯底上開設有溝槽，正面P型阱區(qū)、N型載流子存儲層和發(fā)射極分別位于溝槽的兩側，高摻雜的載流子存儲層在左側，且發(fā)射極位于正面P型阱區(qū)的上方，正面P型阱區(qū)位于N型載流子存儲層的上方；第一屏蔽柵、第二屏蔽柵和控制柵設于溝槽內，且第一屏蔽柵和控制柵并排設置，第二屏蔽柵位于第一屏蔽柵和控制柵的底部；所述第一屏蔽柵和所述第二屏蔽柵與所述發(fā)射極電勢相等。消除集電極對溝槽柵的影響，降低了柵電荷，改善動態(tài)特性。

41 一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

     包括：在襯底第一表面形成圖形化掩膜層，露出襯底的部分第一表面；采用高溫氧化工藝，在襯底第一表面形成場氧化層，場氧化層覆蓋所述掩膜層露出的襯底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜層下方與襯底第一表面之間；去除掩膜層，形成柵氧化層、體區(qū)、源區(qū)、柵電極、發(fā)射極以及集電極。在襯底第一表面形成圖形化的掩膜層，然后采用高溫氧化工藝形成場氧化層，由此形成了尖角結構的場氧化層，實現了場氧化層的斜面與水平面的夾角降低，避免了電場集中的現象。同時，在去除掩膜層后形成柵氧化層、體區(qū)、源區(qū)、柵電極、發(fā)射極以及集電極；構成了完整的絕緣柵雙極型晶體管結構。

42 一種輔助柵極橫向絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法

     包括：漂移區(qū)；集電區(qū)，位于漂移區(qū)中；第二導電類型摻雜區(qū)，設于漂移區(qū)中；絕緣介質層，位于溝槽的內表面，溝槽位于集電區(qū)和第二導電類型摻雜區(qū)之間；輔助柵極，位于溝槽中，且被絕緣介質層包圍；陽極區(qū)，與漂移區(qū)直接接觸；第一電極，將陽極區(qū)與第二導電類型摻雜區(qū)短路連接；主柵結構。在LIGBT導通時，輔助柵極關斷，消除了單極模式，僅從雙極模式開始導通，無電壓折回的風險；在LIGBT關斷時，由輔助柵極開啟導電溝道，為漂移區(qū)的非平衡載流子提供抽出通道，減小了電流拖尾的時間。且溝槽柵結構的輔助柵極在結構上能夠實現更好的隔離。

43 一種絕緣柵雙極型晶體管的制備方法

     包括：提供第一基片及第二基片，第一基片包括第一表面；自第一基片的第一表面對其進行注入，形成絕緣柵雙極型晶體管的背面結構；于第二基片上形成犧牲層；通過犧牲層，將第二基片鍵合至第一基片形成有背面結構的一側；于第一基片的遠離第二基片的一側形成絕緣柵雙極型晶體管的正面結構；去除犧牲層，將第二基片與第一基片分離。背面結構的制作工藝更簡單，減少了用于制作絕緣柵雙極型晶體管的背面結構的設備花費。

44 一種具有全溝槽結構的自偏置分裂絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法

     通過版圖走線引出過渡區(qū)浮空P區(qū)電位，通過模塊封裝將二極管與電容集成，使得C串聯(lián)于分裂柵11?1、11?2、11?3、11?4、11?5、11?6與發(fā)射極金屬1之間。利用器件阻斷時浮空P區(qū)電位給電容充電，從而為分離柵提供偏置電位，故分離柵也具有一個穩(wěn)定的電位，該電位吸引分離柵附近的電子積累形成電子積累層，該積累層提高了溝道的注入效率，進一步提升了漂移區(qū)電導調制效應，降低了器件的正向導通壓降。電子科技大學

45 一種自鉗位分裂絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法

     通過在分裂多晶硅柵(11)與浮空P區(qū)(12)之間串聯(lián)一個二極管，二極管陰極與分裂多晶硅柵(11)連接，二極管陽極與浮空P區(qū)(12)連接，分裂柵(11)與發(fā)射極金屬(1)之間串聯(lián)一個電容，浮空P區(qū)(12)通過有源區(qū)鉗位在IGBT關斷時獲得了一個較高的電位，該電位使得二極管開啟，從而對電容進行充電，使得電容獲得一個穩(wěn)定的電位。而分裂柵(11)與電容相連，使故分裂柵也具有一個穩(wěn)定的電位，該電位吸引分裂柵附近的電子積累形成電子積累層，該積累層提高了溝道的注入效率，進一步提升了漂移區(qū)電導調制效應，降低了器件的正向導通壓降。電子科技大學

46 一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

     包括以下步驟：提供一待背面離子注入且前端形成鈍化層的絕緣柵雙極型晶體管晶圓；對晶圓背面表層進行離子注入以形成第二導電類型摻雜層；將晶圓置于盛有處理試劑的清洗槽中處理預設時間；將處理后的晶圓置于晶舟上并放進爐管中，以對第二導電類型摻雜層進行爐管激活，且相鄰兩個位于晶舟中的晶圓至少間隔2個分隔齒，多個分隔齒沿同一方向間隔排列于晶舟的兩個相對的側壁；于進行激活后的晶圓背面形成背電極層。通過于形成第二導電類型摻雜層之后進行處理試劑處理預設時間，并在爐管激活時，增加相鄰兩個所述晶圓之間的距離，從工藝上降低了器件的導通壓降。

47 一種雙陽極橫向絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法

     包括：漂移區(qū)；集電區(qū)，設于漂移區(qū)中；第一陽極區(qū)；第二導電類型摻雜區(qū)，位于漂移區(qū)中且至少一部分位于第一陽極區(qū)和集電區(qū)之間，從而將第一陽極區(qū)和集電區(qū)隔開，第二導電類型摻雜區(qū)的摻雜濃度低于集電區(qū)的摻雜濃度；第一導電類型摻雜區(qū)，位于漂移區(qū)中，且位于第一陽極區(qū)在導電溝道寬度方向上兩端中的至少一端；第二陽極區(qū)，位于第一導電類型摻雜區(qū)中；第一導電類型摻雜區(qū)的摻雜濃度低于第一陽極區(qū)和第二陽極區(qū)的摻雜濃度。本發(fā)明能夠改善電壓折回現象，且能夠加快器件關斷時非平衡載流子的抽取，有效改善了電壓折回與關斷態(tài)非平衡載流子之間的固有矛盾問題。

48 一種橫向超結器件、橫向絕緣柵雙極晶體管及制造方法

     包括：P型襯底、P柱、N柱、柵極結構、源極結構和漏極結構；柵極結構包括多晶硅柵，多晶硅柵與漏極結構之間設置有場氧化層；場氧化層上方還設置有多晶硅場板，多晶硅場板上方設置有金屬場板；多晶硅場板包括多段多晶硅微場板，金屬場板包括多段金屬微場板，多段金屬微場板對應設置在多段多晶硅微場板上方，首級金屬微場板通過接觸孔與多晶硅柵相連，后一級金屬微場板通過接觸孔與前一級多晶硅微場板相連，末級金屬微場板通過接觸孔與漏極結構相連。橫向超結器件中的電容耦合結構能減弱表面電荷對橫向超結器件電場的影響。

49 一種陽極短路橫向絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法

     包括：漂移區(qū)，具有第一導電類型；集電區(qū)，設于所述漂移區(qū)中，具有第二導電類型，所述第一導電類型和第二導電類型為相反的導電類型；陽極區(qū)，具有第一導電類型；隔離結構，包括設于所述集電區(qū)和所述陽極區(qū)之間的第一結構，以及與所述第一結構呈一夾角并從所述第一結構向所述集電區(qū)的下方延伸的第二結構。通過設置隔離結構，增大了漂移區(qū)到陽極區(qū)的電阻，使得電導調制效應導致的漂移區(qū)電阻降低的現象對于電壓折回的影響大為減小。且隔離結構將集電區(qū)與陽極區(qū)隔開，使得集電區(qū)發(fā)射空穴時被陽極區(qū)所復合的幾率降低，降低了器件的靜態(tài)功耗。

50 一種絕緣柵雙極型晶體管的制作方法及絕緣柵雙極型晶體管制備方法

     包括：提供第一導電類型的半導體襯底；在半導體襯底的頂面兩側分別制作第二導電類型的基區(qū)，在兩個基區(qū)分別制作第一導電類型的源區(qū)，在半導體襯底的頂面制作第一金屬層和第二金屬層，在第一金屬層和第二金屬層的表面制作保護層，其中，保護層包括對應于第一金屬層的第一鏤空區(qū)，第一金屬層暴露于第一鏤空區(qū)的部分構成發(fā)射極，在發(fā)射極的表面制作支撐層，支撐層與保護層的厚度相等，并且支撐層與保護層之間設有間隙；對半導體襯底的底面進行減薄，并依次制作第一導電類型的緩沖區(qū)、第二導電類型的集電區(qū)和集電極；去除支撐層。本申請可以提高IGBT的制作良率。

51 一種與雙極結型晶體管集成的絕緣柵雙極型晶體管及制備方法

     用于解決絕緣柵雙極型晶體管在保持擊穿特性時，無法同時優(yōu)化正向導通電壓VF和關斷損耗Eoff的不足之處。該與雙極結型晶體管集成的絕緣柵雙極型晶體管包括柵介質層，以及分別設置在柵介質層兩側的高阻硅襯底和雙極結型晶體管結構；通過將常規(guī)結構的漂移區(qū)面積減小，形成具有積累作用的類似雙極結型晶體管的P1N1N+P2結構，并將其通過柵介質層與IGBT結構集成。西安電子科技大學

52 一種碳化硅絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法

     包括自下而上設置的金屬集電極、襯底、緩沖層、漂移區(qū)、電荷儲存區(qū)、柵極結構、層間介質層和金屬發(fā)射極，存在兩個凹槽，其間形成P型電位調制區(qū)。在反向阻斷時，P+屏蔽區(qū)通過P型電位調制區(qū)與發(fā)射極連接，有利于屏蔽凹槽底部電場強度，提升了器件的可靠性；同時關斷狀態(tài)下，P型電位調制區(qū)可以提供額外空穴抽取路徑，減小關斷損耗；正向導通時，兩個多晶硅柵耗盡P型電位調制區(qū)，使得P+屏蔽區(qū)處于浮空電位，從而抑制空穴被發(fā)射極收集，增強電導調制效應，提升了器件正向導通能力。制作工藝與現有半導體制作工藝相兼容，節(jié)約了器件制造成本。

53 一種與肖特基二極管集成的絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

     用于解決絕緣柵雙極型晶體管在保持擊穿特性時，無法同時優(yōu)化正向導通電壓VF和關斷損耗Eoff的不足之處。該與肖特基二極管集成的絕緣柵雙極型晶體管包括柵介質層，以及分別設置在柵介質層兩側的高阻硅襯底和肖特基二極管結構，其中肖特基二極管結構由N1區(qū)、N+區(qū)、N2區(qū)構成；本發(fā)明通過將常規(guī)結構的漂移區(qū)面積減小，并將部分柵電極、部分集電極設置為肖特基接觸，使IGBT通過柵介質層與類似于肖特基二極管的N?N+N?結構集成。同時。本發(fā)明公開一種與肖特基二極管集成的絕緣柵雙極型晶體管的制備方法。西安電子科技大學

54 一種具有高短路安全工作區(qū)SOA的絕緣柵雙極型晶體管制備方法

     所述絕緣柵雙極型晶體管IGBT包括：主體區(qū)域、漂移區(qū)域及N型場終止FS區(qū)；主體區(qū)域的上方設置有發(fā)射極以及柵極；所述N型FS區(qū)下方設置P型集電區(qū)，P型集電區(qū)的下方設置集電極；在柵極區(qū)上方設置有柵極焊盤，在柵極焊盤的周圍設置有非有源單元區(qū)域、有源單元區(qū)域、柵極流道以及空穴流接觸區(qū)域；所述非有源單元區(qū)域中以及柵極流道的周圍均設置有空穴流動路徑。

55 一種超級結絕緣柵雙極型晶體管的制作方法

     包括：在襯底的第一表面形成第一外延層，并對所述第一外延層進行電子輻照，以在所述第一外延層內形成復合中心；在所述第一外延層上形成第二外延層，在所述第二外延層內制作形成超級結區(qū)，所述第一外延和第二外延層為漂移區(qū)，在所述漂移區(qū)上形成第三外延層，并在所述第三外延層內形成阱區(qū)、發(fā)射極和柵極。本發(fā)明實施例提供的制作方法，解決了超級結器件在關斷時的電流拖尾問題，減小了器件的關斷損耗，同時不會影響柵氧的質量與器件的閾值電壓。