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《人造金剛石大顆粒單晶生長(zhǎng)技術(shù)工藝精選匯編》涉及國(guó)內(nèi)外著名公司、科研單位、知名企業(yè)的最新專利技術(shù)全文資料，工藝配方詳盡，技術(shù)含量高、環(huán)保性強(qiáng)是從事高性能、高質(zhì)量、產(chǎn)品加工研究生產(chǎn)單位提高產(chǎn)品質(zhì)量、開發(fā)新產(chǎn)品的重要情報(bào)資料。

       資料中包括制造人造金剛石原料，技術(shù)配方、生產(chǎn)工藝、處理工藝、成型工藝、產(chǎn)品性能測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)、解決的具體問題、產(chǎn)品制作實(shí)施例等等，是企業(yè)提高產(chǎn)品質(zhì)量和發(fā)展新產(chǎn)品的重要、實(shí)用、超值和難得的技術(shù)資料。本篇專集資料分為上、下兩冊(cè)，A4紙大，共809頁(yè)現(xiàn)貨發(fā)行，歡迎訂購(gòu)！

內(nèi)容描述：
１西安交通大學(xué)橫向搭橋拼接生長(zhǎng)大面積單晶金剛石的方法
將單晶金剛石襯底Ｉ和單晶金剛石襯底ＩＩ進(jìn)行拼接，在接縫處生長(zhǎng)出橋狀連接部分，并繼續(xù)外延生長(zhǎng)得到完整的大面積單晶金剛石層；其中，單晶金剛石襯底Ｉ在拼接處的厚度小于單晶金剛石襯底ＩＩ在拼接處的厚度。解決了金剛石拼接生長(zhǎng)過程中拼接縫明顯，金剛石容易發(fā)生相對(duì)移動(dòng)的問題，從而降低拼接處出現(xiàn)裂紋甚至裂開的風(fēng)險(xiǎn)

２單晶金剛石的生長(zhǎng)方法，這種生長(zhǎng)方法通過三層結(jié)構(gòu)來生長(zhǎng)高質(zhì)量單晶金剛石
解決了傳統(tǒng)金剛石生長(zhǎng)過程中外延層高的生長(zhǎng)速率與外延層質(zhì)量之間相矛盾的問題

３武漢大學(xué)單晶金剛石生長(zhǎng)方法和裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)大尺寸單晶金剛石的快速生長(zhǎng)
所提供的單晶金剛石生長(zhǎng)方法，包括如下步驟：將金剛石襯底放置于諧振腔中；將含有碳源和氫氣的反應(yīng)氣體通入電離腔中進(jìn)行充分電離，然后將電離后的氣體通入諧振腔中進(jìn)行微波等離子體化學(xué)氣相沉積，在襯底上快速生長(zhǎng)金剛石

４六號(hào)元素有限公司一種單晶ＣＶＤ合成金剛石層
包括非平行的位錯(cuò)陣列，其中當(dāng)在Ｘ射線形貌斷面圖中觀察或在發(fā)光條件下觀察時(shí)，非平行的位錯(cuò)陣列包含形成一組相互交叉的位錯(cuò)的多個(gè)位錯(cuò)

５激光增強(qiáng)等離子體ＣＶＤ制備單晶金剛石裝置及其方法
結(jié)合微波能（或電能）和激光兩種能量，利用低成本的高能量激光提高金剛石合成過程中等離子體的能量和氣體離解速率，從而提高金剛石的合成速率，該方法有效解決了金剛石高速批量制備的難題

６單晶金剛石制備裝置以及方法
該單晶金剛石制備裝置，在制備單晶金剛石的過程中，使反應(yīng)氣體經(jīng)過摻雜裝置，從而將水蒸氣帶入到反應(yīng)腔內(nèi)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，通入水蒸氣制得的金剛石顏色和純凈度比不通水蒸氣更好，而且外緣處的幾乎無多晶產(chǎn)生

７金剛石制備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種拼接生長(zhǎng)單晶金剛石的方法及系統(tǒng)
采用ＣＶＤ法拼接生長(zhǎng)單晶金剛石，達(dá)到大面積生長(zhǎng)單晶金剛石的目的，現(xiàn)有單晶金剛石的生長(zhǎng)只能在原有的籽晶上進(jìn)行縱向擴(kuò)大，這樣籽晶的尺寸直接決定了合成的尺寸，采用兩個(gè)尺寸相同，厚度接近的單晶金剛石片進(jìn)行固定拼接，然后同時(shí)生長(zhǎng)，獲得大尺寸單晶金剛石，解決了瓶頸問題

８金剛石單晶生長(zhǎng)裝置及方法
裝置包括：沉積臺(tái)和可升降中心柱；所述沉積臺(tái)上設(shè)有沉積臺(tái)孔，可升降中心柱上設(shè)有與所述沉積臺(tái)孔配合的孔柱，孔柱設(shè)置在沉積臺(tái)孔中。能夠有效地提高金剛石單晶生長(zhǎng)質(zhì)量，解決一次生長(zhǎng)不了太厚的問題

９浙江工業(yè)大學(xué)鍺空位（Ｇｅ?Ｖ）發(fā)光的金剛石顆粒及其制備方法
在石英襯底上采用磁控濺射的方法，制備一系列不同厚度的鍺涂層樣品；在步驟（１）得到的襯底上采用熱絲化學(xué)氣相沉積的方法制備分散的金剛石顆粒。提供的具有Ｇｅ?Ｖ發(fā)光的金剛石顆粒的尺寸為０．５～３．５μｍ，對(duì)于實(shí)現(xiàn)其在單光子源、量子信息處理、光電子器件等領(lǐng)域的應(yīng)用具有非常重要的科學(xué)意義和實(shí)際價(jià)值

１０微波等離子體化學(xué)氣相沉積方法生長(zhǎng)單晶金剛石領(lǐng)域，梯度單晶金剛石及其制備方法
采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備，在氫氣甲烷混合氣源中連續(xù)性梯度濃度通入高純空氣，實(shí)現(xiàn)不含氮的高質(zhì)量單晶金剛石層和含氮金剛石層的交替沉積，制備出高質(zhì)量、高強(qiáng)度、韌性好的梯度單晶金剛石

１１基于Ⅱａ型天然金剛石的同質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石的方法
利用微波等離子體化學(xué)氣相沉積法高溫刻蝕Ⅱａ型單晶金剛石，利用產(chǎn)生的碳源生長(zhǎng)金剛石，能有效提高單晶金剛石生長(zhǎng)所需碳源的純度，
得到的單晶金剛石質(zhì)量好，且生長(zhǎng)出的單晶金剛石為與基底相對(duì)應(yīng)的規(guī)則形狀，提高利用率

１２ＣＶＤ法合成單晶金剛石降低位錯(cuò)密度的方法
通過激光刻蝕技術(shù)將金剛石表面圖案化的特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，控制單晶金剛石圖案層橫向與縱向的生長(zhǎng)速率，通過一次或多次圖案化處理有效抑制生長(zhǎng)過程中位錯(cuò)的產(chǎn)生，獲得高質(zhì)量的單晶金剛石。優(yōu)勢(shì)是在生長(zhǎng)過程中控制單晶金剛石橫向和縱向的生長(zhǎng)速率比值，保證在凹槽內(nèi)生長(zhǎng)方向與位錯(cuò)線方向垂直，消除襯底凹槽底部的位錯(cuò)遺傳，提高金剛石生長(zhǎng)層的晶體質(zhì)量

１３利用方形槽鑲嵌式襯底托抑制多晶金剛石生長(zhǎng)的方法
由于石墨體在襯底與襯底托之間沉積，襯底側(cè)邊與襯底托有接觸，增大了襯底邊緣的冷卻效果，優(yōu)化單晶金剛石襯底整體溫度均勻性；極大地避免了襯底邊緣出現(xiàn)多晶生長(zhǎng)。通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)利用方形槽鑲嵌式襯底托可有效抑制了單晶金剛石在生長(zhǎng)過程中的邊緣多晶，獲得了尺
寸不縮小的單晶金剛石樣品

１４大顆粒金剛石的制備方法
能夠制備大顆粒的金剛石，晶型完整，成本低且工藝簡(jiǎn)單

１５信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社一種轉(zhuǎn)位缺陷可以被充分減低的金剛石基板的制造方法，以及高品質(zhì)的金剛石基板以及金剛石自立基板

１６河南工業(yè)大學(xué)類金剛石直接轉(zhuǎn)化合成純相多晶金剛石的制備方法
采用類金剛石粉末為原材料，經(jīng)凈化除雜、預(yù)壓成型后，不添加任何粘結(jié)劑，裝配燒結(jié)單元，經(jīng)高溫超高壓燒結(jié)制備純相多晶金剛石。制備得到的多晶金剛石的晶粒尺寸為５納米 ? １００微米，大面積形成高強(qiáng)度的金剛石—金剛石成鍵的界面。多晶金剛石的硬度與金剛石單
晶硬度相當(dāng)；熱穩(wěn)定性，硬度，及耐磨性明顯優(yōu)于含金屬或陶瓷粘結(jié)劑的多晶金剛石

１７中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所異質(zhì)外延金剛石及其制備方法
該異質(zhì)外延金剛石包括：異質(zhì)襯底；石墨烯柔性層，制備于異質(zhì)襯底上；金剛石層，外延生長(zhǎng)于石墨烯柔性層上；石墨烯柔性層作為異質(zhì)襯底上生長(zhǎng)金剛石的柔性中間層。利用石墨烯作為外延金剛石的模板和過渡緩沖層，消除了由于異質(zhì)襯底與金剛石間晶格失配造成的外延金剛石質(zhì)量降低

１８住友電氣工業(yè)株式會(huì)社：?jiǎn)尉Ы饎偸a(chǎn)方法
其包括一組彼此相對(duì)的主表面，其中，在主表面中，雜質(zhì)濃度沿著第一方向變化

１９住友電氣工業(yè)株式會(huì)社：金剛石包含氮原子的生產(chǎn)方法
該氮原子的濃度沿著金剛石單晶的晶體取向周期性地變化。沿著晶體取向的一個(gè)周期的距離的算術(shù)平均值Ａａｖｅ、最大值Ａｍａｘ和最小值Ａ ｍｉｎ 滿足由下式（Ｉ）表示的關(guān)系：（Ａｍａｘ）／１．２５≤ （Ａａｖｅ）≤（Ａｍｉｎ）／０．７５（Ｉ）

２０二Ａ科技有限公司單晶金剛石及其生長(zhǎng)方法
單晶金剛石

２１住友電氣工業(yè)株式會(huì)社單晶金剛石材料、單晶金剛石芯片和穿孔工具
在單晶金剛石材料中，非置換型氮原子的濃度為２００ｐｐｍ以下，置換型氮原子的濃度低于所述非置換型氮原子的濃度，單晶金剛石材料具有偏角為２０° 以下的晶體生長(zhǎng)主表面。在單晶金剛石芯片中，非置換型氮原子的濃度可以為２００ｐｐｍ以下，置換型氮原子的濃
度可以低于所述非置換型氮原子的濃度，并且所述單晶金剛石芯片可以具有偏角為２０°以下的主表面

２２含硼金剛石及其制備方法和用途
涉及金剛石領(lǐng)域，該含硼金剛石為多晶結(jié)構(gòu)，該含硼金剛石為多晶結(jié)構(gòu)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中含硼金剛石為單晶結(jié)構(gòu)時(shí)把持力差、容易脫落和不夠鋒利的問題，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的多晶金剛石在高溫下容易膨脹、破碎的技術(shù)問題，可以用作陶瓷和金屬結(jié)合劑磨具。該含硼金剛
石改善了多晶金剛石的熱力學(xué)穩(wěn)定性，拓展了多晶金剛石的使用范圍

２３浙江工業(yè)大學(xué)Ｓｉ?Ｖ發(fā)光的納米金剛石晶粒
采用熱絲化學(xué)氣相沉積法，簡(jiǎn)單易行、容易操作，制備了尺寸在７０～１００ｎｍ的Ｓｉ ?Ｖ發(fā)光的納米金剛石晶粒，其晶型規(guī)則，發(fā)光峰的歸一化強(qiáng)度約為４．５，為納米金剛石在生物標(biāo)記等領(lǐng)域的應(yīng)用提供了重要基礎(chǔ)

２４河南理工大學(xué)人工合成大尺寸單晶金剛石片方法
包括生產(chǎn)晶種，合成組裝塊裝配及合成加工等三步，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可有效提高人工合成金剛石的直徑，并實(shí)現(xiàn)同批次的人工合成金剛
石生產(chǎn)中可同時(shí)制備不同直徑人工合成金剛石的需要，從而在有效滿足市場(chǎng)對(duì)單晶金剛石需求的同時(shí)，另可有效的滿足市場(chǎng)對(duì)小直徑單晶
金剛石的需要，并可有助于降低人工合成金剛石生產(chǎn)的成本

２５一種人工生長(zhǎng)大顆粒金剛石單晶的方法及裝置
能夠有效避免了大顆粒金剛石單晶生長(zhǎng)過程中的金屬夾帶現(xiàn)象，生長(zhǎng)出了粒徑大于１０ｍｍ的大顆粒金剛石單晶，大幅度提高生產(chǎn)效率

２６一種具有半導(dǎo)體性質(zhì)Ⅱｂ型金剛石單晶的人工生長(zhǎng)方法及裝置
方法是向作為碳源的石墨中摻加氮化硼，使金剛石晶體在生長(zhǎng)過程中有硼原子摻雜，高溫高壓條件下，將金剛石晶種置于金屬觸媒的底部，利用溫度梯度法生長(zhǎng)；采用高溫高壓條件，以摻加硼的石墨為碳源，利用溫度梯度法生長(zhǎng)出了粒徑大于１０ｍｍ且具有半導(dǎo)體性質(zhì)的Ⅱｂ
型的金剛石單晶

２７住友電氣工業(yè)株式會(huì)社單晶金剛石及其制造方法
包含單晶金剛石的工具和包含單晶金剛石的部件，適合用于切削工具、拋光工具、光學(xué)部件、電子部件、半導(dǎo)體材料等

２８住友電氣工業(yè)株式會(huì)社提供單晶金剛石、制造所述單晶金剛石的方法以及包含所述金剛石的工具
單晶金剛石以均衡方式提高了硬度和耐缺損性。單晶金剛石含有氮原子，且所述單晶金剛石中的孤立置換型氮原子的數(shù)目對(duì)所述單晶金剛石中的氮原子總數(shù)之比為０．０２％以上且低于４０％

２９信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社金剛石膜的制造方法
其特征是至少具有在單晶基板上化學(xué)氣相沉積金剛石膜的工序、以及由單晶基板分離該金剛石膜的工序，單晶基板使用Ｉｒ單晶或Ｒｈ單晶，單晶基板在取出金剛石膜后能夠重復(fù)使用，由單晶基板分離該金剛石膜的工序是，通過將層積基板從高溫的加熱狀態(tài)冷卻至低溫，利用在單晶基板和金剛石膜的界面產(chǎn)生的應(yīng)力而分離金剛石膜

３０哈爾濱工業(yè)大學(xué)一種利用等離子體擋板優(yōu)化單晶金剛石同質(zhì)外延生長(zhǎng)的方法
涉及優(yōu)化單晶金剛石同質(zhì)外延生長(zhǎng)的方法。要解決現(xiàn)有ＭＷＣＶＤ生長(zhǎng)系統(tǒng)中等離子體密度對(duì)籽晶生長(zhǎng)質(zhì)量的影響，等離子體形態(tài)與籽晶接觸方式導(dǎo)致側(cè)向生長(zhǎng)區(qū)域質(zhì)量較低，以及等離子體中碳源沉積污染艙體等問題

３１金剛石涂層及沉積該涂層的方法
涉及金剛石涂層，其特征在于它包含至少一個(gè)第一納米晶金剛石層和第二微晶金剛石層的疊層

３２哈爾濱工業(yè)大學(xué)異質(zhì)外延生長(zhǎng)大尺寸單晶金剛石的襯底及其制備方法
在其中插入了ＴｉＮ單晶籽晶層作為外延模板和過渡緩沖層，提高了氧化物及整個(gè)襯底外延層的晶向的取向一致度及生長(zhǎng)質(zhì)量，從而為生長(zhǎng)高質(zhì)量大尺寸單晶金剛石提供了可能；由于使用了ＴｉＮ緩沖層，整個(gè)外延疊層結(jié)構(gòu)可以基于Ｓｉ襯底進(jìn)行，使得外延成本大大地降低，
同時(shí)基于Ｓｉ襯底生長(zhǎng)金剛石，可以更好地與電子信息工業(yè)相匹配

３３六號(hào)元素有限公司制備鮮艷橙色的合成ＣＶＤ金剛石材料的方法
方法包括輻照已經(jīng)由ＣＶＤ生長(zhǎng)的單晶金剛石材料從而將孤立空位引入至少一部分的ＣＶＤ金剛石材料中，并且隨后退火該輻照的金剛石材料，從而由至少一些所引入的孤立空位形成空位鏈。還描述了鮮艷橙色的ＣＶＤ金剛石材料

３４信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社研制單晶金剛石的制造方法
一種在通過氣相合成得到的單晶金剛石晶種基板上追加堆積氣相合成單晶金剛石的單晶金剛石的制造方法

３５超細(xì)顆粒金剛石單晶的合成方法
采用的觸媒粉末為Ｎｉ基合金觸媒粉末。利用可制備超細(xì)顆粒的金剛石單晶，合成的４００目以細(xì)超細(xì)顆粒金剛石含量達(dá)９０％以上，晶形完整率達(dá)８５％以上；有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)難以合成超細(xì)顆粒金剛石的不足；金剛石晶型完整，純凈度高、熱沖值達(dá)８０～８７％

３６上海交通大學(xué)超細(xì)金剛石單晶微粉的制備方法
包括以機(jī)械破碎法得到的金剛石微粉作為籽晶，采用光刻膠超聲振動(dòng)均勻分散金剛石晶種工藝，將籽晶均散在硅基襯底表面，金剛石微粉的粒度為Ｍ０／１～Ｍ６／１２；應(yīng)用熱絲化學(xué)氣相沉積法對(duì)經(jīng)過播種籽晶的硅基襯底進(jìn)行沉積，獲得金剛石單晶顆粒；采用化學(xué)腐蝕硅基襯底結(jié)合高速離心沉降顆粒工藝處理獲得的金剛石單晶顆粒，以獲得超細(xì)單晶金剛石微粉

３７上海交通大學(xué)硼摻雜超／精細(xì)金剛石單晶微粉的制備方法
超／精細(xì)金剛石微粉中具有六－八面體或二十面體聚形晶體形態(tài)的比例較高，不但可顯著提高超／精細(xì)金剛石單晶顆粒的生長(zhǎng)速率，還可
改善顆粒的晶形及表明質(zhì)量

３８六號(hào)元素技術(shù)有限公司合成金剛石材料
其包含一個(gè)或多個(gè)自旋缺陷，該一個(gè)或多個(gè)自旋缺陷具有不大于１００ＭＨｚ的半峰全寬固有非均勻的零聲子譜線寬度。用于獲得這樣的
材料的方法包括多階段退火過程

３９六號(hào)元素技術(shù)有限公司一種著色的單晶ＣＶＤ合成金剛石材料
其包含：多個(gè)層；其中所述多個(gè)層包括至少兩組層，所述至少兩組層在它們的缺陷組成和顏色方面不同，其中所述至少兩組層各自的缺陷類型、缺陷濃度和層厚度為：如果將所述著色的單晶ＣＶＤ金剛石材料制造成圓形明亮式切割金剛石，該圓形明亮式切割金剛石包含臺(tái)面和底尖，并且具有大于１ｍｍ的臺(tái)面至底尖深度

４０Ｎ型半導(dǎo)體金剛石單晶及其生產(chǎn)方法
單晶導(dǎo)電性較好，光熱轉(zhuǎn)換效率高，適合于太陽(yáng)能電池、ＬＥＤ光源、高性能芯片的制作，產(chǎn)品性能穩(wěn)定

４１六號(hào)元素技術(shù)有限公司一種單晶ＣＶＤ合成金剛石材料
顏色強(qiáng)度在單晶ＣＶＤ合成金剛石材料中是均勻的，使得以灰度值標(biāo)準(zhǔn)偏差除以灰度值平均值為特征的灰度色的變化小于４０％

４２住友電氣工業(yè)株式會(huì)社單晶金剛石
其由碳同位素１２Ｃ的濃度為９９．９質(zhì)量％以上的碳以及除了碳以外的多種不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成。該不可避免的雜質(zhì)包括氮、硼、氫和鎳；并且所述多種不可避免的雜質(zhì)中的氮、硼和氫的總含量設(shè)定為０．０１質(zhì)量％以下

４３東山國(guó)際有限公司在反應(yīng)池中的用于金剛石生長(zhǎng)的多層結(jié)構(gòu)
該多層結(jié)構(gòu)包括：金剛石晶種；設(shè)于金剛石晶種上的第一金屬催化層，該第一金屬催化層包含第一濃度的碳；設(shè)于第一金屬層之上的第二金屬催化層，該第二金屬催化層包含高于第一濃度的第二濃度的碳；以及設(shè)于第二金屬層之上的碳源層

４４吉林大學(xué)金剛石納米坑陣列及其制備方法屬于金剛石納米結(jié)構(gòu)的技術(shù)領(lǐng)域
具有操作簡(jiǎn)單，成本低，可大面積生產(chǎn)，刻蝕氣體安全無污染等優(yōu)點(diǎn)；將納米金的廣泛應(yīng)用與金剛石的優(yōu)異特性相結(jié)合，為金納米顆粒提供穩(wěn)定的基底，能改善金納米顆粒在應(yīng)用中所存在的易聚合及加入穩(wěn)定劑造成表面污染的問題

４５株式會(huì)社神戶制鋼所提供一種排列有大型的多邊形金剛石晶粒的陣列化金剛石膜
通過容易地使避開晶界的元件配置形成，由此，能夠?qū)嵸|(zhì)上與在單晶基板上同等地高效地制造高性能的元件，并通過沿著晶界分割從而能夠容易地制造元件。該陣列化金剛石膜是在 不同種材料的結(jié)晶基板上，接著其結(jié)晶方位的信息開始成長(zhǎng)的高取向金剛石膜，其中，在表面中，多邊形金剛石晶粒以重心間距離為２０ μｍ 以上的二維重復(fù)圖案排列

４６信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社單結(jié)晶金剛石生長(zhǎng)用基體材料以及單結(jié)晶金剛石基板的制造方法
能夠讓大面積高結(jié)晶性單結(jié)晶金剛石生長(zhǎng)的，以及可以低成本制造高品質(zhì)單結(jié)晶金剛石基板的單結(jié)晶金剛石生長(zhǎng)用基體材料以及單結(jié)晶金剛石基板的制造方法

４７一種單晶金剛石的層流等離子體的制備方法
通過調(diào)控等離子體的流體特性，構(gòu)建出穩(wěn)定的層流等離子體邊界層，使單晶金剛石能夠在大尺寸襯底上進(jìn)行穩(wěn)定生長(zhǎng)。從而避免當(dāng)前直流等離子體沉積單晶金剛石的多晶化和小尺寸襯底的問題。提供了一條適合采用大尺寸籽晶、穩(wěn)定制備單晶金剛石的途徑，使單晶金剛石穩(wěn)定生長(zhǎng)區(qū)尺寸在等離子體運(yùn)動(dòng)軸線方向達(dá)到７厘米，并有效抑制了單晶生長(zhǎng)表面的多晶化

４８六號(hào)元素有限公司一種用于在合成環(huán)境中在基底上合成金剛石材料的化學(xué)氣相沉積（ＣＶＤ）方法
涉及用于合成合成CVD金剛石材料的方法和高品質(zhì)的合成CVD 金剛石材料

４９能夠用于高精度拋光加工的納米單晶金剛石
該納米單晶金剛石是將粒度大于納米級(jí)的單晶金剛石顆粒通過球磨粉碎制成。能夠以便捷可行的途徑獲得納米級(jí)單晶金剛石，并且生產(chǎn)成本相對(duì)較低

５０住友電氣工業(yè)株式會(huì)社適合用于半導(dǎo)體器件襯底或光學(xué)元件材料的高質(zhì)量單晶金剛石
其具有更少畸變并且具有大的面積。是一種通過化學(xué)氣相沉積制備的單晶金剛石以及該金剛石的制備方法，其中，當(dāng)將由兩條相互垂直的線性偏振光組成的線性偏振光引入到單晶金剛石的一個(gè)主面上時(shí)，在從相反的主面出來的兩條相互垂直的線性偏振光之間的最大延遲值橫跨整個(gè)單晶金剛石最大不超過 ５０ｎｍ ／１００μｍ的厚度

５１華盛頓卡內(nèi)基研究所超硬金剛石及其制造方法
一種通過微波等離子體化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)、在超過４．０ＧＰａ的壓力下加熱到超過１５００℃的溫度進(jìn)行退火的單晶金剛石，其硬度大于１２０ＧＰａ

５２六號(hào)元素有限公司單晶ＣＶＤ（化學(xué)氣相沉積）金剛石體，耐磨應(yīng)用中的CVD金剛石
其特別適合用作用于耐磨應(yīng)用的耐磨材料，如拉絲模具、繪畫工具等。金剛石具有低的磨損速率，表現(xiàn)出指示低應(yīng)變的低的雙折光指數(shù)，并具有可以被加工以表現(xiàn)出高表面拋光的能力