SiC陶瓷不僅具有優(yōu)良的常溫力學性能，如高的抗彎強度、優(yōu)良的抗氧化性、良好的耐腐蝕性、高的抗磨損以及低的摩擦系數(shù)，而且高溫力學性能(強度、抗蠕變性等)是已知陶瓷材料中最佳的。熱壓燒結、無壓燒結、熱等靜壓燒結的材料，其高溫強度可一直維持到1600℃，是陶瓷材料中高溫強度最好的材料。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中最好的。
【資料內容】生產工藝、配方
【資料頁數(shù)】698頁(大16開 A4紙)
【項目數(shù)量】70項
【出品單位】國際新技術資料網(wǎng)
【合訂本】1680元(上、下冊)
【電子版】1480元（PDF文檔）（郵箱傳送）
【交付方式】中通（免郵費） 順豐（自付）
【聯(lián)系電話】13141225688 13641360810
1 一種3D打印用碳化硅-金剛石復合粉體及其制備方法和應用
先將金剛石與酚醛樹脂溶液混合，在低速條件下長時間攪拌混勻，加熱成糊狀，再進一步真空加熱，得到酚醛樹脂包覆的金剛石；然后按配比將碳化硅與酚醛樹脂包覆的金剛石混勻，將所得混合物進一步均質，得到所述的3D打印用碳化硅?金剛石復合粉體。制備的碳化硅?金剛石復合粉體可以滿足粘結劑噴射打印的要求，在低溫下采用液相滲硅方式得到復雜形狀、致密化的碳化硅?金剛石復合材料部件。
2 一種高比剛度的碳化硅陶瓷及其制備方法
碳化硅陶瓷包括以下重量份的各組分混合壓制成型后再燒結制成：碳化硅粉料70～95份，碳化硼粉料0.5～20份，石墨烯0.5～3份，分散劑0.5～2.5份、粘結劑2～5份，表面活性劑0.25～2份。通過向碳化硅陶瓷中同時引入碳化硼和石墨烯，優(yōu)化碳化硅陶瓷的組成，制備的碳化硅陶瓷在保持導熱性和彎曲強度的基礎上獲得了更高的比剛度，比剛度可提升至142.3×10＆lt;supgt;6＆lt;/supgt; m＆lt;supgt;2＆lt;/supgt;·s＆lt;supgt;?2＆lt;/supgt;，更好的滿足碳化硅陶瓷在半導體裝備制造中的應用。
3 一種高性能的碳化硅陶瓷材料低溫燒結方法
步驟；準備材料：選擇適當?shù)奶蓟璺勰?，選取粒徑范圍為0.1?10微米的高純度碳化硅粉末，選擇適當?shù)膿诫s劑粉末；混合材料：將碳化硅粉末與摻雜劑粉末混合均勻，以確保燒結過程中摻雜劑能夠均勻分布在碳化硅陶瓷材料中；壓塊處理：對混合的碳化硅粉末和摻雜劑粉末進行壓塊處理，形成均勻的預燒結塊體；低溫燒結后將預燒結塊體在真空或保護氣氛中進行燒結。具有良好的力學性能、耐熱性和抗氧化性，突破了傳統(tǒng)燒結方法的限制，具有很好的應用前景。
4 一種微波制備Si2N2O結合碳化硅陶瓷的方法
借助微波燒結時碳化硅自身的發(fā)熱實現(xiàn)燒結，Si＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;N＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O的熱震穩(wěn)定性和抗氧化性能良好；加熱過程減少熱能損耗，能源利用率高，Si＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;N＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O受熱結合均勻度好，制備的Si＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;N＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O結合碳化硅制品強度高，抗腐蝕性好，具有廣闊的應用前景。
5 一種選擇性激光燒結多孔導電陶瓷3D打印耗材及制備方法
選擇性激光燒結多孔導電陶瓷3D打印耗材，無需使用造孔劑，制備工藝簡單、成本低廉，具備量產的條件，能夠在多孔導電陶瓷體無需做成薄片的前提下，解決多孔導電陶瓷霧化芯熱熔大和導油儲油的技術問題。
6 一種微波制備莫來石結合碳化硅陶瓷的方法
按照二氧化硅、氧化鋁和碳化硅的摩爾比為2:3:5～100稱取硅源、鋁源和碳化硅，將其均勻混合后按照一定的成型方法制得坯體；將成型后的坯體置于微波燒結爐中，在燒結氣氛保護下，以0.1～3KW/min的速度提升輸入功率，升溫至900～1300℃后，保溫0～1h，得到莫來石結合碳化硅陶瓷。本發(fā)明借助微波燒結時碳化硅自身的發(fā)熱實現(xiàn)燒結，莫來石在高溫下可提高制品的抗氧化性能；加熱過程能耗低，莫來石產生迅速，結合均勻度好，燒成溫度低，保溫時間短；制備的莫來石結合碳化硅制品強度高，市場前景廣闊。
7 石墨烯增韌碳化硅陶瓷材料的制備方法
包括SiC分散?石墨烯分散?混合分散?粉體制備?壓制成型?無壓燒結等步驟。本發(fā)明將石墨烯分散于PVA水溶液中形成石墨烯漿料，然后將石墨烯漿料加入SiC漿料中進行超聲和球磨，使得石墨烯更均勻的分散在SiC漿料中?？蓽p少石墨烯片層間印范德華力導致的石墨烯團聚現(xiàn)象，使得石墨烯更均勻的分散在SiC漿料中，提高石墨烯改性復合材料的性能。利用該方法所得的石墨烯增韌碳化硅陶瓷材料，既保持石墨烯/碳化硅陶瓷復合材料的抗彎強度穩(wěn)定，又使復合材料的斷裂韌性和硬度有所提高。在保證抗彎強度穩(wěn)定性的條件下，所制備的石墨烯增韌碳化硅陶瓷材料的斷裂韌性可達4.87MPa·m1/2，硬度可達25.08HV。
8 一種碳化硅陶瓷材料及其制備方法和應用
步驟：將碳化硅原料、陶瓷添加劑和燒結助劑混合，得到混合漿料；采用造粒法將所述混合漿料制成混合粉體，并進行干燥；將干燥后的混合粉體3D打印成陶瓷素坯，并進行致密化處理，燒結后得到所述碳化硅陶瓷材料；所述致密化處理包括冷等靜壓和/或噴涂樹脂固化；所述噴涂樹脂固化的過程中，樹脂的噴涂量為0.1?0.5g/cm2。采用3D打印和致密化處理，得到了碳化硅含量＞98％的高純碳化硅陶瓷材料。解決了傳統(tǒng)方法中難于成型復雜結構件的問題，還解決了3D打印陶瓷素坯密度低、強度低的問題，綜合提高了材料的致密度和力學性能，降低了生產成本。
9 一種高強耐磨氮化硅結合碳化硅陶瓷及制備方法
高強耐磨氮化硅結合碳化硅陶瓷，由單質硅粉、碳化硅粉、氮化硅粉、調質劑、結合劑制備而成：調質劑包括Y2O3微納米顆粒、碳化鋯粉、鋯粉和碳化鎢。采用反應燒結氮化硅結合碳化硅工藝，復合調質劑和原位生成可控的纖維狀、柱狀Si3N4的耦合作用下，對微觀結構與物相組成進行優(yōu)化設計與可控制備；ZrSi2N4與氮化硅能形成良好的化學結合。該方法制備的耐磨陶瓷具有高強、高硬、高韌的特點，耐磨性、耐腐蝕性、耐沖擊性能顯著提升，服役壽命延長，大幅度提高相關產業(yè)生產效率，同時減少對物料的污染，保證了產品的高性能與穩(wěn)定性，且具有明顯的經濟效益。
10 一種反應燒結碳化硅的制備方法
步驟一、配置主料：炭化粉體、高殘?zhí)柯蕵渲?、造孔劑、溶劑、表明活性劑；其中，炭化粉體分為：碳化硅微粉、活性炭粉或炭黑其比例為7:3；碳化硅微粉為粒徑在6～10μm的綠碳化硅微粉，活性炭粉或炭黑的顆粒粒徑均為40～100nm，通過采用的炭化粉體分為：碳化硅微粉、活性炭粉或炭黑其成分環(huán)保無毒，使在燒制使產生的煙也不會產生毒氣，減少對環(huán)境的污染，流程較為簡單，能夠解決大量的碳化硅肥浪費的問題，降低反應燒結碳的成本，且備料過程中需要將，沒有將毛坯篩分成粒狀的情況，降低了用燒結時產生的成本。
11 一種各向異性電阻率的碳化硅陶瓷及其制備方法、碳化硅薄片類制件
各向異性電阻率的碳化硅陶瓷及其制備方法、碳化硅薄片類制件。該碳化硅陶瓷包括依次疊加的高純度碳化硅絕緣薄層和含碳高導電薄層；所述碳化硅陶瓷的頂層和底層均為所述高純度碳化硅絕緣薄層；高純度碳化硅絕緣薄層中，碳硅摩爾比為0.8?2，厚度為0.1?10mm；所述含碳高導電薄層中，碳硅摩爾比為2?15，厚度為0.05?3mm。利用制備方法能夠制得高純度、高致密度、各向異性電阻率的碳化硅陶瓷，碳化硅陶瓷的電阻率各向異性指數(shù)高達101.993。
12 一種高純高電阻率碳化硅制件及其成型工藝
該工藝如下：將數(shù)字模型切片，并將切片形狀分別化學氣相沉積高純高電阻率碳化硅薄片，再將沉積后的高純高電阻率碳化硅薄片組裝燒結得到目標制件。通過控制切片參數(shù)，將制件整體“化整為零”，分別沉積，在精確控制成型的基礎上，極大地提升了化學氣相沉積的制備效率。利用本申請的成型工藝制得的高純高電阻率碳化硅制件具有高純度（＞99.98%）、高密度（＞3.204g/cm3）、機加削減量低（0.4?1%）、高硬度（3405HV）、高電阻率（＞4.32×106Ω·cm）等諸多優(yōu)勢，并具備碳化硅材料的耐磨、耐腐蝕、耐高溫等本征特性。
13 一種碳化硅陶瓷及其制備方法
該碳化硅陶瓷的制備方法包括：造粒；成型；包膜；燒結；造粒步驟中：將碳化硅微粉95?97份、高純度酚醛樹脂1?1.5份、導熱填料0.2?1.3份以及碳化硼0.5?1份混合均勻后，進行造粒，獲得碳化硅粉粒；碳化硅微粉的純度為95%以上；導熱材料中，石墨烯、納米碳管、炭黑和銀粉的重量比為（0.2?2）：（0.4?1.8）：（0.5?3.5）：（0.1?1.2）；包膜步驟中，將成型后獲得的陶瓷胚體包裹聚乙烯層。通過同時在制備方法中添加導熱填料和包裹聚乙烯膜，制得的碳化硅陶瓷低裂紋，具有更好的產品質量和穩(wěn)定性。
14 一種擠出成型3D打印高固含量高導熱碳化硅陶瓷制備方法
包括：稱取一定比例的碳化硅粉體與碳粉，混合均勻形成混合粉體；稱取一定質量的水，在水中加入粘結劑以及分散劑混合均勻，在混合好的水溶液中加入混合粉體，攪拌均勻得到打印漿料；將制備好的打印漿料裝入料管中，脫氣3－10分鐘，脫氣完的打印漿料放入打印機中，設置好打印機打印參數(shù)，打印機逐層打印至預設好形狀的坯體；對坯體進行干燥，并將干燥完成的坯體脫脂得到預制體；將預制體進行真空滲硅處理得到致密化的碳化硅陶瓷。工藝步驟簡單，可制備高固相含量的打印漿料，有利于碳化硅陶瓷的成型以致密化，且生產出的碳化硅陶瓷件的形狀更為復雜精確，致密度和導熱率高。
15 一種SiC陶瓷材料及其制備方法
步驟：S1、將粒徑不同的SiC顆粒進行不同的質量比例混合，然后加入聚碳硅烷，混合均勻后，得混合粉體；S2、將S1得到混合粉體裝入模具中，對混合粉體預壓后，采用振蕩熱壓燒結，冷卻得到SiC陶瓷材料。采用不同粒徑的SiC顆粒，按照不同比例進行顆粒級配，加入聚碳硅烷，在不添加燒結助劑條件下，通過振蕩熱壓技術進行燒結以獲得高致密度、高性能的無燒結助劑SiC陶瓷。
16 高耐磨的二氧化硅/碳化硅復合陶瓷及其制備方法和應用
包括70～85％的主相和15～30％的結合相，所述主相由粒度3～20mm的SiC陶瓷體和粒度0.001～3mm的SiC顆粒組成，所述SiC陶瓷體為復合陶瓷總重量的10～50％，所述SiC顆粒為復合陶瓷總重量的35～75％，所述結合相包括復合陶瓷重量10～25％的二氧化硅。通過加入粒度在3～20mm的SiC陶瓷體，使二氧化硅/碳化硅復合陶瓷具有高的耐磨性和耐沖擊性能，可應用在渣漿泵、旋流器或浮選機領域中。
17 一種碳化硅復相陶瓷及其制備方法
通過以具有特定參數(shù)(粒徑、角形系數(shù)、堆積密度)的碳化硅粉體為原料，結合3D打印過程中的對鋪層粉體進行抽氣并低頻震動的操作，實現(xiàn)了高密度的碳化硅陶瓷材料素坯，制備得到的碳化硅陶瓷材料素坯的密度可達1.90g/cm3。制備同樣素坯密度的碳化硅復相陶瓷材料，降低了后續(xù)的增密處理的次數(shù)，簡化了工藝，節(jié)約能源。
18 一種無壓液相燒結碳化硅陶瓷及其制備方法
碳化硅陶瓷由素坯依次經過加熱脫膠和無壓液相燒結后得到，素坯由造粒粉體壓制而成，造粒粉體由漿料經過離心噴霧造粒后得到，漿料的組分包括去離子水，漿料中除了去離子水外還包括如下重量份的組分：碳化硅原粉100份，燒結助劑3?5份，聚乙烯醇0.5?1.5份，四甲基氫氧化銨0.5?1.5份，尿素0.5?1.5份，脫模劑0.5?1份；燒結助劑為含有氧化釔粉體和氧化鋁粉體的水分散液。減少了陶瓷產品出現(xiàn)表面過燒和內部欠燒的可能，提高了燒結成功率，減少了對碳化硅原粉的浪費。
19 一種氮化硅質大尺寸高溫結構件及其制備方法
該方法是將氮化硅粉體與燒結助劑混合，原料采用α?氮化硅粉、β?氮化硅晶須、氧化鋁粉、稀土氧化物、硅粉，造粒成型排膠后在低溫、低壓條件預燒結，隨后在高壓條件中溫燒結，最后在高溫低壓燒結，其中燒結過程全程采用雙層埋粉，內層BN與石墨混合粉，外層SiON與氮化硼、氮化硅混合粉。采用以上工藝制備的大尺寸厚壁(大于30mm)氮化硅高溫結構陶瓷：內外顏色均勻、無夾心；燒結體β?氮化硅晶粒直徑1?1.5um，長徑比范圍4?8，嵌于網(wǎng)絡結構的四方狀氮化鋯直徑2?3um；HV硬度大于15GPa，室溫抗彎強度大于800MPa，900℃抗彎強度大于600MPa，斷裂韌性大于7MPa·m＆lt;supgt;1/2＆lt;/supgt;，熱膨脹系數(shù)2.8?3.1×10＆lt;supgt;?6＆lt;/supgt;。
20 一種高致密度、高導熱的碳化硅-氧化鈹復合陶瓷及其制備方法
將碳化硅粉體、氧化鈹粉體和助燒劑，經混合、干燥、放電等離子燒結后制備而成；其中，所述碳化硅粉體與氧化鈹粉體的質量比為(5?18)：1；所述助燒劑質量為所述碳化硅粉體和所述氧化鈹粉體總質量的5％?12％。高致密度、高導熱的碳化硅?氧化鈹復合陶瓷，不僅復合陶瓷的致密度以及組織的均勻性得到了有效的提高，而且有效的提高了復合陶瓷的導熱性能。不僅可實現(xiàn)碳化硅粉體、氧化鈹粉體和助燒劑的快速燒結，有效的提高復合陶瓷的燒結速度，而且節(jié)能環(huán)保，可有效的防止燒結過程中雜質的產生。
21 一種碳化硅蜂窩陶瓷及其制備方法
將核桃殼炭粉、硅微粉和石墨烯粉體分別通過球磨機粉碎均勻；將核桃殼炭粉、石墨烯粉體、氟化硅、二氧化硅溶膠、造孔劑、燒結助劑攪拌均勻后，加入分散劑、擠壓助劑再進行攪拌，形成混合料；擠壓成型，干燥得到碳化硅蜂窩陶瓷坯體；以升溫速度20~25℃/h升溫至700～800℃，保持1～1.5h，再升溫至1100～1300℃保持1~1.5h，停止加熱，冷卻至50~60℃的溫度下，浸入至樹脂液中1~1.5h，取出后繼續(xù)加熱至800～1000℃保持2.5~3h，得到碳化硅蜂窩陶瓷。所制得的碳化硅蜂窩陶瓷具有良好的韌性。
22 一種碳化硅陶瓷的制備方法和由該制備方法制備的碳化硅陶瓷材料
包括：以碳化硅粉體為原料，加入燒結助劑和添加劑，在惰性氣體或真空氣氛中，高溫燒結，得到碳化硅陶瓷材料；其中，所述碳化硅粉體經過預處理過程，所述預處理過程為在真空或惰性氣氛下高溫預燒。適用于大尺寸塊體碳化硅陶瓷材料，解決了現(xiàn)有技術中普通粉體不適合大厚度陶瓷燒結的問題。采用預處理后的碳化硅粉，制得的碳化硅陶瓷材料的厚度為50?150mm，長度為100?400mm，寬度為100?400mm，操作方法簡便，適于大規(guī)模生產。
23 一種碳化硅陶瓷的制備方法
適用于大尺寸塊體碳化硅陶瓷，解決了現(xiàn)有技術中脫粘開裂和脫粘不充分的問題。采用本發(fā)明脫粘的素坯厚度在50?200mm之間，長度在125?500mm之間，寬度在125?500mm之間，經過燒結后，其厚度在50?150mm之間，長度在100?400mm之間，寬度在100?400mm之間。脫粘后，大尺寸塊體陶瓷素坯芯部無殘余粘結劑，外觀不變形不開裂。
24 一種納米粉體改性碳化硅-碳化硼復相陶瓷及其制備方法
包括步驟：(1)一次納米粉體混合；(2)二次粉體混合；(3)噴霧造粒；(4)壓力成型；(5)預燒結；(6)終燒結。能夠制備得到硬度、強度均得到提高的SiC?B4C復相陶瓷，提高復相陶瓷性能的均勻性，且燒結溫度低，制備效率提高。
25 一種高純碳化硅陶瓷的制備方法
步驟：（1）將高純碳化硅粉體、高純二氧化硅粉體、高純納米碳粉、分散劑和去離子水混合均勻，研磨得到漿料；（2）將漿料烘干至一定程度，粉碎得到粉料；（3）將粉料過篩，并對過篩后獲得的粉料進行造粒；（4）將造粒粉壓制成素坯；（5）將素坯放入SPS模具中，加壓升溫至一定溫度，保溫一段時間，進一步升溫至最高溫度，保溫一段時間，得到高純碳化硅陶瓷。對高純碳化硅粉體進行研磨時，同時添加了高純二氧化硅粉體、高純納米碳粉和分散劑，分散劑有助于三種粉體的分散，二氧化硅和碳粉的可在一定條件下生成碳化硅，促進燒結的致密化，提高陶瓷的致密度。
26 一種凝膠注模成型無壓燒結制備碳化硅陶瓷的制備方法
步驟：S1、將碳化硅細粉經聚丙烯酸鈉和硅烷偶聯(lián)劑表面化學改性后，得到改性碳化硅粉體，待用；S2、配置丙烯酰胺、N,N?亞甲基雙丙烯酰胺、阻凝劑、去離子水和分散劑，將其攪拌均勻后，加入碳化硼粉體、碳粉以及步驟S1中得到的改性碳化硅粉體，繼續(xù)攪拌均勻，球混后真空除泡，得到預制混合漿料；S3、對步驟S2中得到的預制混合漿料進行攪拌，同時加入緩聚劑繼續(xù)攪拌，隨后加入氧化還原引發(fā)劑，攪拌后，注模，固化后即可形成胚體。將碳化硅粉體進行改性后，并在體系中添加阻凝劑，從而提升了體系的固化含量和固化均度。
27 一種陶瓷材料及其制備工藝
包括以下成分，按重量份配比：碳化硅20?50份、碳化鈦7?10份、氧化鋁5?8份、氧化鎂1?4份、石蠟11?14份、高嶺土11?14份、石墨烯1?4份、堇青石11?14份、硅烷偶聯(lián)劑1?4份、助劑1?2份、無水乙醇40?50份，所述助劑包括消泡劑、穩(wěn)定劑和增效劑。通過向碳化物中添加石墨烯、石蠟和高嶺土，可提高整體的韌性和耐磨性，避免易碎，且通過向碳化物中添加堇青石和硅烷偶聯(lián)劑，可提高整體的色澤度，使其更具觀賞感。
28 一種SiC復合陶瓷材料的制備方法
包括將SiC粉、WC粉和B源、碳源球磨、干燥后，得到混合粉末；將混合粉末成型、高溫脫粘后得到陶瓷素坯；在常壓下對陶瓷素坯進行燒結處理，得到WC/SiC復合陶瓷材料。制備的WC/SiC復合陶瓷具有優(yōu)異的力學性能。
29 一種大型復相反應燒結碳化硅制品及制備方法
主原料選用碳化硅顆粒和細粉、碳粉或固碳殘留≥30%的液態(tài)碳源、硅含量98%以上金屬硅粉；金屬硅粉的加入量高于Si?C反應的理論配比，其富余量用于形成氮化物結合相；根據(jù)制品尺寸形狀用半干法模壓或濕法注模成型為所需外形，素坯經烘干后裝窯；純氮氣氣氛，1150?1250℃初步形成部分氮化物；特定溫度轉換氬氣氣氛，氮化反應停止，表層和芯部形成β?SiC結合相；最后通入氮氣，達到最終燒結。大幅度降低安裝周期和成本，生產和應用環(huán)節(jié)具備節(jié)能降耗的效果。
30 一種固相燒結碳化硅制品及其制備方法
步驟：原料研磨：將微米級碳化硅粉末與含硼燒結助劑混合并濕法研磨，得到漿料；噴霧造粒：向漿料中加入水溶性炭黑和粘結劑，攪拌均勻，經過噴霧造粒，得到碳化硅造粒粉體；混料；陳腐：將混料得到的濕粉經過陳腐，得到陳腐料；后處理：將陳腐料經過練泥、擠出、干燥、熱處理即可。制備方法制備的碳化硅制品可用作換熱管、輥棒、方梁、微反應管等，其具有制品燒結密度高、抗壓強度大、韌性高的優(yōu)點；具有生產成本低、生產效率高的優(yōu)點。
31 一種改性碳化硅陶瓷及其制備方法
該制備方法包括(1)將包括碳化硅、氮化鈦和復合稀土氧化物的原料進行濕法混合，得到混合粉體；(2)將混合粉體真空燒結，得到素坯，之后進行破碎，得到二次粉體；(3)在氮氣保護下，對二次粉體進行熱壓燒結，得到預燒結體；(4)對預燒結體進行熱等靜壓，得到改性碳化硅陶瓷。本申請通過在碳化硅結構中摻雜氮化鈦和復合稀土氧化物，增加碳化硅內部結構中自由移動載流子的數(shù)目；另外，還可以降低碳化硅晶格中的氧含量；以及通過燒結過程條件的改變，顯著提高碳化硅陶瓷的熱導率。
32 一種改性SiC基太陽能熱發(fā)電用儲熱陶瓷及其制備方法
先按質量比為100：(0.5～9)取基礎粉料以及改性助燒劑混合均勻，得混合粉料；基礎粉料包括SiC、鋁礬土和高嶺土；向混合粉料中加入水溶性粘結劑溶液，混合均勻得到塑化坯料；塑化坯料經壓制成型和干燥，得到干燥坯體；將干燥坯體在不高于1500℃的溫度下燒結，得到改性SiC基太陽能熱發(fā)電用儲熱陶瓷。本發(fā)明制備的儲熱陶瓷材料不僅儲熱密度大、抗氧化性能好，而且其制備溫度較其他SiC基材料更低、熱導率以及機械強度更高，用于太陽能熱發(fā)電儲能系統(tǒng)更易實現(xiàn)大規(guī)模量產。
33 一種多孔碳化硅陶瓷及其制備方法
其制備過程如下：1)以SiC粉、混合樹脂溶液、碳化硼為原料，充分球磨混合均勻后制成生粉，經造粒、模壓、冷等靜壓后制成生坯；2)將生坯在真空條件下以小于100℃/h的升溫速度升至700～900℃，保溫2～4h并隨爐冷卻，使其中的混合樹脂充分碳化留下孔隙；3)在常壓保護氣氛下以200～300℃/h的升溫速度升至2000～2200℃，隨爐冷卻后移至空氣爐中在400～500℃下煅燒除去多余的碳，即得到該多孔碳化硅陶瓷。制備過程中避免了液相的生成，晶界純凈，其不僅具有良好的常溫力學性能，耐高溫性能、抗熱震性能也比較優(yōu)異，大大提升高溫條件下多孔陶瓷材料性能的穩(wěn)定性。
34 一種高光敏活性的碳化硅陶瓷漿料及其制備方法
高光敏活性的碳化硅陶瓷漿料由碳化硅粉體，碳化硼粉體，丙烯酸低聚物，活性稀釋劑，光引發(fā)劑，助引發(fā)劑，以及助劑組成。碳化硅粉體的重量百分比含量為66％～72％，碳化硼粉體的重量百分比含量為2％～2.2％，丙烯酸低聚物的重量百分比含量為2.1～5.7％，活性稀釋劑的重量百分比含量為16.8％～24.9％，光引發(fā)劑的重量百分比含量為1.29％～1.71％。光引發(fā)劑由裂解型自由基光引發(fā)劑，奪氫型自由基光引發(fā)劑，以及陽離子光引發(fā)劑組成。提供的高光敏活性的碳化硅陶瓷漿料可在385nm波長的UV LED冷光源下以最低200mw/cm2的曝光功率下實現(xiàn)表層與深層的固化。
35 一種增韌碳化硅陶瓷及其制備方法
增韌碳化硅陶瓷由包含以下重量份的原料制成：SiC粉60?80份、Si粉3?6份、碳納米管3?6份、改性酚醛樹脂6?8份以及增韌粉末6?9份，所述SiC粉的中位粒徑介于0.1?5.0μm；所述Si粉的中位粒徑介于0.1?5.0μm；其制備方法為：（1）原始混合粉料制備；（2）原始混合漿料制備；（3）干燥造粒得到原始造粒粉；（4）沖壓成型得到增韌碳化硅陶瓷粗胚；（5）烘干得到增韌碳化硅陶瓷毛坯；（6）燒結并冷卻得到增韌碳化硅陶瓷。增韌碳化硅陶瓷具有較為優(yōu)良的力學性能；另外，制備方法具有提高碳化硅陶瓷的力學性能的效果。
36 一種微波制備六鋁酸鈣結合碳化硅陶瓷的方法
步驟：(1)將鋁源、鈣源和碳化硅粉體均勻混合后成型制得坯體；(2)將成型后的胚體置于微波燒結爐中，借助碳化硅粉體的吸波特性使材料升溫，鋁源和鈣源發(fā)生原位反應，實現(xiàn)六鋁酸鈣結合碳化硅陶瓷的制備。制備六鋁酸鈣結合碳化硅陶瓷借助微波燒結時碳化硅自身的發(fā)熱實現(xiàn)燒結，無需借助外界熱源，加入過程能耗低，六鋁酸鈣燒結迅速，結合均勻度好，燒成溫度低，保溫時間短，制備的六鋁酸鈣結合碳化硅制品強度高。
37 一種高強度的熔融金屬過濾用多孔碳化硅陶瓷及其制備方法
針對浸漿法所制備的陶瓷骨架致密度低，通過傳統(tǒng)的骨架表面致密化的加工工藝又會明顯降低對小尺寸非金屬夾雜物的濾除效果的問題。由低孔隙率的陶瓷支撐層包圍高孔隙率的陶瓷過濾中心的單元體形成的多孔碳化硅陶瓷基體，并將支撐層外側包覆陶瓷保護層，從而共同組成高強度的熔融金屬過濾用多孔碳化硅陶瓷，該制備方法操作簡便，無需二次燒結等額外工序，對設備要求低，適合不同尺寸的大批量生產。
38 一種碳化硅注塑成型工藝
步驟：S1、原料經過球磨、烘干、破碎過篩得到粉體Ⅰ；S2、使粉體Ⅰ經過冷等靜壓、破碎、過篩，獲得粉體Ⅱ；S3、粉體Ⅱ和粘接劑經過密煉、冷卻破碎、過篩獲得喂料顆粒；S4、喂料顆粒通過注射成型獲得陶瓷生坯；S5、將陶瓷生坯脫蠟浸泡獲得坯體；S6、坯體燒結后獲得產品。碳化硅注塑成型通過制備粉料、冷等成型、密煉喂料、注射成型、排蠟脫脂、燒結等工序的相互配合，能夠獲得注塑密度為3.13～3.17g/cm3、抗彎強度≥390MPa的產品；通過該工藝能夠獲得更高品質的產品，滿足更多高要求應用場景的需求。
39 一種堇青石基微晶玻璃結合碳化硅陶瓷材料及其制備方法
以堇青石基微晶玻璃為燒結助劑，通過在基體中原位合成的方式添加堇青石晶體，不僅提供了一種低溫燒結助劑，而且獲得了致密度高、燒結溫度低的碳化硅陶瓷材料，對于提高碳化硅陶瓷材料的品質、以及節(jié)約產品成本具有重要意義，有利于推廣應用和行業(yè)技術的進步與發(fā)展。
40 一種高性能的碳化硅陶瓷材料及其制備方法
主要是通過將傳統(tǒng)硅材料與陶瓷原料以及導電金屬粉末原料的混合塑型，通過高溫碳化煅燒以及加壓塑型得到想要的形狀和結構，其具體制備方法步驟包括：A、準備碳化硅陶瓷基礎原料；B、對原料進行研磨攪拌混合；C、對充分混合原料進行塑型和采樣檢測；D、對碳化硅材料進行強壓塑型；E、對塑型完成的碳化硅材料進行分區(qū)間高溫煅燒；F、檢測成品和進行基本清潔拋光，主要目的在于解決電池正負極輸出和導入時，局部材料過熱的難題，同時兼具較好的耐腐蝕性和耐高溫、耐磨損性。
41 一種提高碳化硅陶瓷的生長速率的方法
通過提供一種在坩堝本體內設置有多孔隔板，多孔隔板將坩堝內區(qū)域自上而下分隔為氣相區(qū)、上粉體放置區(qū)、下粉體放置區(qū)的高純石墨坩堝，并將其用于高溫物理氣相傳輸法制備碳化硅陶瓷，通過在碳化硅粉體中加入外加硅粉，并結合粉料分布形態(tài)和制備參數(shù)的調整實現(xiàn)提高碳化硅陶瓷的生長速率的技術目的。
42 一種大尺寸反應燒結碳化硅陶瓷板材的制備方法
質量份數(shù)比計，稱量60～85份碳化硅，5～10份的石墨粉，2～5份的炭黑以及2～4份助劑，攪拌均勻后加5～15份水繼續(xù)攪拌均勻，然后陳腐，得到泥料；將泥料進行煉泥后采用擠壓機擠出成型，得到素坯；烘干后燒結得到碳化硅陶瓷板材。采用站立式裝爐方式，可有效的減少大量的開裂，克服了現(xiàn)有技術中干燥時，收縮出現(xiàn)的裂紋。本發(fā)明可大批量制備大尺寸碳化硅陶瓷板材，保證其平面度的情況下，克服了現(xiàn)有技術中成型干燥燒結等過程的出現(xiàn)的問題。
43 一種先驅體轉化碳化硅陶瓷及其制備方法
原料通過共混無壓燒結進行制備：60%?80%的碳化硅陶瓷粉以及20%?40%的碳化硅陶瓷先驅體。一般的碳化硅陶瓷材料均采用加壓成型燒結或熱壓燒結進行，加壓壓力大燒結溫度高，對設備的要求較高，工藝復雜成本昂貴。相比較傳統(tǒng)碳化硅陶瓷制備方法，本發(fā)明工藝簡單，燒結溫度低，對設備要求低，成本低廉。
44 一種石墨烯增韌碳化硅陶瓷的制備方法
步驟：(A)將碳化硅粉體、石墨烯粉體、燒結助劑和溶劑混合后粉碎以制備碳化硅漿料；(B)將碳化硅漿料干燥、粉碎后過篩，制備混合均勻的復合粉體；(C)將復合粉體裝入模具中，施加單向壓力以得到復合粉體壓坯；(D)將裝有復合粉體壓坯的模具放入燒結爐中，在真空環(huán)境下爐溫升至溫度T1后，進行升溫加壓?降溫無壓的循環(huán)燒結工藝以制備石墨烯增韌碳化硅陶瓷。利用高溫加壓?低溫無壓的真空循環(huán)燒結技術，有效地解決了現(xiàn)有技術中燒結溫度高、致密化速度慢、致密度低的問題，在較低的溫度下快速地獲得致密度更高的石墨烯增韌碳化硅陶瓷。
45 一種具有低溫愈合裂紋能力的陶瓷材料及其制備方法
如下：SiC和Al2O3的混合物：60～80％，TiB2：10～20％，助熔劑：10～20％；按比例稱取SiC、Al2O3、TiB2和助溶劑，加入溶劑，濕法球磨5～7h得到球磨液；所得球磨液真空干燥后經100～120目篩過篩，得到混合粉料；所得混合粉料裝入模具中，經冷壓成型后放入放電等離子燒結爐中進行放電等離子燒結或熱壓爐中熱壓燒結；通過在陶瓷材料基體中添加TiB2來實現(xiàn)材料裂紋愈合的功能，采用的愈合劑TiB2在較低溫度下便可以與氧氣發(fā)生反應生成可以愈合裂紋的TiO2和B2O3，在較短的時間內抗彎強度可以恢復到的80％以上，提高了陶瓷材料的使用壽命，加入的玻璃粉也可以降低燒結溫度。
46 一種原位生成堇青石結合SiC的太陽能吸儲熱球形陶瓷及其制備方法
太陽能吸儲熱球形陶瓷的原料包含如下按質量百分比計的組分：SiC粉60％～80％、黑剛玉粉5％～15％、滑石粉5％～15％、高嶺土粉3％～5％、氧化鋁粉1％～5％、添加劑3％～10％。將原料通過球磨機混料30～60min，加入5％～10％水造粒后陳腐24～48h，得到坯料，加入成球劑通過成球機成球，球形坯體干燥后再通過燒成，太陽能吸儲熱球形陶瓷，其具有高儲熱密度、高太陽光吸收率、高熱導率等特點。
47 一種各向異性的碳化硅導電陶瓷及其制備方法
所述各向異性的碳化硅導電陶瓷包括：SiC基體、以及分散在基體中的石墨烯納米片和燒結助劑；按質量分數(shù)100wt%計，所述SiC基體的質量分數(shù)為90.5～96.4wt%，GNPs的質量分數(shù)為2～8wt%，余量為燒結助劑。
48 采用放電等離子燒結制備氮摻雜導電碳化硅陶瓷的方法
步驟：1)球磨混料：在氧化鋯球磨罐中用氧化鋯球對氧化鋁、氧化釔和碳化硅粉末進行濕法球磨；2)粉末干燥與裝配：2.1)球磨后的混合粉末進行過濾篩分，倒入玻璃容器內，然后置于干燥箱中于50～70℃下干燥6h，干燥以后的粉末再用研缽進行手工粉碎；2.2)將混合干燥以后的粉末進行裝配，裝配容器包括石墨模具和石墨壓頭；2.3)采用壓片機對裝配好后的粉末進行預壓；3)高溫燒結：將預壓后的粉末置于放電等離子燒結爐中進行高溫燒結。采用放電等離子燒結方法，不僅在較短時間內便可制備出低電阻率和力學性能優(yōu)良的碳化硅陶瓷，并且可以實現(xiàn)電阻率的精確調控。
49 一種碳化硅陶瓷管制備方法
高致密性，高加工精度的碳化硅陶瓷管制備方法。所述碳化硅陶瓷管制品組織均勻、具有高致密性，高同軸度。制備方法步驟包括：(1)配置粉末(2)裝置調整(3)粉末裝填(4)冷等靜壓成型(5)抽芯截邊整理(6)高溫燒結。解決了碳化硅陶瓷管的加工變形問題，所制碳化硅陶瓷管適用于核工業(yè)等高精度環(huán)境。
50 一種自增強碳化硅陶瓷材料的制備方法
如下：按質量百分比α?SiC粉體：β?SiC粉體：B4C粉體：炭＝(92％?94％)：(1％?3％)：(1％?3％)：(2％?4％)，稱取α?SiC粉體、β?SiC粉體、B4C粉體和炭；原料經混勻干燥過篩后，壓制成型，獲得素坯；將素坯置于真空管式爐中，進行碳化處理，碳化溫度為600?900℃；碳化后試樣經無壓燒結后，冷卻，制得自增強碳化硅陶瓷材料。該方法通過向α?SiC粉體中復配不同粒徑尺寸的β?SiC粉體，以制備出具有高密度，高強度，高硬度且組織均勻的固相無壓燒結碳化硅陶瓷材料，提高無壓燒結碳化硅陶瓷材料的綜合性能。
51 一種碳化硅泡沫陶瓷及其制備方法
步驟：S1，將碳化硅粉體、氧化鋁粉體、聚乙烯醇、硅溶膠、聚丙烯酰胺、羧甲基纖維素鈉，攪拌均勻，球磨處理，最后加入正丁醇，得到陶瓷漿料；S2，將聚氨酯泡沫模板進行預處理后浸入陶瓷漿料；再將聚氨酯泡沫模板干燥，得到陶瓷坯體；S3，將陶瓷坯體進行預燒結處理，得到陶瓷預燒體；S4，將二乙烯基苯、自由基引發(fā)劑、晶硅切割粉混合，超聲處理，得到硅粉懸浮液；S5，將陶瓷預燒體浸入硅粉懸浮液中，在真空環(huán)境保持55～65min，取出陶瓷預燒體于90～110℃中干燥1.5～2.5h，進行表面交聯(lián)固化反應，得到固化產物；S6，將固化產物進行高溫燒結，即得所述的碳化硅泡沫陶瓷。該碳化硅泡沫陶瓷的機械性能好。
52 一種利用粉石英加工碳化硅重結晶燒結高純陶瓷磨料的方法
將粉石英、石墨粉按重量比1:0.7混合均勻，通過焙燒爐中進行加熱至1700?1800℃，保溫進行碳化生成立方碳化硅粉體；然后將步驟一的碳化硅粉體和未反應的粉石英及石墨粉混合物再次進行攪拌混合，混合均勻后，再放入石墨化爐中進行加熱，加熱至2900?3000℃，保溫進行重結晶燒結生成碳化硅顆粒；然后清洗、干燥、破碎并分級得到碳化硅磨料。利用粉石英與石墨混合進行碳化來合成碳化硅粉體，然后再通過對碳化硅粉體與粉石英及石墨粉混合再進行重結晶燒結，制作成高純碳化硅陶瓷磨料，可以極大的提高碳化硅陶瓷磨料的硬度和強度。
53 耐腐蝕碳化硅陶瓷制備方法及其應用
旨在解決目前氧化鋁生產中耐腐蝕碳化硅陶瓷燒結工藝復雜、成本高的技術問題的技術問題。本發(fā)明的制備方法為：取α?SiC微粉85～90份、β?SiC微粉5～9份、燒結助劑1～1.2份、分散劑3.5～5份、粘結劑0.3～0.5份，混合得研磨混合料；將所述研磨混合料球磨得漿料；將所述漿料噴霧干燥，造粒；將所述造粒所得的粉料無壓燒結；并將所述的耐腐蝕碳化硅陶瓷制備方法制得的材料在氧化鋁生產中應用。制備方法成本低、操作簡單；不產生二次污染，無廢氣、廢液及廢氣排放，對環(huán)境友好，適合大規(guī)模生產。
54 一種玻璃熱彎成型用陶瓷模具及其制備方法
通過該原料制備獲得的陶瓷模具，具有優(yōu)異的抗氧化性能，較高且易于機械加工的硬度，耐磨損性能優(yōu)異，使用壽命為石墨材料的3～5倍，并且具有較佳的致密性。該制備方法包括將上述玻璃熱彎成型用陶瓷模具的原料混合均勻成混合料，干燥混合料，壓制成型并燒結。采用特定的燒結工藝對壓制成型的坯料進行燒結，制得產品在400～1100℃條件下與玻璃不浸潤，抗氧化性能優(yōu)異，硬度高，易于機械加工，耐磨損性能優(yōu)異。
55 一種SiC陶瓷結構件及其制備方法
首先選擇合適的顆粒級配混合均勻粉末后打印成型，通過冷等靜壓技術處理陶瓷坯體，使得陶瓷坯體中的粉末顆粒排列更為緊密，提高陶瓷坯體的致密度；再通過滲硅反應燒結，使得單質硅與單質碳顆粒在燒結過程中形成SiC，減少了試件中單質硅的存在，反應生成的SiC使得試件的致密度進一步提高，降低了試件的孔隙率，提升試件的力學性能；該方法首次在3D打印SiC陶瓷時，將C粉作為原料之一并調整C粉和SiC粉的顆粒級配，為后續(xù)的冷等靜壓和反應燒結做準備。制得的結構件密度為3.01～3.11g/cm3，彎曲強度為290～330MPa。
56 一種碳化硅陶瓷制品及其制備方法
包括骨料、粉料和結合劑，骨料與粉料按下述重量份配置而成：骨料與粉料的重量配比為：骨料∶粉料=55～65∶35～45；骨料為碳化硅顆粒；粉料為堇青石細粉、氧化鋁細粉和金屬鋁粉；粉料的重量配比為：堇青石細粉∶氧化鋁細粉：金屬鋁粉=70~80∶20~30∶2~5；結合劑為水溶性環(huán)氧樹脂、水溶性酚醛樹脂、水溶性呋喃樹脂中的任意一種或兩種組合，結合劑的加入量為骨料、粉料總重量的2～4%；通過原料配比、漿料制備、成型和高溫燒成步驟制備而成；所制備的陶瓷制品既具有碳化硅優(yōu)良的高溫性能，同時也具有非常優(yōu)良的熱震穩(wěn)定性，能夠有效地提高碳化硅窯具制品的使用壽命。
57 一種無壓燒結碳化硅防彈陶瓷及其制備方法
包含以下組分：碳化物A96.5?98.5份、碳化物B1.1?1.8份、硼化物0.1?1份、樹脂12?18份、氧化物1?3份、分散劑0.15?0.45份；在制備工藝上采用封閉式濕法連續(xù)研磨方式，減小了研磨過程中的原料污染，采用自制碳化硅球作為研磨介質，實現(xiàn)無污染研磨，降低了粉體提純的難度，采用霧化造粒配方與工藝，使造粒粉的技術指標達到進口同類產品的技術要求，采用本發(fā)明工藝制備的碳化硅防彈陶瓷韌性好，強度高。
58 一種高強度陶瓷制品及其制備方法
包括陶瓷素坯和施加在所述陶瓷素坯表面的透明陶瓷釉，陶瓷素坯的原料包括以下重量份的組分：碳化硅45～70份、白云石8～15份、氧化鋁1～5份、長石16～40份、石英7～18份、高嶺土20～40份、方解石5～16份、硼化鑭1～5份、氧化鈦0.3～2.5份、二硒化鈮0.1～1.2份、水5～35份。該陶瓷制品具有較佳的機械強度、抗龜裂性能和耐磨性能，因而其陶瓷本體強度高、抗摔性能強。且制備方法簡單，易于大規(guī)模生產。
59 一種改性木質基碳化硅陶瓷材料的制備方法
分別稱量一定質量的木粉、硅粉、環(huán)氧樹脂，稱量后計算總質量，待用；稱量一定質量的氧化石墨烯，氧化石墨烯的質量為所述的總質量的1～5％，將稱量好的氧化石墨烯與步驟1稱量的木粉、硅粉、環(huán)氧樹脂混合，攪拌均勻后，置于烘箱中干燥，得到第一混合物，待用；將第一混合物，分別進行預熱壓或烘干處理，處理后得到的樣品在氮氣的保護下，程序控溫進行燒結反應，反應后制得改性木質基碳化硅陶瓷材料。操作方法簡便，具備更小的質量變化率、更好的耐腐蝕性、吸附性能、導電性能。
60 一種渣漿泵用氮化物結合碳化硅耐磨陶瓷件的制備方法
渣漿泵用氮化物結合碳化硅耐磨陶瓷件的制備方法以碳化硅為主要原料，并引入D50＆lt;0.5μm改性金屬硅粉；改性金屬硅粉與碳化硅的加入量為1~10%：90%~99%；與結合劑和水混成澆注料后，注入模具振動澆注成型，經養(yǎng)護、烘干后燒成制得制品。節(jié)能降耗效果明顯，最大限度實現(xiàn)材料本身的高耐磨性，提高渣漿泵用氮化物結合碳化硅耐磨陶瓷件的全生命周期服役能力；該渣漿泵用氮化物結合碳化硅耐磨陶瓷件經過高溫燒成，不受使用環(huán)境溫度的限制。
61 一種細粉碳化硅陶瓷及其制備方法
以晶硅片切割刃料尾料細粉為細粉原料反應燒結碳化硅陶瓷，極大降低了制備成本，原料粉體通過化學法除雜，在混料機內將原料碳化硅細粉、炭黑、分散劑、減水劑和分散介質混合均勻，注漿成型后烘干，最后高溫滲硅，制備出性能優(yōu)異的細化碳化硅陶瓷。工藝簡單，以成本極低的晶硅片切割刃料尾料細粉為細粉原料反應燒結SiC陶瓷，極大降低了制備成本，制得的細粉碳化硅陶瓷機械性能好，致密度高，具有比普通SiC陶瓷具有更高的強度和硬度等優(yōu)異的性能，具有十分廣闊的市場空間和良好的經濟及社會效益。
62 一種高性能的碳化硅陶瓷材料低溫燒結方法
步驟如下：制備燒結助劑，所述燒結助劑由鋅粉、氟硅酸鋅和硼鋁酸鍶組成；稱取碳化硅和燒結助劑，球磨混合獲，然后進行負壓蒸干后，粉碎，過篩，并模壓成型，獲得坯體；將坯體送入氣氛燒結爐中，升溫至460?470℃，保溫2?3h，然后向氣氛燒結爐內通入空氣，升溫至1720?1740℃，保溫2?3h，隨爐冷卻后，即可。本發(fā)明制備的碳化硅陶瓷材料致密度良好，且具有良好的抗彎強度，燒結溫度低，降低了制造過程中的能耗，能夠滿足市場需求，具有廣闊的市場前景。
63 一種常壓固相燒結碳化硅陶瓷3D打印線材及其制備方法和應用
包括：(1)將碳化硅陶瓷粉體、含硼燒結助劑、碳燒結助劑、分散劑和溶劑混合，得到混合漿料；(2)將所得混合漿料經過烘干或噴霧干燥，得到混合粉體；(3)將所得混合粉體中加入塑性成型劑，攪拌混合均勻后，然后在180～250℃高溫混合12～24h，得到泥料；(4)根據(jù)所述塑性成型劑的特性，設置加熱溫度和擠出溫度，擠出成型，得到常壓固相燒結碳化硅陶瓷3D打印用陶瓷線材。
64 高精度可光固化打印碳化硅陶瓷漿料及制備方法、制備碳化硅陶瓷制品的方法
采用可控氧化包覆法制備SiC@SiO＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;微納復合粉末，將SiC@SiO＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;微納復合粉末與光敏樹脂、碳源樹脂和預聚物樹脂和光引發(fā)劑和分散劑后得到碳化硅陶瓷漿料。將打印的SiC@SiO＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;陶瓷坯體采用兩步燒結方法，得到碳化硅陶瓷。成型的具有復雜結構的碳化硅坯體最小精度高達80μm，該數(shù)值與背景技術報道光固化碳化硅結構最小精度相比，提升至12.5倍。燒結方法既消除或減少引入的SiO＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;包覆層，又保證了碳化硅精細復雜結構的間隙不被明顯堵塞。
65 一種碳化硅陶瓷材料的制備方法及碳化硅多孔陶瓷燃燒器
方法包括提供多孔結構骨架，制備底層和面層漿料，掛漿及固化，熱處理等。設計特殊成分的3D打印料，采用3D打印的方式制備高精度的多孔骨架，并采用兩種成分的漿料分別進行底層掛漿固化和面層掛漿固化，底層與骨架結合性更好，面層具有良好的保護作用，使制備出的多孔碳化硅材料具有更好的耐高溫、抗熱震性、高熱導率的優(yōu)勢，碳化硅陶瓷材料在70％孔隙率時，抗壓強度在35MPa以上，室溫導熱率達到45W/m·k以上；且強度高、抗裂性好，能夠延長使用壽命。波紋狀多孔碳化硅材料在燃燒器殼體中交錯堆疊，具有良好的抗熱震性，具有良好的實用價值。
66 一種碳化硅超細粉的改性方法及凝膠注無壓燒結制備碳化硅陶瓷的方法
依次通過砂磨的方式對碳化硅超細粉原料進行顆粒整形，整形后的碳化硅粉體漿料依次經離心、干燥后，得到干粉；再利用改性劑對干粉進一步表面改性，改性劑包括鄰苯二甲酸和四甲基氫氧化銨溶液中的至少一種；所得到的改性漿料經干燥處理后，得到改性碳化硅細粉。制得的改性碳化硅超細粉的漿料形式，即改性漿料，體積固含量能夠達到55%，且粘度低于1Pa.s，能夠滿足凝膠注成型對碳化硅漿料的需求。并且進一步將得到的改性漿料用于凝膠注無壓燒結制備碳化硅陶瓷中，實現(xiàn)了較好的制備效果。
67 一種碳化硅陶瓷產品及其制備方法和一種碳化硅陶瓷堝幫
將混合料注入模具后進行壓制，脫模得到坯體；將所得坯體順次進行低溫干燥和高溫干燥，得到干燥坯體；在真空條件下，將所得干燥坯體進行碳化，得到碳化坯體；向所得碳化坯體的中空位置撒上硅粉后，在真空條件下進行燒結，得到碳化硅陶瓷產品。碳化硅陶瓷產品可以為碳化硅陶瓷堝幫。本發(fā)明制備的碳化硅陶瓷堝幫在使用時不與硅蒸汽發(fā)生反應，同時具有較好的抗氧化性，可大幅度提升硅幫的使用壽命。
68 一種高導熱金剛石-碳化硅復相陶瓷的制備方法及散熱基板
包括將第一金剛石、第二金剛石、第三金剛石、粘結劑溶液混合、成型和冷等靜壓處理得到坯體，然后進行脫脂、滲硅處理得到金剛石?碳化硅復相陶瓷并制成散熱基板。技術方案提高了基體內金剛石含量和降低了游離硅含量，從而提高了金剛石?碳化硅復相陶瓷的綜合性能。
69 一種表面氧化修飾碳化硅粉的陶瓷漿料3D打印方法
通過物理改性的手段使顆粒氧化可以改變漿料的流變行為，降低粉體吸光度，提高粉體折射率，從而可以制備出高固相含量的漿料。之后將改性后的碳化硅粉與分散劑和光引發(fā)劑以恰當?shù)谋壤苽涑龇稚⑿暂^好的碳化硅陶瓷漿料。分散劑不僅合理的降低的漿料的粘度，也使碳化硅漿料分散的更加均勻，與選擇的光引發(fā)劑合理的復配使用，提高了漿料的固化深度，使得碳化硅陶瓷坯體的成品率提高。
70 一種無壓固相燒結壓制成型制備纖維增韌碳化硅陶瓷閥件的方法
包括：造粒粉的制備，短切碳纖維的解束，解束碳纖維包覆造粒粉，造粒粉混合，閥件成型、燒結和后加工處理。本發(fā)明制得的碳化硅陶瓷閥件韌性好，強度高，性能均勻性好，服役可靠性高；方法工藝簡單、生產成本低、生產效率高，適于產業(yè)化制備高性能的碳化硅陶瓷閥件。